简介:阳极杆箍缩二极管产生的X射线焦斑小,达亚mm量级,且焦斑位置稳定,是一种理想的闪光X射线照相加速器二极管.但是,由于其工作阻抗较高(约40~60Ω),导致无法与大电流低阻抗的脉冲功率源匹配.通过预先向二极管中注入等离子体,可以降低二极管最初工作阶段的阻抗,实现与低阻抗驱动源的匹配.预充等离子体的密度直接影响二极管的工作状态,特别是对等离子体鞘层和空间电荷限制流的形成具有较大影响.采用理论分析和数值模拟相结合的方法,对预充等离子体阳极杆箍缩二极管的工作过程和等离子体密度对二极管的电子束箍缩特性进行了分析,结合“剑光一号”加速器水线输出参数(峰值电压为1MV),给出了合适的预充等离子体的密度范围为1015~1016cm-3.
简介:测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现:ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体(晶粒内)的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。
简介:采用对称性破损态方法结合密度泛函理论,选用反铁磁双核配合物[Cu2(MMBPT)2Cl4(H2O)2.5](MMBPT=3-甲基-4-对甲基苯基-5-(2-吡啶)-1,2,4-三唑)作为研究对象,通过与实验数据相比较,探讨了不同密度泛函方法与基组对计算铜配合物交换耦合常数的准确度.结果表明,4种混合密度泛函DFT(B3LYP,B3P86,B3PW91和PBE0)的计算结果都能和实验所观察到的值-31cm-1符号一致,但只有B3PW91方法得到的结果和实验结果吻合程度最好,同时采用方法B3PW91方法计算所得的交换耦合常数Jab对基组的依赖性较大.研究表明,2个Cu(Ⅱ)离子之间弱的反铁磁相互作用主要源于单占据分子轨道SOMOs小的能量劈裂.
简介:标题化合物(C30H35N3)以4-甲基苯甲醛、环十二酮和3-甲基-1-苯基-1H-吡唑-5-胺,在三氟乙酸和醋酸的作用下,经微波辐射合成得到.其结构通过单晶X射线衍射法确定,晶体属单斜晶系,空间群P21/c,相对分子质量Mr=437.61,晶胞参数a=1.08926(11)nm,b=2.1927(2)nm,c=1.04954(14)nm,V=2.4641(5)nm3,Z=4,晶胞密度Dc=1.180g/m3,吸收系数μ=0.069mm-1,单胞中电子的数目F(000)=944.晶体结构用直接法解出,经全矩阵最小二乘法对原子参数进行修正,最终的偏离因子为R=0.0468,ωR=0.0905.在晶体结构中新形成的吡啶环为共平面结构.