简介：
简介：美国摩根技术陶瓷公司以99．8％的氧化铝为原料开发出高纯度、耐腐蚀的氧化铝半导体，可用于制造的半导体芯片。其使氧化铝半导化的基本原理是通过严格控制供应，消除游离在晶界二氧化硅。产品良好的抗热震性及高纯度氧化铝能使它能够承受高温及温度的周期性变化。公司计划运用这一技术来开发一些半导体组件。
简介：日本产业技术综合研究所（产综研）宣布，成功使用高纯度半导体单层碳纳米管（SWCNT）制成了晶体管。晶体管的导通／截止比（导通时与截止时的漏极电流之比）为1×10^5以上，载流子迁移率超过2cm2／Vs。
开发高纯度铝基超硬质氧化铝膜电极
摩根开发出高纯度、耐腐蚀的氧化铝半导体
高纯度半导体碳纳米管制造成功晶体管
