简介：静态随机存储器（StaticRandomAccessMemory，SRAM）的功能测试用来检测该集成电路（IC）是否有功能缺陷，而目前大部分测试程序都只是集中在如何提高IC测试覆盖度，却很少能够做到检测IC是否有缺陷的同时分析这些缺陷的物理失效机理。本文介绍了一种利用不同测试算法组合测试的方法，在检测IC是否有缺陷同时，还能进行失效故障模型的分析，进一步利用该故障模型可以推测出具体的物理失效机理。该方法能显著提高测试中电性失效分析（EFA）的能力，进而提高了物理失效分析和IC制程信息反馈的效率和能力。

简介：传统DC/DC变换器建模过程中进行了较多近似且计算量较大。本文对混杂系统的概念和模型作了一个系统的介绍,对其内部结构进行了逐个分析说明,基于混杂系统模型,对Buck型变换器和开关控制器进行建模,可以完整准确地描述Buck变换器的动态过程,全面分析系统稳定性,通过调整控制参数和控制策略,把变换器的连续过程和离散切换过程进行统一控制,完成纹波特性理想的直流开关电源的设计。用MATLAB仿真工具对建立的模型进行验证,给出了从24V到12V的降压变换器的特性仿真曲线,从而证明了这种设计方法的有效性。

简介：大部分并行总线和高速串行总线的区别主要在于发送端和接收端不同的同步方式。由于其很高的复杂性，总线时钟结构成为芯片架构的最主要部分（表1）。

简介：PCB多层板的制作由多张内层芯板压合而成,而影响芯板图形对准的关键因素为各层别芯板的涨缩值。本文阐述了通过建立计量模型预测菲林系数,达到控制和提高压合精准度的研究过程。分别从方法、过程和结果等几方面,对补偿系数控制进行了详细说明。

简介：象硅晶片制造商那样,出现了由PCB制造商所采纳并分工协同来推行这种技术。由于用户对便携性的强烈要求,因而对功率、可维护性、功能特性和重量等方面把电子工业推向到新的时代。这个时代将改变着互连技术的等级(水平),包括硅晶片制造、PCB制造、机架(壳)的屏蔽直至大尺寸芯片所采用的冷却方法。在讨论这些新的要求中,出现了制造商分工协同工作。为了制造先进的半导体互连的金属化要

简介：文章通过匹配Tobin模型等计量模型与最优控制模型．计算不同铜厚要求的印制电路板的电流密度和电镀时间最优水平，进而建立各批印制电路板订单的电流密度和电镀时间的数学模型。并将该模型嵌入公司ERP系统。以提高电镀工作效率。同时达到降低生产成本的目的。

简介：快速哈达马变换在3G无线通信中具有广泛的应用。本文在分析快速哈达马变换算法的基础上提出了两种快速哈达马变换的折叠结构，并分别分析了这两种折叠结构的电路结构、时钟频率要求、资源消耗等因素。最后给出了这两种电路结构在AlteraFPGA上实现的对比情况。

简介：主要介绍了不对称结构刚挠结合板的设计难点，并对相应技术难点，提出了改善方法。

简介：BlackFin是由AD公司和Intel公司共同开发的DSP,采用了一种新型的结构MSA。通过集成业界领先的丰富的系统外设和存储器以及动态电源管理和工业标准接口,BlackfinDSP系列成为下一代需要将RISC式编程、多媒体支持和前沿的信号处理等集成在片内的DSP的选择平台,用户可以快速开发出低成本的解决方案而无需昂贵的外部组件。

简介：随着电子、通讯产业的飞速发展,高频、RF设计越来越广泛,PCB上越来越多的运用到高频材料来满足信号传输的要求。为了满足客户对信号完整性以及信号接收与屏蔽匹配性等的要求,在PCB设计上经常采用混压及设计盲槽等方式,来满足其信号传输速度和灵敏度,但给PCB制造带来了一些其它工艺问题。通过对PTFE材料+热塑性PP金属盲槽流胶、成型板边毛边等关键工艺问题进行探讨,提供一种简单可行的解决方案与同行共勉。

简介：非一致Cache体系结构（NUCA）几乎已经成为未来片上大容量Cache的发展方向。本文指出同构单芯片多处理器的设计主要有多级Cache设计的数据一致性问题，核间通信问题与外部总线效率问题，我们也说明多处理器设计上的相应解决办法。最后给出单核与双核在性能、功耗的比较，以及双核处理器的布局规划图。利用双核处理器，二级Cache控制器与AXI总线控制器等IP提出一个可供设计AXI总线SoC的非一致Cache体系结构平台。

简介：在采用JPEG2000算法的图像压缩芯片结构研究中，我们发现编码(EBCOT)部分的计算结构是相当复杂的。其中率失真计算结构是否合理，直接关系到编码算法的效率。本文着重阐述了完成率失真浮点计算所必需的硬件结构；提出了新型的专用于率失真计算的除法算法及其结构；在保证计算精度和速度的前提下，最大限度地降低了计算结构的复杂度。本论文提出的计算结构已通过RTL级源代码和综合布线后门级仿真，并经过XilinxFPGA测试线路板上运行验证。为确保JEPG2000图像编码芯片的最终成功流片解决了一个关键问题。

简介：本文详细讨论了VDMOS终端保护环结构各部分，即保护环、保护环间隙和场板的作用及设计方法。结合600VVDMOS的外延电阻率和厚度，一种600VVDMOS终端保护环结构被成功设计出来。

简介：本文讲述了一种非对称结构刚挠结合板的制作方法，以12层、5个刚性段分支、2种刚性段厚度的刚挠结合板的制作为范例，突出了前期策划设计（包括叠层设计、工艺流程设计、关键点设计）和制作过程中的难点及控制技巧，积累了制作此类非对称结构刚挠结合板的生产经验。

简介：从全球来看,集成电路产业结构正在进行一次深刻的调整,这次调整具有以下三个特点:1、随着芯片设计、制造、封装三业并起,IC设计业逐渐成为一个新兴的、独立的高技术产业;2、随着芯片集成度的不断增加,IC设计水平越来越成为制约集成电路整个产业发展的瓶颈;3、随着国际产业的调整和中国加入WTO,许多IC制造、封装企业将把重心向发展中国家转

简介：本文设计了一种适用于高清晰数字电视（HDTV）接收芯片的全数字正交幅度调制器（QAM）的均衡器。该均衡器由前馈滤波器、误差判别电路和系数更新电路以及后馈滤波器构成。该均衡器采用了常模算法（CMA）和判决导引最小均方算法（DD-LMS）相结合的算法。重点给出了均衡器的VLSI实现、两种算法间切换的依据、步长的选择以及抽头系数的确定。同时在电路上采用了逻辑简化、重编码、电路时分复用等简化和优化方法来实现性能、面积和功耗的折衷。

简介：本文给出了利用0．18umCMOS工艺设计的5．2GHz低噪声放大器。在1．8V电压下，工作电流为24mA增益为15．8dB噪声系数为1．4dB.

简介：2013年2月16日，国家发改委发布2013年第21号令，针对2011年3月27日国家发展改革委公布的第9号令《产业结构调整指导目录（2011年本）》的有关条款进行了修正。第21号令中指出，为更好地适应转变经济发展方式的需要，根据《国务院关于发布实施〈促进产业结构调整暂行规定〉的决定》（国发[2005]40号），国家发改委同国务院有关部门对《产业结构调整指导目录（2011年本）》有关条目进行了调整，形成了《国家发展改革委关于修改〈产业结构调整指导目录（2011年本）》有关条款的决定》，现予公布，自2013年5月1日起施行。

简介：对于外层挠性金手指有PI增强结构刚挠板,现阶段制作生产效率极低,品质很难管控。对于此类刚挠板的制作,本文开发了一种新的制作工艺,可以节省成本,做至较高成品率。