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40 个结果
  • 简介:摘要:随着互联网快速发展,服务于消费领域的网络技术已经难以很好满足当前网络发展需求。与此同时,国家正在大力推进IPv6的部署与应用。这这样的背景之下,SRv6技术的出现变得格外引人注目。本文将通过对SRv6技术的介绍,从部署方案和应用场景两个方面提出见解,为即将到来的SRv6规模应用提供建议。

  • 标签: SRv6 广域网 新业务
  • 简介:Withtheadventoflarge-scaleandhigh-speedIPv6networktechnology,aneffectivemulti-pointtrafficsamplingisbecominganecessity.Adistributedmulti-pointtrafficsamplingmethodthatprovidesanaccurateandefficientsolutiontomeasureIPv6trafficisproposed.TheproposedmethodistosampleIPv6trafficbasedontheanalysisofbitrandomnessofeachbyteinthepacketheader.Itoffersawaytoconsistentlyselectthesamesubsetofpacketsateachmeasurementpoint,whichsatisfiestherequirementofthedistributedmulti-pointmeasurement.Finally,usingrealIPv6traffictraces,theconclusionthatthesampledtrafficdatahaveagooduniformitythatsatisfiestherequirementofsamplingrandomnessandcancorrectlyreflectthepacketsizedistributionoffullpackettraceisproved.

  • 标签: 网络管理 分布式采样测量法 IPV6 香农熵 网络能量
  • 简介:作者勃勃赵赵名人访谈努力促进中国电子封装事业繁荣发展快速反应、真诚务实是华天发展的法宝期(页)五(1)六(1)专家论坛电子封装技术的新进展新型微电子封装技术知识经济下的管理变革与创新NewICPaekage,assemblytechniquebymeansofa“blind”Alignment“fliP一ehiP”methodandassemblingfaeilities张蜀平高尚通文」逸明郑宏宇杨克武钱枫林VladimirV.Novikov一(3)一(10)三(1)四(1)Top企业报道瑞萨;加强中国市场的整体统一管理战略瑞萨的Slp(Solution

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  • 简介:随着电子产品越来越朝着短、小、轻、薄等趋势发展,电子产品越来越容易受到EsD静电的侵袭,为了更好地服务中国SMT电子制造企业,解决企业所受的ESD静电困扰难题,我刊特联合工业与信息化部电子行业职业技能鉴定工作站ESD静电防护中心将连载SMT组装生产中常用的ESD静电防护问题集锦,供行业人士参考。并借此栏目抛砖引玉,希望得到广大行业人士长期的支持集思广益,欢迎广大行业人士向刊投稿或者提出宝贵意见。

  • 标签: 静电防护 组装生产 ESD SMT 电子行业 电子产品
  • 简介:IPv4在设计之初并没有考虑到终端设备的移动性,所以连网设备移动时需要从互联网上断开,而在另外一个地方重新连接时,还需要重新配置系统的新的IP地址、正确的子网掩码和新的默认路由器(网关)才能继续通信。

  • 标签: 移动IPV4 移动IPV6 优势 技术 终端设备 IP地址
  • 简介:Becauseofrapiddevelopmentinnetworktechnology,Internetusagehasbecomewidespread.Itallowsuserswithsensingdevicestoobtainmedicaldataforhealthcare,suchasphysiologicalsignals,voice,andvideostreamsfromtelemedicinesystems,andtosendthehealthcaredatatoback-enddatabasesystems,creatingaubiquitoushealthcareenvironment.However,thisenvironmentrequiresawidespreadandsuitablenetwork.IPv6(Internetprotocolversion6)isthenext-generationInternetprotocolthatwillbetheprotocoloffuturenetworks;itimprovesmanyshortcomingsofIPv4.Inthispaper,weproposeanIPv6/IPv4U-home-caretestsystemandanalyzethenetwork’sparametersthoughaseriesoftestsbyadjustingnetworkparameterstofindtheoptimaldesignforapplicationsintheIPv6/IPv4U-home-careservicesoastoassuregoodperformanceandhighquality.

  • 标签: IPV6网络 性能评估 家庭护理 IPV4 下一代互联网协议 服务
  • 简介:Electricallypumpedhighpowerterahertz(THz)emittersthatoperatedaboveroomtemperatureinapulsemodewerefabricatedfromnitrogen-dopedn-type6H-SiC.Theemissionspectrahadpeakscenteredon5THzand12THz(20meVand50meV)thatwereattributedtoradiativetransitionsofexcitonsboundtonitrogendonorimpurities.Duetotherelativelydeepbindingenergiesofthenitrogendonors,above100meV,andthehighthermalconductivityoftheSiCsubstrates,theTHzoutputpowerandoperatingtemperatureweresignificantlyhigherthanpreviousdopantbasedemitters.Withpeakappliedcurrentsofafewamperes,andatopsurfaceareaof1mm2,thedeviceemittedupto0.5mWatliquidnitrogentemperature(77K),andtensofmicrowattsupto333K.ThisresultisthehighesttemperatureofTHzemissionreportedfromimpuritybasedemitters.

  • 标签: 太赫兹 发射器 氮掺杂 高功率 6H碳化硅 室温
  • 简介:采用物理气相传输(PVT)工艺,成功制备出3英寸高纯半绝缘(HPSI)6H-SiC单晶。依据氮在碳化硅晶格中占碳位的规律,通过生长过程温度和压力等工艺参数的优化,减少生长前沿碳空位的数量,实现了在较高碳硅比气氛下低氮含量碳化硅单晶生长的目标。二次离子质谱(SIMS)测试给出了晶体中氮及其他杂质的控制水平,证明单晶的高纯属性;非接触电阻率Mapping(CORE-MA)和电子顺磁共振(EPR)测试进一步证实其高纯半绝缘特性。

  • 标签: 3英寸6H-SiC 物理气相传输法 高纯半绝缘 氮掺杂 碳空位
  • 简介:为商业和企业印刷用户提供数字成像和打印管理解决方案的开发商EFI公司将在2005年5月北京CHINAPRINT展会上展出其新一代Fiery系统6的强大功能。全新的Fiery解决方案将为上至要求最严格的生产级商业打印,下至中型及入门级生产型色彩环境带来卓越性能,工作流控制、高质量色彩管理及可变数据打印(VDP)支持的终极体验,

  • 标签: SYSTEM 质量标准 彩色打印 性能 解决方案 CHINA
  • 简介:意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM5×6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。

  • 标签: MOSFET管 微型封装 功率密度 汽车系统 散热 双面
  • 简介:因特网已成为全球最大的信息基础设施,在全球宽带化、移动化、IP化、融合化、个性化大潮中,IPv6的海量地址支持及改进的业务解析能力与PeertoPeer(P2P)对等互联及有效宽带资源共享传送能力相组合,可以期望将会对开启未来信息通信网络新时代做出新的贡献!

  • 标签: 宽带网络 IPV6 P2P 信息基础设施 信息通信网络 解析能力
  • 简介:国务院常务会议昨日审议并原则通过电子信息产业调整振兴规划,其中最引人关注的是,国家将加大投入,集中力量实施六大重点工程,以重大工程带动技术突破。值得注意的是,重大投资项目和政府采购可能对国产产品采取更支持的态度。

  • 标签: 电子信息产业 工程 规划 国务院常务会议 产业调整 国产产品
  • 简介:Anultrahighvacuumchemicalvapordeposition(UHV/CVD)systemisintroduced.SiGealloysandSiGe/Simultiplequantumwells(MQWs)havebeengrownbycold-wallUHV/CVDusingdisilane(Si2H6)andgermane(GeH4)asthereactantgasesonSi(100)substrates.ThegrowthrateandGecontentsinSiGealloysarestudiedatdifferenttemperatureanddifferentgasflow.ThegrowthrateofSiGealloyisdecreasedwiththeincreaseofGeH4flowathightemperature.X-raydiffractionmeasurementshowsthatSiGe/SiMQWshavegoodcrystallinity,sharpinterfaceanduniformity.Nodislocationisfoundintheobservationoftransmissionelectronmicroscopy(TEM)ofSiGe/SiMQWs.TheaveragedeviationofthethicknessandthefractionofGeinsingleSiGealloysampleare3.31%and2.01%,respectively.

  • 标签: GESI 量子阱 UHV/CVD 透射电子显微镜
  • 简介:文章首先分析了静态随机存储器(SRAM)6T存储单元结构的基本工作原理,总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声容限(SNM)。在此基础上给出了一种基于实际深亚微米CMOS工艺的存储单元的设计方法,该方法的优势在于首先考虑单个读、写操作的限制,然后将多个限制因素综合在一起考虑,并通过三维曲线图形为仿真提供指导,以提高设计效率,缩短设计周期。最后给出了存储单元的晶体管参数并采用Hspice进行验证,仿真结果表明,采用这种方法设计出来的单元是稳定可靠的。

  • 标签: 静态随机存储器 深亚微米 6T单元 静态噪声容限 仿真
  • 简介:<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出六款采用小尺寸、超薄、表面贴装SMF(DO-219AB)eSMP封装的新款整流器。这些器件通过AEC-Q101认证,正向电流为1A和2A,具有低正向压降和漏电流,在汽车应用里可减少功率损耗,提高效率。今天推出的器件包括一个标准整流器、三个肖特基势垒整流器和两个超快FREDPt整流器,可用于引擎控制单元(ECU)、防抱死系统(ABS)和LED照明

  • 标签: VISHAY 防抱死系统 肖特基势垒 标准认证 正向电流 正向压降
  • 简介:研究表明含氟气体的性质决定了原子氟(F)的转化效率,通常在CxFy气体中x的值越大,氟(F)的转化效率也就会越高。所以C3F8(八氟丙烷)比C2F6(乙氟烷)具有更高的利用效率,更少的PFC(全氟化物)的排放。文章主要研究在以四乙氧基硅烷(TOES)为基础的离子增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)的清洗制程中,利用分解效率高的C3F8气体取代C2F6气体。通过实验设计(DesignOfExperiment,DOE),调整腔体压力、射频(RF)功率、气体流量等参数,最终得到最优化的新清洗配方。应用到实际的量产中,有效地降低了成本,减少了PFC的排放。

  • 标签: C2F6 C3F8 全氟化物
  • 简介:根据易观<2004中国手机游戏市场焦点报告>显示,2003年移动数据增值业务SP整体市场规模约为37.33亿元人民币,预计2004年SP整体市场规模将达到50亿元人民币.2004年整体手机游戏市场规模将接近6亿元人民币,基于WAP、JAVA/BREW等技术平台的手机游戏市场规模将呈现几何增长态势,预计超过1亿元人民币.

  • 标签: 市场规模 2004年 中国 手机游戏
  • 简介:UsingdoublecrystalX-raysdiffraction(DCXRD)andatomicforcemicroscopy(AFM),theresultsofGexSi1-xgrownUHV/CVDfromSi2H6andSiH4areanalyzedandcompared.Adsorbatescanmigratetotheenergy-favoringpositionduetotheslowgrowthratefromSiH4.Inthiscase,aSibufferthatisolatestheeffectofsubstrateonepilayercouldnotbegrown,whichresultsinapitpenetratingintoepilayerandbuffer.TheFWHMis0.055°inDCXRDfromSiH4.Thepresenceofdiffractionfringesisanindicationofanexcellentcrystallinequality,TheroughnessofthesurfaceisimprovedifgrownbySi2H6:however,thecrystalqualityoftheGex2Si1-xmaterialbecameworsethanthatfromSiH4duetomuchlargergrowthratefromSi2H6.ThecontentofGeisobtainedfromDCXRD,whichindicatesthegrowthratefromSi2H6islargest,thenGeH4andthatfromSiH4isleast.

  • 标签: 硅化锗 半导体材料 化学气相沉积