简介：半导体照明LED及其应用产业化;优化GaN基发光二极管的电极;用于制备硅LED的太阳能电池技术;采用半导制冷的集成大功率LED.

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简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：发光二极管(LED)具有非常广泛的用途,光子晶体(PC)是一种新概念和新材料,采用PC的LED则大大提高了光输出效率,是一种很有发展前途的LED器件,已成为目前国内外研究的热点.本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件.

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简介：摘要半导体二极管在许多的电路中起着重要的作用，

简介：用GUMMEL提出的一种非耦合算法对一维PN结二极管进行数值模拟，数值计算中采用有限差分结合解三对角矩阵的方法，通过对电场和电势的计算，得到了正偏、反偏和零偏置情况下电场、电势分布．收敛速度和计算的精确程度较普通算法有了一定的提高，为下一步射频二极管非稳态模拟奠定了基础．

简介：以二极管注射模为例,分析了放镶件注射模设计的重点与难点,介绍了塑件成型工艺、浇注系统和模具结构的设计技巧。

简介：改革开放之初，两位友人分赴日本和英国进修GTO晶闸管在传动中的应用。大约一年后，他们先后给留守国内的笔者来信，言及回国后想大干一场的志向。其中，他们不约而同地希望我帮助在国内寻找GTO应用所需要的配套元器件。在其中，又不约而同地列有“快导通二极管”一项，问我什么是“快导通二极管”?请我向他们解释一下。

简介：美国能源部(DOE)最近向新泽西州的Universal显示器公司(UDC)提供研究资金，以推进有机发光二极管(OLED)的研发。OLED是更为省能的光源，因为与目前使用的具有100多年历史的传统光源相比，OLED伴生的热量较少，而且可以在低得多的电压下工作。DOE提供的数据表明，如果到2025年美国能全部采用固态光源照明，每年节约的能源费用可能超过250亿美元。UDC的一个开发项目是高照度效率的白磷OLED，采用新技术来进一步降低光源的工作电压，其商品名为Pholed。

简介：今发光二极管使用得越来越普遍了,从最近得来的信悉,紫外发光二极管配上荧光粉后,将紫外线转变为可见光,其发光效率可接近100lm/w,真可谓变幻莫测,前途无量.为了使读者在应用发光二极管作二次开发产品时有所帮助,本篇收集了有关发光二极管应用时必须知道的一些资料,如:特性和参数,列出其应用方法,帮助对该产品有一个粗浅的了解,便于入门.

简介：从静电放电（ESD）导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因。结果表明：功率肖特基二极管由于需要生长SiO2作P^＋扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各种原因（例如Si表面的微缺陷、刻蚀不干净等）残留少量或极少量SiO2,从而在肖特基二极管中引入对ESD敏感的金属氧化半导体（MOS）电容结构,造成器件的抗静电能力大幅下降。该研究结果对肖特基二极管生产、使用以及失效分析具有重要指导意义。

简介：介绍肖特基二极管的结构特点和最新发展动向及应用。

简介：产品简介：RGB程序二极管灯是在可见光谱范围内经高光电技术产生的一种光源。照明灯罩是由一种特殊的铝面制成，目的是合理地散发热量。灯运用了次光学原理。

简介：本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管（FRD）的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力，介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案，以及晶闸管企业研制FRD需要配置的硬件条件等。

简介：发光二极管（LED）灯具工作结温是产品性能的重要性能指标，工作结温直接影响到LED灯具的使用寿命，但目前国内在这方面标准的制订相对落后。通过对LED灯具工作结温检测原理的介绍，阐述了LED实验室采用的检测方法及检测过程，并应用于LED灯具的设计开发中。

简介：摘要PN结在正向和反向偏置状态下的压降受温度影响结果相反，当正向偏置的PN结随温度升高而压降增大时，反向偏置的PN结压降则下降，这样一个压降增大,另一个减小，相互抵消,使两个PN结压降之和基本不变，达到温度补偿的目的。

简介：伏安法测二极管特性,可根据测试电路的正确选择,减小系统误差,提高测量的准确度。