简介：随着微电子技术及半导体技术的快速发展，高封装密度对材料提出了更高的要求。SiCP／Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能，受到了广泛的关注。作为电子封装材料，SiCP／Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用。文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状，详细阐述并比较了几种常用的制备方法，包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等，进一步分析了各种方法的优缺点，并在此基础上展望了未来研究和发展的方向。

简介：摘要水性聚氨酯是以水代替有机溶剂作为分散介质的新型聚氨酯体系，具有无污染、安全可靠、易于改性等优点。本文从wPu分子改性、共混改性以及聚合物改性等方面对水性聚氨酯进行改性，探究其性能以及效益。

简介：

简介：镓氮化物的大数量(轧)nanowires经由Ga2O3电影在一个石英试管在950点在氧化的铝层上扔了的ammoniating被准备了。当水晶的wurtzite由X光检查衍射，X光检查光电子spectrometry扫描电子显微镜和精选区域的电子衍射轧了，nanowires被证实了。传播电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜学(SEM)表明nanowires非结晶、不规则，与从30nm到直到十微米的80nm和长度的直径。精选区域的电子衍射显示有六角形的wurtzite结构的nanowire是单身者水晶。生长机制简短被讨论。

简介：采用挤压铸造方法制备了体积分数为55%、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp/Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律.显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率.复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大.

简介：微电子技术的飞速发展也同时推动了新型封装材料的研究和开发.本文综述了电子封装用金属基复合材料的研究和发展状况,并以A1/SiCp为重点,分析对比了目前国内外的差距,提出了其未来的发展趋势及方向.

简介：Usinganewlow-temperatureprocess(＜600℃),thepoly-SiTFTwasfabricatedbymetal-inducedlateralcrystallization(MILC).Anultrathinaluminumlayerwasdepositedona-Sifilmandselectivelyformedbyphotolithography.Thefilmswerethenannealedat560℃toobtainlaterallycrystallizedpoly-Sifilm,whichisusedasthechannelareaofaTFT.Thepoly-SiTFTshowedanon/offcurrentratioofhigherthan1×106atadrainvoltageof5V.TheelectricalpropertiesaremuchbetterthanTFTfabricatedbyconventionalcrystallizationat600℃.

简介：摘要：本文深入探讨了复合材料在机械设计制造中的应用及其发展前景。复合材料以其独特的性能，如高强度、轻质和良好的耐腐蚀性，已经成为机械设计制造领域的重要材料。文章首先概述了复合材料的基本概念和特性，然后详细讨论了它们在航空航天、汽车制造、电子产品等领域的具体应用。同时，文章也识别了复合材料设计和制造过程中面临的关键技术和挑战，包括材料设计、加工技术、性能测试等方面。最后，文章对复合材料在机械设计制造中的未来发展前景进行了展望，强调了市场需求、技术创新和政策支持的重要性。

简介：摘要随着科学技术的不断发展，越来越多的新型材料被制造并且应用在各行各业的发展中。尤其是先进复合材料的出现并且在航天领域中的广泛应用，推动了中国航天事业的进一步发展，同时，航天事业也对复合材料的应用提出了新的要求。在航天器材建造中，所使用的复合材料具有各向异性和非均质性的特点，这种特点使得其对于分层损伤和层间断裂十分敏感，为了减少这种损伤对于航天器材的作用发挥的影响，研究人员开始对于冲击损伤下航空复合材料修复技术进行了研究。

简介：采用四端口网络理论分析了极化方式、介电常数与损耗角正切对天线罩透波率的影响,讨论了石英/氰酸酯玻璃钢复合材料的传输特性。数值仿真和实测结果表明,在频带1.2～18GHz,水平方位角-40°～40°范围内,厚度为1.8mm的石英/氰酸酯平板功率传输系数均大于60%,表现出良好的宽频特性。

简介：气密封装对采用裸芯片组装而成的多芯片组件至关重要,它可以让组件内部长期保持惰性气氛,降低元器件因湿气造成的环境失效。可伐材料是一种常用的封装材料,在微组装领域应用广泛。为弥补这种材料材料密度大、导热性能差的缺点,结构上选择铝碳化硅材料增强散热效果,同时达到减重的目的。采用低温钎焊工艺进行材料间连接,针对前期研制过程中出现的半密封检漏不合格问题进行分析,开展焊料选择、焊接参数优化工作,使半密封检漏漏率小于5×10-2Pa·cm3/s。

简介：本文结合"ODS清洗剂消费淘汰项目"的实施,并对新型超声波清洗机及新型ODS清洗液进行了工艺试验,阐述了超声波清洗技术是贵/廉金属复合材料生产过程中无可替代的清洗技术.

简介：

简介：2009年12月19日，河北华整实业有限公司承担的河北省科技支撑计划项目《钨铜新型电子复合材料》鉴定验收会议在石家庄成功召开。会议经河北科技厅组织，由衡水市科技局主持，邀请有关专家组成鉴定委员会和验收委员会。景县县委、政府对该项目产品的研发成功和鉴定验收予以高度重视，政府县长李建刚同志、刘兰智副县长参加了此次会议。

简介：TheinvestigationonopticalpropertiesofSi1-xGex/Sistrainedlayerstructureshasbeencarriedoutactivelyinrecentyears.Thephotoluminescencehasbe-comeabriskersubjectinthestudiesofitsvariousopticalproperties.Aresearchdevelop-menttophotoluminescencepropertiesofsomenewSi1-xGex/Sistrainedlayerstruc-turesisintroduced.

简介：Theoptimumparametersarecalculatedbythelargecross-sectiontheoryandmodecut-offequation.Theeffectonreversebiasvoltagesinanalysedbythedopingconcentrationinn^+-Si.Theissignificantbecausethereversebiasincreasessharplywhenthedopedconcentrationinn^+-Siislessthan1×10^20cm^-3.

简介：Theresidualelectricallyactivedefectsin(4×1012cm-2（30KeV）+5×1012cm-2（130KeV）)si-implantedLECundopedsi-GaAsactivatedbytwo-steprapidthermalannealing（RTA）LABELEDAS970℃（9S）+750℃（12S）havebeeninvestigatedwithdeepleveltransientspec-troscopy（DLTS）.TwoelectrontrapsET1(Ec-0.53eV,σn=2.3×10-16cm2)andET2（Ec-0.81eV,σn=9.7×10（-13）cm2）aredetected.Furthermore,thenoticeablevariationsoftrap’scon-centrationandenergylevelintheforbiddengapwiththedepthprofileofdefectsinducedbyionim-plantationandRTAprocesshavealsobeenobserved.The[Asi·VAs·AsGa]and[VAs·Asi·VGa·AsGa]areproposedtobethepossibleatomicconfigurationsofET1andET2,respectivelytoexplaintheirRTAbehaviors.

简介：AninitialstructuredesignofMMI1×8opticalpowersplittersisreported.ThewaveguidematerialisSi-basedSiO2Ge-dopedanddepositedbyPECVDmethod.Embeddedstripstructureisimpliedinthesectiondesign.ByusingBPM-CAD,afavorableresultisobtainedthatthisdevicehasasounduniformityandfairlylowloss.Meanwhile,simulationsofdesignswithcertainchangedparametersisalsoimplementedforabetterdesignconfiguration.

简介：ＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＰｏｒｏｕｓＳｉ①ＣＨＡＯＺｈａｎｙｕｎ，ＷＡＮＧＫａｉｙｕａｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉ...

简介：Anultrahighvacuumchemicalvapordeposition(UHV/CVD)systemisintroduced.SiGealloysandSiGe/Simultiplequantumwells(MQWs)havebeengrownbycold-wallUHV/CVDusingdisilane(Si2H6)andgermane(GeH4)asthereactantgasesonSi(100)substrates.ThegrowthrateandGecontentsinSiGealloysarestudiedatdifferenttemperatureanddifferentgasflow.ThegrowthrateofSiGealloyisdecreasedwiththeincreaseofGeH4flowathightemperature.X-raydiffractionmeasurementshowsthatSiGe/SiMQWshavegoodcrystallinity,sharpinterfaceanduniformity.Nodislocationisfoundintheobservationoftransmissionelectronmicroscopy(TEM)ofSiGe/SiMQWs.TheaveragedeviationofthethicknessandthefractionofGeinsingleSiGealloysampleare3.31%and2.01%,respectively.