简介：在近日召开的IEEE国际电子设备会议上，IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果，这将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。

简介：11月3日，三星电子公布了第三代10纳米制程技术（10LPU）的最新细节。三星在今年10月中抢下业界头香、10纳米制程技术率先量产，这使其与台积电的先进制程竞赛如火如荼。

简介：芯片设计软件供应公司微捷码（Magma）设计自动化有限公司于近日宣布微捷码的Talus集成电路实现系统、QuartzSSTA统计分析工具、QuartzDFM（可制造性设计）、QuartzLVS以及SiliconSmartDFM能够通过中国台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）9.0版参考流程进行访问。

简介：

简介：主要介绍了纳米银材料的不同制备方法和表征方法，总结了不同合成条件对纳米银形貌的影响。有化学还原法、光化学还原法、银材料具有不同的光、电、磁和催化性能，出纳米银材料除了用于导电油墨的开发外，成本。电化学还原法和置换法。不同结构的纳米在PCB生产上具有极好的应用前景，特别指作为催化剂代替金属Pd能够有效降低生产成本。

简介：以二水合氯化钯为原料，PVP（聚乙烯吡咯烷酮）为分散剂，抗坏血酸（从）为还原剂，在常温下还原Pd^2＋制备纳米钯。通过激光动态散射法（DSL），透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射仪（XRD）对纳米钯进行了表征分析，结果显示，在PVP分散剂的作用下，得到的纳米钯为粒径8nm～22nm，无其他的氧化物存在。该纳米钯材料可作为化学沉铜的活化液，可以减少沉铜的工艺步骤，经过金相显微镜观测化学镀铜后的孔背光级数均达到10级，通过扫描电镜观察镀铜层表面颗粒均匀、平整。所制备的纳米钯是一种优异的化学镀铜活化剂。

简介：SpansionLLC日前宣布，Fab25工厂～公司在奥斯丁设立的主要生产基地一现在专门用于生产针对无线和其他市场的110纳米浮动门闪存产品。这是Spansion创建以来速度最快的技术升级——从开始产品开发到实现世界级的良品率。

简介：台积电目前推出其最新版本的设计参考流程10．0版，能够进一步降低芯片设计门槛、提升芯片设计精确度、并提高生产良率。此设计参考流程10．0版系台积公司开放创新平台的主要构成要素之一，并能延续其实现更先进设计方法的传统，解决28纳米工艺所面临的新设计挑战，并有多项创新以促成系统级封装设计的应用。

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简介：<正>近日,应用材料公司拓展了其AppliedEnduraAvenirRFPVD系统的应用组合,实现了镍铂合金(NiPt)的沉积,将晶体管触点的制造扩展至22纳米及更小的技术节点。晶体管触点上的高质量镍铂薄膜对于器件性能非常关键,但是在高深宽比(HAR)的轮廓底部沉积材料是一个极大的挑战。为确保触点阻抗的一致性和最佳产品良率,Avenir系统为HAR深达5:1的触孔提供了超过50%

简介：<正>在未来十年左右的时间里,蚀刻在硅基电脑芯片上的电路预计就将变得小无可小,从而促使人们寻找替代品来取代硅基芯片的地位。在使用什么材料作为替代品的问题上,有些研究者正对碳纳米管寄予厚望。近日,斯坦福大学的一个研究团队成功地演示了一个简单的微电子电路,这个电路是由44个完全以丝

简介：碳纳米管和石墨烯等新型碳纳米材料具有优异的电学、光学和力学特性，在柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。从碳纳米材料的制备和器件的构建角度出发，本文介绍了基于碳纳米管和石墨烯的薄膜晶体管器件的最新研究进展。我们将已有碳基薄膜晶体管器件的构建方法分为固相法、液相法和气相法三类，重点讨论和比较了不同方法的技术特点和发展潜力，指出了碳纳米管和石墨烯材料在柔性电子器件领域中可能的实际应用前景和趋势展望。

简介：NEC电子（NECElectronics）和东芝日前宣布，它们将合作开发45纳米CMOS逻辑制造工艺。此外，这两家公司开始讨论全面结盟的可能性，把合作范围扩大至从设计和产品开发一直到产品制造。

简介：日前，意法半导体宣布其在28纳米FD—SOI技术平台的研发上又向前迈出一大步，即将在位于法国Crolles的12寸（300mm）晶圆厂投产该制程技术，这证明了意法半导体以28纳米技术节点提供平面全耗尽技术的能力。

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简介：纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术,近年来,越来越受到世界各国的重视.本文主要介绍纳米光电子学的基本概念,发展模式,纳米光电子器件的最新进展和发展趋势.

简介：喷墨打印加成法制造电路板，可明显改善传统减成法效率低、成本高、污染重等缺点，因而受到业内广泛关注。该方法所使用的新型功能材料纳米银导电油墨，因具有烧结温度低、导电性能好等优点，近年来成为全球电子油墨行业的研发热点之一。文章详细介绍了纳米银油墨在印制电子产品电路制作领域的应用，并对喷印纳米金属油墨的技术要求、纳米银油墨的特点及主要不足进行了评述，重点展示了全球纳米银油墨的产品开发动态，同时对新型喷印纳米金属油墨的制备与研发提出了一些建议。

简介：上海2016年2月16日电/--中芯国际集成电路制造有限公司（简称＂中芯国际＂）,与大唐电信科技产业集团旗下联芯科技有限公司（简称＂联芯科技＂）,近日共同宣布,中芯国际28纳米高介电常数金属闸极（HKMG）制程已成功流片,基于此平台,联芯科技推出适用于智能手机等领域的28纳米SoC芯片,包括高性能应用处理器和移动基带功能,目前已通过验证,准备进入量产阶段。

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简介：英特尔（Intel）宣布将在2017年底之前启动全新22纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程22FFL，相关开发套件（PDK）在接下来几个月也将陆续到位，市场上认为22FFL的推出，显然是针对GlobalFoundries等业者以绝缘上覆硅（FD-SOI）为移动装置及物联网（10T）应用所生产之同类芯片而来。据EETimesAsia报导，英特尔称自家22FFL是市场上首款为低功耗loT应用及移动装置产品而开发出来的FinFET技术，能打造出高效能及低功耗的晶体管，