简介:医疗仪器、焊机和等离子切割机用电源的市场在不断扩大,这些设备工作在20~50kHZ或更高的高频范围。本文讲述了近来开发的、用于这一高频领域的IGBT模块的设计理念。由于在这些应用中工作频段为高频范围,因此器件的开关损耗(开通、关断以及反向恢复损耗)是主要的功耗。通过降低背P+层载流子密度(注**-见正文),减小IGBT芯片中元胞的重复步距,并优化IGBT/FWD通态电压与开关损耗之间的折衷关系,可以得到更低的开关损耗。因而,这种新开发的IGBT模块的总功耗比标准IGBT模块(第5代系列)降低了25%。使用这种模块,能进一步提高效率、实现系统的小型化。
简介:本文以全桥电路为主题,介绍其电路的工作原理及在实际应用中一些典型的失效案例分析。
简介:<正>三菱电气公司的一种可高频工作且性能先进的收发开关将为5GHz无线局域网提供频率保障。该公司创造了一种新的晶体管结构,并将这些晶体管用于串联和并联开关电路。这些晶体管采用硅CMOS工艺,以使它们适应高频工作。工程技术人员采用0.18μm工艺制作出耗尽层延伸晶体管(DET),再把这些器件用于串联和并联开关电路。所做出的开关的插损为1.4dB,5GHz下插入发射损耗为28%,隔离25dB,信号泄漏0.3%,最大容许功率11.2dBm,约13mW。比较而言,5GHz局域网要求的插损低于1.5dB,隔离20dB以上。与GaAs产品不一样,Si集成电路的成本低,工程技术人员制造Si高频集成电路所用的成本只有GaAs集成电路成本的一半。为了改善性能,他们将采用最佳电路设计。松下公司将在2~3年内开发5GHz带宽单芯片高频集成电路并推向市场,其中包括高频收发开关。