简介：稀磁半导体（DMS）材料日益受到科技界和工业界的关注。本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度。计算结果证明：同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高。在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度与高价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度的差别,比不考虑反铁磁性交换作用时居里温度的差别更为明显,且差别随反铁磁性交换作用相对强度的增加而增加。该研究结果可为获得具有高居里温度的DMS材料提供参考。

简介：第34届中国哈尔滨冰灯艺术游园会同时亮相的世界首例采用半导体照明（LED）技术。30多年来，冰灯主要光源始终采用的是一次性使用、无法回收的普通荧光灯管，美的代价是高耗能和环境污染。LED技术具有节能、环保、寿命长、响应快以及耐震、耐冲击、体积小等特点，不含有汞等有害金属，用其代替荧光灯放置在冰灯内不易破损，而且可回收利用。黑龙江省市科技部门联手为传统冰灯嫁接高新技术，为冰灯注入了节能环保的时代内涵，选定兆麟公园来实施LED冰灯示范应用项目，并列入到了2007年度省重大科技攻关项目。

简介：　　GaN基化合物半导体材料技术和器件制造工艺的迅速发展已经引起了全世界的密切关注,成了近期半导体光源技术的发展热点,是许多国家政府能源战略关注的热门技术.……

简介：研制了一种以玻璃粉作为粘结相的低温烧结型银基浆料，并应用于集成电路半导体芯片贴装工艺。重点考察了半导体芯片与氧化铝陶瓷基座组装后的附着力，以研究浆料中银粉、玻璃粉和有机载体的含量以及芯片的净化处理工艺、烧结工艺对组装件剪切力和温度循环后剪切力的影响。结果表明：采用有机溶剂和皂化除油，银粉和玻璃粉质量比为7：3，有机载体和固体相质量比为1：9，在430℃烧结，保温时间在20～25min时，能获得最大剪切力。

简介：致密氧离子导体陶瓷透氧膜,在特定温度条件下对氧具有渗透选择性,可以从空气或其他含氧气氛中连续分离超高纯度氧气（理论上纯度为100%,实际测量纯度不低于99.99%）。将氧气分离与需氧工业（如低碳烃类的选择氧化和制氢反应）耦合在膜反应器内,可大幅简化运行单元,降低天然气制油（GTL）投资成本,具有显著开发优势。

简介：微波合成因合成速度快、清洁和能效高而成为一种非常有前途的材料制备方法。与常规方法相比，很多材料可以在相对较低的温度和较短的时间内用微波加热合成。该文作者利用混合微波加热技术，在短时间内由镁粉、镍粉和石墨粉合成了具有立方钙钛矿结构的金属间化合物超导材料MgCNi3。利用微波加热合成的MgCNi3，镁的挥发和氧化程度明显减少。粉末X射线衍射显示合成的样品主相为MgCNi3，还含有少量未反应的石墨粉和微量的MgO杂相。金相显微镜和扫描电镜观察表明超导样品的晶粒大小一般为2～6μm。由标准的四探针电阻方法和磁测量技术测得样品的超导起始转变温度为6．9K，转变宽度约为0．8K。

简介：介绍了新型超导体MgB2的基本超导电性,综述了MgB2材(多晶)、线材和带材的主要制备技术,并对MgB2超导材料的应用前景进行了展望.