简介：线电荷在分层电各向异性介质中激发的电势,是电各向异性介质中无界域泊松方程和拉普拉斯方程的定解问题。主要应用积分变换法求解该定解问题从而求得线电荷在分层电各向异性介质中激发的电势。应用积分变换法求解电各向异性介质中的定解问题,可作为现有求解电各向异性介质中定解问题的补充。在令ε11=ε22=ε33=ε的情况下,所得的结果可适用于电各向同性介质。

简介：1．高考原题（2012福建理综30（4））硼砂是含结晶水的四硼酸钠，其阴离子X^m-（含B、O、H三种元素）的球棍模型如图1所示：

简介：摘要：随着社会经济的不断发展，企业、个人等用电量呈逐渐增加趋势。论文对常见的窃电技术进行归纳总结，发现窃电者主要是通过影响电能计量装置运行来达到窃电目的。基于此，论文对常见窃电技术（欠流法、扩差法 、移相法）进行介绍，从而加强反窃电管理措施及技术操作。设计的反窃电装置可从根本上杜绝窃电问题，具有一定的实用价值。

简介：摘要本研究提出了一种高击穿电压AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（DCBL-HEMT），它具有通过在栅极和漏极之间的钝化层中加入两个负电荷区形成的双电荷区势垒层结构。负电荷的引入可以氟等离子体处理实现。相较于普通钝化层结构和场板结构的晶体管，具有双电荷区阻挡层结构的晶体管沟道中的电子被势垒层中的负电荷耗尽。栅边缘的电场集中得到改善，沟道层出现两个新的的峰值电场，使电场分布更加均匀。双电荷区势垒层结构可以调节沟道层中的电场分布，有效地提高器件的击穿电压。通过sentaurus仿真软件对器件的结构和双电荷区进行优化，最终得到了284V的击穿电压。

简介：【摘要】 基于 TSMC 0.18um RF CMOS工艺实现了一种用于电荷泵型锁相环的快速入锁结构。锁相环为数模混合电路提供稳定可靠的时钟信号，在上电与跳频过程应当越小越好，并且加速锁定过程不应当影响稳态相位噪声。快速入锁结构包括动态环路带宽单元及预置位反馈环，控制电路均采用全数字电路实现。在工作电源 1.8V情况下锁定时间为 1.12us，较传统结构锁定时间提升了 76.7%；整体相噪在稳态保持 -103.1dBc/Hz @1MHz，较传统结构仅上升了 0.3%。因此，快速入锁方案能够有效降低上电启动以及跳频时的锁定时间。

简介：文章使用matlab用户图形界面设计了一个计算和分析PN结空间电荷区宽度的可视化界面.通过分析PN结的形成,从理论上给出空间电荷区宽度的计算公式,讨论了影响空间电荷区宽度的因素,最终得到影响PN结空间电荷区宽度的主要因素为P区和N区的掺杂浓度NA和ND以及外加电压V.

简介：两等量点电荷的连线的中垂线上的场强与电势分别如何变化?两等量点电荷可分为四种情况,两等量的正点电荷、两等量的负点电荷、两等量的异号电荷(一正一负或一负一正),而两等量的正点电荷与两等量的负点电荷情况相似,两等量异号电荷的情况相似,所以分两等量正点电荷和两等量异号电荷(一正一负)两种情况来讨论.1.两等量正点电荷连线的中垂线上的场强与电势

简介：主要研究了干法制备高取代度阳离子淀粉的方法,将玉米原淀粉和适量的碱催化剂在混合容器中混合均匀后,再加入3-氯-2-羟丙基三甲基氯化铵阳离子醚化剂,在温度为60～80℃时,反应5h,用乙醇溶液浸泡、过滤、洗涤、真空干燥,制得高取代度阳离子淀粉,用其作为阴电荷中和剂可提高填料留着率.在造纸过程中具有显著的助留效果,且用量明显减少.

简介：CMOS电荷泵锁相环的应用越来越广泛，这也加强了人们该内容的研究与分析。过去，受各方面技术原因的限制，CMOS电荷泵锁相环在具体应用过程中的能量消耗较大，这对其应用造成了一定的不良影响，而近几年随着各项技术的逐渐成熟，人们加强了对低功耗射频CMOS电荷泵锁相环设计的研究，从而满足低功耗、快速锁定要求。目前，人们在该项内容的研究上已经取得了一定的成绩，但是与期望的标准还存在一定差距。文章研究了一种低功耗射频CMOS电荷泵锁相环的设计。

简介：利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量（totalionizingdose,TID）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层（shallowtrenchisolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

简介：在电学问题中，我们遇到的电荷量分配情况都是两个相同的物体接触，电荷量平均分配，很少出现在不均分的情况下又要通过定量计算来计算电荷量的分配的。下面我们结合一道电学综合题加深对电荷守恒定律的认识。

简介：

简介：中科院近代物理所研制的“320kV高电荷态离子综合研究平台”项目近日通过了专家鉴定．标志着兰州高电荷态离子高压平台技术处于国际领先水平。

简介：绝缘子的表面缺陷会导致表面电荷积聚,使绝缘子表面的电场发生畸变,影响冲击电压下绝缘子的沿面放电.研究了表面电荷对绝缘子沿面放电进程的影响,发现表面电荷积聚可以降低绝缘子沿面放电的起始电压.外施冲击电压的极性与绝缘子表面电荷极性是否相同会影响绝缘子的电晕起始时刻、由流注向先导的转变时间间隔和流注电晕电流.表面电荷对GIS支撑绝缘子的50%冲击闪络电压和伏秒特性也有一定的影响.

简介：设计一种低抖动电荷泵锁相环频率合成器,输出频率为400MHz～1GHz。电路采用电流型电荷泵自举结构消除电荷共享效应,同时实现可编程多种输出电流值。通过具体的频率范围来选择使用的VCO,获得更小的锁相环相位抖动。电路采用0.13μm1.2VCMOS工艺,芯片面积为0.6mm×0.5mm。Hsim后仿真结果显示当输出频率为1GHz时,锁相环频率合成器的锁定时间为4.5μs,功耗为19.6mW,最大周对周抖动为11ps。

简介：若无限长均匀带电直导线（线电荷）与接地平板系统的电场是二维静电场,当求解区域可视为为多边形时,则可应用S-C映射法和电像法为统一模型,求解出线电荷在求解区域所激发的电势。

简介：物理学的美丽，在于看似没有联系的现象却有惊人的相似之处，如万有引力和库仑定律有着相似的数学表达形式．而相似的形式又常常可以得到相似的结论．正由于物理学的这一特点，类比法成为物理解题、研究中广泛使用的方法之一．那么，在形式极为相似的万有引力定律和库仑定律的分别作用下，行星与电荷的运动规律是否可以类比，运动又是否遵守相似甚至一致的规律呢？

简介：求解正负极化电荷在电介质面上分布区域是教和学中的难点，本文给出一个命题，不需要计算就可较简单地确定正负极化电荷在电介质面上的分布区域。

简介：本文针对密立根油滴法测量电荷电量的实验中存在误差过大导致实验结果偏差过大的问题，提出一种辅助该实验的软件方案。该方案能够避免过大的误差，同时合理保留精度允许范围的误差量，较为真实可靠的还原整个实验过程。将该软件改进方案引入实验教学，能够在节约成本的同时改善教学效果、提高教学质量。

简介：根据电荷转移效率的测试原理,基于宇宙射线高能粒子入射对CCD图像的影响,提出了一种基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法,对高能粒子入射产生的12条瞬时亮线进行了计算分析,获得了一致性较好的CCD电荷转移效率.该方法可实时评价电荷耦合器件的在轨性能,对预测CCD成像性能退化情况和使用寿命都具有重要意义.