简介:基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。
简介:RFLDMOSs}/率管具有高输出功率、高增益、高线性、良好的热稳定性等优点,广泛应用于移动通信基站、数字广播电视发射以及射频通信领域、微波雷达系统。阻抗匹配是LDMOS~率管应用电路设计的关键任务,LDMOS功率管匹配电路的主要任务是实现功率管的最大功率传输。文中选择中国电子科技集团公司第58研究所研制的S波段10wLDMOS功率管,利用微波仿真工具ADS设计外匹配电路。经过精心调试后,s波段LDMOSs}/率管输入回波损耗、增益、输出功率、效率、谐波等技术指标达到设计要求。完成匹配电路设计的S波段LDMOS功率管在3.1~3.4GHz频率范围内,输出功率大于13.8W,功率增益大于12.4dB,效率大于37.9%。
简介:介绍了当前高功率微波(highpowermicrowave,HPM)能量合成和功率合成的研究进展,并思考了下一步可能的发展方向。能量合成的关键在于HPM合成器,基于过模圆波导TM01模式滤波器的HPM合成器,能实现两路微波信号的同极化通道合路,并有效提高合成器的功率容量;在此基础上形成的滤波器及合成器网络,能够实现HPM多波段、多频率工作,或产生拍波。功率合成的关键在于对单个HPM微波源的频率和相位的控制。基于小信号相位牵引的新方法,实现了GW量级的HPM相位控制,注入功率比接近-43dB;同时,结合强流电子束加速器的同步控制、大功率固态注入源及相控阵天线等关键技术的发展,这些研究可为HPM源空间功率合成技术奠定基础。
简介:摘要:传统的功率技术已经运用了较长的时间,并且已经适用于各个行业,在航天测控、电子侦查等技术的不断发展下,传统的功率技术的不足性就显示出来了。为了满足各个行业发展的需求,要改进传统的功率技术,这种情况下,微波功率合成技术逐渐应运而生。微波功率合成是一种新的加热方式,与技术的发展相辅相成,微波功率对设备功率会有所影响,在一定程度上可以提升设备功率,随着时代的进步,微波功率的合成方法顺应了时代的变化,属于一种新的方式,偶所以相关的研究并不是很多,人们对其的了解程度还不够。在微波功率合成的基础上,本篇文章简要的分析了微波功率合成的基本内涵进行了简要的分析,并分析了其使用意义。微波功率合成的的机理有着自身独特的特点,在此基础上,模拟计算了聚焦束和交叉束在较远距离上的能量密度。