简介:通过第一性原理的密度泛函理论,研究Cl^-离子在Al(100)表面的吸附行为,获得了不同覆盖度下Cl^-离子在Al(100)表面吸附后的能量、结构参数和电子特性。计算结果表明,Cl^-离子在Al(100)表面的顶位(T)和桥位(B)的吸附较稳定,而洞位(H)是能量上最不稳定的吸附位,吸附能随着覆盖度的增大而减小。同时,表面吸附Cl^-离子,还引起靠近表面的多层Al原子发生不同程度的收缩;随着覆盖度的增加,被吸附的Cl^-离子之间的距离变短,使得它们之间的静电排斥和静电能增大,并导致表面吸附能和吸附的Cl^-离子与最外层Al原子间的垂直距离逐渐减小。通过对清洁的Al(100)表面及Cl^-离子在不同位置的吸附表面的态密度分析,得到如下结论:Cl^-离子在Al(100)表面的吸附主要是由于Cl^-的2s和2p轨道与基底金属的3p轨道相互作用的结果。
简介:采用熔体快淬法制备FeSiAl快淬带料;利用行星式高能球磨工艺进行扁平化处理;使用真空管式炉进行氢还原退火处理;采用SEM、PPMS表征试样的形貌及室温磁滞回线;使用矢量网络分析仪测量试样在10~100MHz频段的复磁导率;采用抗干扰性能测试系统测量表征磁片抗干扰的标签读写距离;研究影响FeSiAl粉体材料磁性能的主要因素,并分析了其作用机理。结果表明,采用高低速两步法高能球磨处理,能有效提高薄片状FeSiAl材料的径厚比;氢还原退火处理能有效提高饱和磁化强度和磁导率,降低矫顽力和磁损耗;制备的片状FeSiAl材料在13.56MHz频率附近具有优异的近场通信抗电磁干扰性能。