TriQuint的GaN／Si HEMT达到创纪录的功率水平

<正>TriQuintSemiconductor公司的研究人员宣布制造出世界上最大功率的Si衬底AlGaN/GaNHEMT。这种器件10GHz下的连续波输出功率密度达到7W/mm。此结果表明,GaN/Si已发展到对中、大功率晶体管具有吸引力的水平,可望用于X波段功率MMIC甚至更高的频率。