简介:对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。
简介:建立了燃耗耦合计算方法,并用基准题对其进行了验证。利用传统核数据库和高能数据库计算了热功率为1000MW的ADS堆芯在不同燃耗下的有效增殖因数keff、有外源的有效增殖因数keff,s、质子束流强度Ip、MA核素的嬗变率及嬗变支持比。结果表明:传统核数据库和高能核数据库下计算的keff间的最大偏差及keff,s间的最大偏差均约为1%;传统核数据库下,Ip每300d平均增加7mA,MA核素的嬗变率为29.9%,嬗变支持比为36.7,能核数据库下对应的Ip为8mA,MA核素的嬗变率为30.5%,嬗变支持比为37.3。这说明高能核数据库对MA核素嬗变物理参数的影响与传统核数据库的影响基本相当。
简介:絮凝微滤组合(简称CMF工艺)是我所开发出的含锕系元素废水处理优良工艺,并对^241Am,^238U,^235U,^239Pu废水处理中得到应用。同时开展了膜分离技术处理含裂变核素废水的实验研究。在上述研究成果及已建立的固定装置基础上,研发小型化可移动式放射性废水处理装置。可移动式废水处理系统可对含^238U,^239Pu,^241Am低放废水及含裂片核素(主要为^90Sr、^137Cs)低放废水(放射性总活度小于4×10^4Bq/L、总固体含量小于10mg/L)进行处理,处理能力0.5m^3/h,每次处理水量不大于100m^3,