简介：

简介：摘要：DDJ肖特基芯片属于高新成果转化项目，主要目的是为了通过核心技术突破，实现产品的性能提升，以此进行科学研究和技术开发。对于技术成果而言，后续还需对其进行试验、开发、应用，后期结合推广工作进行新产品和新工艺产业的发展。肖特基二极管具有正向压降低和高速开关的优点，所以会被广泛应用在高频开关场合中。当前肖特基二极管不仅被应用在各大数码产品中，还被应用在军用设备当中。为了满足高效率的电源需求，肖特基二极管起到了决定性作用。

简介：摘要：肖特基芯片的研发需要应用较多的关键技术，需要提高芯片的设计水平，使其能够表现出良好的性能。基于此，本文对TD肖特基芯片的特点，先从正向压降、工作频率、反向耐压、双面结构及小型化封装等性能、结构方面进行分析；再进行TD肖特基芯片的关键技术介绍；最后，从市场前景、产品竞争力、技术心得等方面对TD肖特基芯片案例进行分析，确定TD肖特基芯片开发的重要意义。

简介：从静电放电（ESD）导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因。结果表明：功率肖特基二极管由于需要生长SiO2作P^＋扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各种原因（例如Si表面的微缺陷、刻蚀不干净等）残留少量或极少量SiO2,从而在肖特基二极管中引入对ESD敏感的金属氧化半导体（MOS）电容结构,造成器件的抗静电能力大幅下降。该研究结果对肖特基二极管生产、使用以及失效分析具有重要指导意义。

简介：介绍肖特基二极管的结构特点和最新发展动向及应用。

简介：摘要： 本文从势垒溅射工艺、势垒形成工艺和粗铝丝键合技术方面设计了高压大功率肖特基二极管。

简介：摘要：肖特基二极管作为一种重要的功率二极管，广泛应用于电力电子线路的整流器和直流转换器中。宽禁带半导体材料氧化镓（Ga2O3）由于其拥有超大的禁带宽度，高击穿场强，可调的n型掺杂浓度和低成本的单晶生长技术，因而非常适合制作功率肖特基二极管。但是目前氧化镓的研究还处于初期，更大尺寸高质量单晶材料的制备、器件结构和工艺的优化等重要问题仍需探索并解决。本文通过统计、分析氧化镓肖特基二极管的中国专利申请，梳理了其研究进展。

简介：使用分子束外延（MBE）技术生长Be掺杂的GaAs膜层,在此基础上,制备Au/GaAsSchottky二极管.另外,在Au与GaAs之间用原子层沉积技术（ALD）插入一层MgO绝缘层,研究不同掺杂浓度的GaAs对势垒高度及影响因子的影响,实验结果表明,Au/MgO/GaAs结构的肖特基势垒,随着掺杂浓度的升高而增大,影响因子呈现先降低后增加的趋势.

简介：摘要：芯片是高新技术产业发展中一项非常重要的内容，以高新技术为基础对新型电子元器件进行研发，能够为促进我国的电子信息技术发展起到良好的作用。ISFBR型肖特基芯片具有创新结构的电子元器件，更适合应用需求，符合当前我国高新技术成果转化发展要求的项目。本文以ISFBR型肖特基芯片为主要研究对象，着重对ISFBR型肖特基芯片开发的关键技术及设计进行了研究和分析。

简介：Zetex半导体公司近日推出一款新型肖特基势垒二极管——ZLLS350。该器件在30V下的典型及最大逆向电流分别为1μA和4μA，有助延长充电器和发光二极管（LED）驱动器等多种应用系统的电池寿命。

简介：

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

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简介：开关型电源(SMPS)在通常便携式计算机中占总重量的10%以上,因此,厂商们致力于提高功率密度和效率。为减小尺寸和重量,目前有三种方法:①减小总功耗,以减小冷却部件(散热片或风扇)。②提高开关频率,以减小无源元件尺寸和减小用来降低噪音的EMI滤波器尺寸。③选用SiC肖特基二极管,

简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管"RBE系列"。本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些

简介：摘要：本文以碳化硅肖特基芯片展开分析，通过对现有碳化硅肖特基芯片结构分析，提出了新型结构的复合沟槽结构的碳化硅肖特芯片结构，完成其具有的新结构的设计分析和该芯片关键技术的分析，并对该芯片当前市场发展前景进行阐述，确保该芯片能够顺利投入到市场中，有效促进公司经营效益，推动该公司可持续发展。

简介：摘要： 肖特基二极管管芯作为一种重要的功率二极管管芯，广泛应用于电力电子线路的整流器和直流转换器中。宽禁带半导体材料氧化镓（Ga2O3）由于其拥有超大的禁带宽度，高击穿场强，可调的n型掺杂浓度和低成本的单晶生长技术，因而非常适合制作功率肖特基二极管管芯。本文从势垒溅射工艺、势垒形成工艺和粗铝丝键合技术方面设计了高压大功率肖特基二极管管芯。

简介：发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。

简介：实验评估了600V，4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌，SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用，作者考虑选用一种300W，按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果，特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果，本文表明在功率因数校正器设计中，采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。