MBE生长的Be掺杂GaAs结构和光学特性研究

本文报道了分子束外延（MBE）生长的Be掺杂GaAs,通过改变Be掺杂源的温度我们得到了不同掺杂浓度的GaAs样品.利用原子力显微镜（AFM）和霍尔测试仪分别对样品的表面形貌和电学特性进行表征.特别的,在低温和随温度变化的光致发光谱中,随着掺杂浓度的增加与Be受主相关的辐射相应地加强.