简介：

简介：<正>随着设计变得越来越复杂,工程师不断寻找更新的半导体材料。氮化镓(GaN)材料自从多年前开始被IEEE国际微波研讨会等重要会议视为一大趋势后,近年来已经逐渐稳定立足于RF/微波应用。接下来,氮化镓将应用在哪些方面?它存在哪些局限?未来又将带来哪些可能性?为了回答这些问题,咨询了GaNSystems、宜普电源转换公司(EfficientPowerConversion;EPC)、TriQuintSemiconductor、MACOM与ElementSix等公司的研发团队。

简介：ThinheavilyMg-dopedInGaNandGaNcompoundcontactlayerisusedtoformNi/AuOhmiccontacttop-GaN.ThegrowthconditionsofthecompoundcontactlayeranditseffectontheperformanceofNi/AuOhmiccontacttop-GaNareinvestigated.Itisconfirmedthatthespecificcontactresistivitycanbelowerednearlytwoordersbyoptimizingthegrowthconditionsofcompoundcontactlayer.WhentheflowrateratiobetweenMgandGagassourcesofp++-InGaNlayeris10.6%andthethicknessofp++-InGaNlayeris3nm,thelowestspecificcontactresistivityof3.98×10-5?·cm2isachieved.Inaddition,theexperimentalresultsindicatethatthespecificcontactresistivitycanbefurtherloweredto1.07×10-7?·cm2byoptimizingthealloyingannealingtemperatureto520℃.

简介：AsimpleandeffectiveapproachtoimprovetheswitchingcharacteristicsofAlGaN/AlN/GaNheterostructurefieldeffecttransistors(HFETs)byapplyingavoltagebiasonthesubstrateispresented.Withtheincreaseofthesubstratebias,theOFF-statedraincurrentismuchreducedandtheON-statecurrentkeepsconstant.BoththeON/OFFcurrentratioandthesubthresholdswingaredemonstratedtobegreatlyimproved.Withthethinnedsubstrate,theimprovementoftheswitchingcharacteristicswiththesubstratebiasisfoundtobeevengreater.TheaboveimprovementsoftheswitchingcharacteristicsareattributedtotheinteractionbetweenthesubstratebiasinducedelectricalfieldandthebulktrapsintheGaNbufferlayer,whichreducestheconductivityoftheGaNbufferlayer.

简介：本文采用GaN功率管芯,以S参数为基础设计了一个X波段宽带功率放大器,并与实测数据进行了对比。结果表明该电路在6~12GHz范围内,小信号增益全频段大于10dB,饱和输出功率高于37dBm,带内增益波动小于1dB。

简介：Ⅲ族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系，在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年，以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展，形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视，形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状，分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题；然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态，包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状，电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势，并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。

简介：利用MOCVD技术，分别在图形化蓝宝石衬底（PSS）、沉积有AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-A）和经过选择性刻蚀掉部分AlN的AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-E）上外延生长GaN。在高倍金相显微镜下面观察了生长的表面形貌，利用AFM测量了外延片表面的粗糙度，对比分析了三种样品（002）面和（102）面XRD的FWHM，然后对三个样品切片，SEM观察了三种样品的剖面图，最终将三种样品衬底的外延片制备成相同产品，对比分析了样品的LED芯片的光电参数。

简介：轧了射出二极管(LEDs)，薄AlInN层在堵住层(EBL)的电子前面插入了的基于的蓝光试验性地被学习。插入薄EBL能改进轻产量力量并且减少效率，这被发现与常规AlGaN对应物相比低垂。基于数字模拟和分析，当薄AlInN层被使用时，电、光的特征上的改进主要被归因于电子漏电流的减小，它在量井(QW)增加搬运人的集中。

简介：

简介：Thedegradationmechanismofenhancement-modeAlGaN/GaNhighelectronmobilitytransistors(HEMTs)fabricatedbyfluorineplasmaionimplantationtechnologyisonemajorconcernofHEMT’sreliability.Itisobservedthatthethresholdvoltageshowsasignificantnegativeshiftduringthetypicallong-termon-stategateoverdrivestress.Thedegradationdoesnotoriginatefromthepresenceofas-growntrapsintheAlGaNbarrierlayerorthegeneratedtrapsduringfluorineionimplantationprocess.Bycomparingtherelationshipsbetweentheshiftofthresholdvoltageandthecumulativeinjectedelectronsunderdifferentstressconditions,agoodagreementisobserved.Itprovidesdirectexperimentalevidencetosupporttheimpactionizationphysicalmodel,inwhichthedegradationofE-modeHEMTsundergateoverdrivestresscanbeexplainedbytheionizationoffluorineionsintheAlGaNbarrierlayerbyelectronsinjectedfrom2DEGchannel.Furthermore,ourresultsshowthattherearefewnewtrapsgeneratedintheAlGaNbarrierlayerduringthegateoverdrivestress,andtheionizedfluorineionscannotrecapturetheelectrons.