简介：文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

简介：<正>稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料,二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相比,半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多,因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光性能的影响变得很显著,从而有可能通过尺寸调

简介：一个主要的挑战在GAN型太阳能电池的设计是孔的缺乏与多量子威尔斯电子相比（多量子阱）。我们发现，GaN基量子阱光电器件具有五种不同Mg掺杂浓度的0时，5×1017cm-3，2×1018cm-3，4×1018cm-3和7×1018cm-3的GaN障碍可导致量子威尔斯不同的空穴浓度（量子阱）。然而，当Mg掺杂浓度超过1×1018cm-3，晶体质量下降，从而导致外量子效率的降低（EQE），短路电流和开路电压。作为一个结果，一个轻微的Mg掺杂5×1017cm-3的具有最高的转换效率浓度的样品。

简介：摘要镧系磷酸盐及其掺杂体系在实际生产、生活中有着广泛的应用，研究和改进其性能以及结构以及其宏观性能内在联系，具有重要的意义。同时，随着新的学科分支--计算材料科学不断发展，国内外研究者利用各种计算手段对镧系磷酸盐及其掺杂体系进行探索和研究，并取得了一定的进展和成果。

简介：<正>美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10´10mm-2和18´18mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n型氮化镓衬底的电阻率小

简介：Al掺杂ZnO（AZO）已被用来作为电子传输和空穴阻挡层倒有机太阳能电池（ioscs）。在本文中，偶氮结构，光学和结构特性和ioscs性能的影响作为一个功能的前驱体溶液浓度为0.1mol/L1mol/L时，我们证明了该装置用0.1mol/L的AZO缓冲层的前驱物浓度提高短路电流和填充因子ioscs同时。由此产生的设备显示，功率转换效率提高了35.6%，相对于1摩尔/升的设备，由于改善的表面形貌和透过率（300-400纳米）的偶氮缓冲层。

简介：Dy3＋/Eu3＋共掺杂的立方格子NaYF4单晶在~Φ×1厘米大小为10厘米高质量的改进布里奇曼法用氟化钾（KF）作为助熔剂生长。射线衍射（X射线衍射），吸收光谱，激发光谱和发射光谱测量的晶体的相位和发光性能的晶体。分析了激发波长和Dy3＋和Eu3＋离子浓度对发光特性的影响。NaYF4单晶的掺杂摩尔浓度的1.205%和0.366%的Eu3＋，Dy3＋具有优良的白色发光的色度坐标x=0.321，y=0.332。这表明Dy3＋/Eu3＋共掺的立方格子NaYF4单晶可以潜在的发光材料的紫外（UV）光激发的白光发光二极管（LED）。

简介：srzn2（PO4）2：在大气中的高温固相反应合成Sm3＋荧光粉。srzn2（PO4）2：Sm3＋荧光粉是通过紫外光有效激发（UV）和蓝色光，和发射峰被分配到2-6h54G5//2过渡（563nm），2-6h74G5//2（597nm和605nm）和2-6h94G5//2（644nm和653nm）。对srzn2发射强度（PO4）2：Sm3＋的Sm3＋浓度的影响，其浓度猝灭效应srzn2（PO4）2：钐也观察到。当掺杂离子（=Li，Na和K）离子的发光强度，srzn2（PO4）2：Sm3＋可以明显增强。在国际照明委员会（CIE）的srzn2色坐标（PO4）2：Sm3＋定位在橙红色的区域。结果表明，该荧光粉具有潜在的应用在白光发光二极管（LED）。

简介：评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。

简介：PtoP技术最早被一些文件共享应用广泛使用,例如非常有名的Napster和KaZaA.在此类应用中,用户可以共享并搜索下载文件。但是，对Skype来说，此类PtoP技术并非完全意义上的PtoP技术，在Skype看来，真正的PtoP系统是网络中所有的节点能够动态的组合，来参与流量分配，路径选择、处理需要较大带宽的任务等。

简介：<正>00624LTCC、低温燒成基板埋/A.H.Feingold.M.Heinz(Electro-ScienceLaboratories)//电子材料[日].—2003,5月号别册.—96本文介绍了埋入低温共烧基板(LTCC)内的电感与电容的研究。探讨了含铅和铅化合物对电容器以及LTCC等电子陶瓷产品在性能上所起的重要作用。(孙再吉摘译)

简介：摘要电子技术是根据电子学的原理，运用电子元器件设计和制造某种特定功能的电路以解决实际问题的科学，包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。信息电子技术包括Analog（模拟）电子技术和Digital（数字）电子技术。在测控技术中，电子技术由于其广泛和实用性的优点而得到了广泛的应用。本文主要阐述电子技术的发展以及电子技术在测控技术中的应用。

简介：问题1：最近我们公司在生产组装FPC贴片出现大量的锡珠，我们的回温炉的峰值温度设定为260，真的是很头疼啊，每次都要去挑锡珠，请问是什么原因造成此类问题。，能否提供一些改善的建议？答：一般来说，产生此类现象的原因主要有以下几个方面：

简介：问题1：请问锡膏为什么会发干？发干对焊接品质有什么样的具体影响？如何有效的防止锡膏发干？解答：锡膏在使用过程中粘度上升、甚至发干会引发诸多问题，如印刷不良、漏印、下锡量减少、器件移位、飞片等，都会导致焊接良率大幅下降。造成锡膏发干的可能因素很多，大致可概括为使用条件原因和锡膏品质原因，但从本质上讲，都是由于助焊剂与锡粉发生化学反应所引起。

简介：激光清洗技术是近10年来飞速发展的新型清洗技术,它以自身的许多优点在众多领域中逐步取代传统清洗工艺.本文介绍了激光清洗的原理和激光清洗的一些典型应用,展示了激光清洗这一"绿色"清洗技术广阔的发展前景.

简介：电子垃圾已成为世界上增长最快的垃圾.本文从社会和市场两方面分析了我国电子工业所面临的挑战,进而就循环技术特征、要素关系及实现形式进行了分析,提出了加快绿色制度建设则是循环技术开发和实施的必要保证.

简介：化学基本原理碱性蚀刻的基本机理就是碱性氯化铜化学反应（见图1）是二价铜离子氧化金属铜生成亚铜离子。这种平衡同样在酸性氯化铜中的二价铜氧化浸蚀铜金属。所以，在碱性环境条件下，发生亚铜离子和二价铜离子的氨的络合物。更进一步利用通入空气使酸性氯化铜蚀刻液中亚铜离子氧化成二价铜离子。如下反应：

简介：

简介：1、HSDPA简介对高速移动分组数据业务的支持能力是3G系统最重要的特点之一。WCDMAB99版本可以提供384kbit／s的数据速率，这个速率对于大部分现有的分组业务而言基本够用。然而，对于许多对流量和迟延要求较高的数据业务如视频、流媒体和下载等业务，需要系统提供更高的传输速率和更短的时延。为了更好地发展数据业务，3GPP从这两方面对空中接口作了改进，在R5版本中引入高速下行分组接入（HSDPA）技术。

简介：<正>00576ACompactTransceiverforWideBandwidthandHighPowerK-,Ka-,andV-BandApplications/D.Yamauchi,R.Quon.Y-HChungetal(NorthropGrummanSpaceTechnology)//2003IEEEMTT-sDigest.—2015用当今先进的InPMMICs和先进的封装技术演示了一种宽带宽(13%～54%)高功率(>500mW)K、Ka及V波段小型收发机。该组件有30多块MMIC和200多个元器