简介:目的探讨低功率半导体激光治疗羟基磷灰石义眼座暴露的疗效.方法采用JAM-II型多功能半导体激光治疗仪(激光物质为GaA1As,激光波长650nm)对22例不同程度的义眼座暴露患者进行激光照射治疗,并将结果与既往采用药物及手术治疗的20例义眼座暴露患者比较.结果激光组22例全部愈合(100%);药物及手术组中轻、中、重度的愈合率分别为83.3%,63.6%和0.经采用X2检验之四格表精确检验法处理,2组间轻度患者的愈合率在统计学上差异无显著性意义(P=0.545),而2组间中度和重度患者的愈合率在统计学上差异有显著性意义(P<0.05).结论低功率半导体激光治疗羟基磷灰石义眼座暴露的疗效优于药物及手术方法.可用于预防及治疗羟基磷灰石义眼座暴露.
简介:摘要目的探讨羟基磷灰石义眼台植入术的方法及术后暴露的原因。方法对59例59眼眼球摘除术后羟基磷灰石义眼台植入术进行观察,并对术后暴露原因进行分析。结果术后随访2年,有4眼义眼台暴露,2眼保守治疗后自行愈合,1眼经结膜修复未在暴露,1眼由于义眼台暴露过大行义眼台取出。结论羟基磷灰石义眼台植入术是一种简单安全,术后并发症少的手术方法,义眼台材料,大小,术后有无感染,手术时机及手术方法是导致术后暴露的直接原因。
简介:我科收治的患眼无视功能患者25例,保留自体巩膜壳,行羟基磷灰石义眼台植入术,现报告如下。
简介:摘要目的探讨护理干预在眼球摘除联合羟基磷灰石义眼台植入术患者的作用。方法对12例眼球摘除患者行联合羟基磷灰石义眼台植入术给予护理干预,积极做好术前准备,术中严密观察病情,术后积极预防并发症的发生。结果Ⅰ期眼窝填充术8例,Ⅱ期眼窝填充术4例,患者术后切口愈合正常,无感染发生,患者术后术眼出血较少,患者掌握术后并发症的自我检测方法。结论手术效果好,外观恢复正常,护理干预有效,无并发症发生。
简介:摘要目的探讨儿童羟基磷灰石义眼台眶内植入术的围手术期的护理要点,实现治疗效果,提高患儿的远期生活质量。方法对2000年至2012年26例儿童羟基磷灰石义眼台眶内植入术的护理经验进行回顾总结。结果治疗效果满意,患儿眶骨发育正常,容貌美观,身心健康。结论做好羟基磷灰石义眼台植入术围手术期的护理,是患儿早日康复,提高远期生活质量,恢复社会适应能力的关键。