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《热科学与技术》
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2006年4期
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物性参数对硅单晶Czochralski生长过程的影响
物性参数对硅单晶Czochralski生长过程的影响
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摘要
为了了解硅单晶Czochratski(Cz)法生长时物性参数对熔体流动和氧传输过程的影响,利用有限元法对炉内的传递过程进行了全局数值模拟,假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流,熔体为不可压缩流体.Cz炉外壁温度维持恒定。结果表明:熔体的导热系数及发射率对熔体流动、加热器功率、结晶界面形状、晶体内轴向温度梯度和氧浓度有重要影响,而熔体的密度、黏度系数及熔解热对硅单晶Cz法生长过程影响较小。
DOI
54yyn28x40/483204
作者
李友荣;魏东海;余长军;彭岚;吴双应
机构地区
不详
出处
《热科学与技术》
2006年4期
关键词
传热传质
直拉法
热物性参数
数值模拟
分类
[动力工程及工程热物理][热能工程]
出版日期
2006年04月14日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
热科学与技术
2006年4期
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