简介:用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n=20,30)周期多层膜,利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质,样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t=1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构,探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。
简介:摘 要:随着信息时代的不断发展和科技的不断进步,电子学在社会的生产发展的作用越来越大,其与各学科的技术联系也逐渐紧密起来。由此,也开始出现了许多与其相关的电子学科名称,诸如超导体和电子学等。目前,基于电子相关的科学理论已经有力地产生了一个新的电子学科名称--磁电子学科。一九八八年法国多位学者第一次成功发现,自旋极化输运过程相关的百分比占到五十以上 的巨磁电阻(GMR)在Fe/Cr多层磁性超晶格内之后,使得整个电子学科出现了一个新的跨越性技术发展。而巨磁超导电阻的研究发现,在整个现代人类历史社会中,都有着一个极其重要的作用,无论是在电子相关科学技术应用领域内,还是电子物理学以及相关电子技术应用范围内,都已经产生着重要的社会影响,目前,整个人类社会根据这样的科学原理,已经逐渐逐步开始探究研发和生产设计具有相关物理概念的新型电子应用设备和元器件,从而为整个电子世界的技术发展进步做出了重要性的贡献。
简介:摘要:碳化硅非线性电阻作为发电机灭磁的先进技术,被广泛应用于大、中型发电机设备中。碳化硅灭磁电阻目前主要依赖于进口,且进口碳化硅灭磁电阻价格较高。基于此,本文深入阐述国产碳化硅创新研究成果,并探索与氧化锌非线性灭磁电阻组合应用技术。本文在对常规灭磁电阻技术进行比较基础上,阐释碳化硅非线性灭磁电阻技术本质和技术优势,并寻求国产碳化硅非线性灭磁电阻技术的应用路径。研究旨在通过国产碳化硅灭磁技术的创新和应用,推动我国非线性灭磁电阻技术水平的提升,为实现工业民族自信贡献绵薄之力。
简介:LaPorta(2002)提出了LLSV模型,本文优化后的LLSV模型可以更好地分析在金字塔股权结构之下最终控制人的隧道行为,并结合现实提出若干假说。然后对假说进行实证检验分析。最后通过Logistic回归,研究何种特征的大股东与最终控制人,较容易导致何种隧道行为,并提出相关建议。