简介：印制板钻孔大量使用硬质合金钻头。因而，正确认识、合理使用钻头；如何修磨金刚石砂轮重磨钻头；重磨钻头应怎样正确操作等诸多问题；对提高钻孔质量、降低成本、提高生产效率是一个重要环节。

简介：本文对山西通才工贸2期高炉喷吹系统中的煤磨机进行系统升级、改造，通过将HINV型高压变频器用于磨煤机及磨煤机引风机，从而将原人工值守手动磨煤系统改造为可无人值守全自动的最优磨煤系统。

简介：

简介：Ahera公司日前推出业内密度最高、速度最快的现场可编程门阵列(FPGA)StratixⅡEP2S90器件。

简介：3．2．4射流喷砂法制造积层多层板工艺射流喷砂加工技术，在电镀、喷漆的行业中，早已得到广泛的应用，它能最有效地将工件表面生成的氧化层、锈斑、熔渣等污物除去，并使工件表面组织形成了适宜的粗糙度，从而有利于涂（镀）覆层与工件表面的结合力。而在积层多层板的制造中，利用射流喷砂加工微孔技术，是近几年发展起来的新工艺。

简介：本文主要对高密度、高多层埋盲孔的钻孔问题进行阐述，并主要针对高密度、高多层埋盲孔的钻孔定位方式及钻孔补偿方面进行分析，以便为高密度、高多层埋盲孔的钻孔提供参考。

简介：本文阐述了RCC材料与化学蚀刻法制作高密度互连制板的工序和详细方法，意在探录最为经济、简单而又行之有效的工艺。

简介：在本文中，对两种基于不同设计的，具有高转矩密度，并且转速在不高于3000r／min时有1／3弱磁区的永磁电机进行了讨论和测试。这两种电机采用齿绕线技术，逆变器供电，都是应用在变速驱动领域的典型的工业设备。这两台样机每极褙数是分数，分别为1／2相和1／4相，其设计的持续运行的功率为45kW，额定转速为1000rpm，最大转速为3000rpm。采用F热量等级时电机转矩密度可以达到31．7kNm／／m3（电机的有效体积，包括绕组端部）。文章还对电机的制造过程、测试中所用到的测试条件以及估算方法等细节做出了说明。

简介：本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度，屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷：平衡，从而减少MOSFET的通态电阻和栅电衙。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50％以上。为进一步改善器件特性，一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中，使得反向恢复电荷减少了将近20％-上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的倒步降压变换器应用中，能提供1．5％的最高效率改进。

简介：（中国无锡2010年2月2日）无锡风凰半导体科技有限公司“高电流密度NPT型IGBT芯片”科技成果鉴定会今日顺利举行。会议成立了由电力电子业界权威专家组成的鉴定委员会，无锡市科技局副局长赵建平、滨湖区副区长吴建昌、滨湖区科技局局长吴云亮、滨湖区科技局副局长祁华等领导也亲临指导。鉴定会由中国电器工业协会电力电子分会组织并主持。

简介：一、电子玻璃纤维是覆铜板的关键原材料1、覆铜板的构造、用途及分类覆铜板是在绝缘基体上，单面或双面覆盖一层铜箔经热压而制成的一种板状材料。其唯一的用途就是制造印制电路板，而印制电路板则是任何电子整机，部件离不开的电子器件，用以安装电子元件并实现元件之间的互连或绝缘。所以现在上至航天航空、遥测、遥控，下到日常离不开的计算机、手机，各种家电、儿童电子玩具等等，在国民经济、人民生活各个领域，各个范围，都离不开印制电路板和覆铜板。

简介：

简介：应用于EV/HFV（电动汽车和混合电动汽车）转换系统的IGBT模块,要求其提高功率密度,以能达到缩小系统体积的目标。为了达到这个目标,我们研发了采用高热导工艺的新型的高功率密度的6-型（6-pack）IGBT模块。采取的创新措施有：采用直接冷却系统以消除热脂的热阻;优化了散热器和液体套管的设计;绝缘衬底不采用通常使用的Al_2O_3（氧化铝）,而采用了热导率比Al_2O_3高的Si_3N_4（氮化硅）;开发了新型焊接材料。研发的新型IGBT模块能用于EV/HFV转换系统的可能性是非常大的。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。