第五代LDMOS工艺将提高W-CDMA基站的放大器效率

皇家菲利浦电子公司的第五代横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)工艺技术将使得宽带CDMA(W-CDMA)基站能够突破RF功率放大器输出的30％效率壁垒。这项成果比目前采用的CDMA工艺所得到的基站放大器效率高出4％。W-CDMA基站使用上述工艺技术．RF功率放大器的功耗可减小15％以上。