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27 个结果
  • 简介:用微乳液法制备了表面经硬脂酸(ST)修饰的4种不同价态的氧化合物纳米微粒。初步摸索了合成的最佳条件,利用XRD,TEM,IR等测试手段对制备的纳米催化剂的物相、粒子的形貌和粒度及氧化物纳米微粒与表面活性剂有机基团间的结合方式进行了表征,结果表明制得的纳米微粒呈球状、粒度随热处理温度升高而增大,COO-与Co(Ⅱ,Ⅲ)离子间以化学键相结合。利用流动法固定床反应器研究了氧化物纳米催化剂对N2O的催化分解活性,实验结果表明,在350℃焙烧制得的Co2O3纳米粒子对N2O的催化分解有较好的催化活性。

  • 标签: 纳米催化剂 制备 钴氧化合物 纳米微粒 N2O 催化分解
  • 简介:采用X-射线吸收近边结构(XANES)和扩展X-射线吸收精细结构(EXAFS)技术,对用不同原料盐和不同焙烧温度制得的Co/γ-Al2O3催化剂中的微观结构进行了详细的表征。XANES结果表明,以硝酸盐为原料盐于500℃焙烧的样品Co(N)-500,其Co-K边的近边结构与标样Co3O4相似,而其它样的近边结构则与标样CoAl2O4相似。随焙烧温度提高。在吸收边前的弱吸收峰(1s→3d)逐渐增强。在吸收阈值处,主吸收峰(1s→4p)的分裂变得更明显,950℃焙烧的样品,在主吸收峰上升过程中出现了肩峰(1s→4s)。这些特征表明,样品中主要以Co^2+离子形式存在。离子与载体作用的加强,使非化学计量的尖晶石相在结构上与化学计量的CoAl2O4越来越接近。EXAFS结果表明,样品Co(N)-500中,主要以Co3O4的形式存在。其第一配位壳层Co-O配位数明显低于标样Co3O4,说明该相具有较高的分散性。其它所有样品中,主要以非化学计量的尖晶石相存在,其第一配位壳层Co-O配位数随焙烧温度从500℃提高到950℃,与标样CoAl2O4越来越接近;相同焙烧温度下,从醋酸制得的Co(A)系列样品更容易形成Co-Al尖晶石相。XANES和EXAFS结果很好地说明了前文中样品对CO氧化和乙烯选择还原NO反应的活性规律。

  • 标签: 氧化态 反应性能 微观结构 Co/γ-Al2O3催化剂 XANES EXAFS
  • 简介:考察了锆助剂含量对基催化剂的结构及费-托合成反应性能的影响。结果表明,随着锆含量的增加,甲烷的生成受到抑制,重质烃选择性提高,重质烃合成的操作温度区间加宽,且催化剂仍保持较高的活性。TPR,H2-TPD,XRD及EXAFS等表征结果表明,锆助剂单层分散与硅胶表面,而以一定尺寸的聚集态存在;随着锆含量的增加,锆覆盖的硅胶表面增加,裸露的硅胶表面减小,而的分散度几乎不变。这使得锆界面增大,硅界面减小,有利于重质烃的生成。另外,H2-TPD结果还表明,催化剂存在有从到锆硅载体的氢溢流。

  • 标签: 含量 锆助剂 钴基催化剂 费-托合成 结构
  • 简介:共沉淀-浸渍法制备Pt/Co-Ba-Al-O样品。采用XRD,XAFS等手段对样品的微观结构进行了详细的表征。载体经过800℃焙烧后,Co物种主要以四面体配位的铝酸相存在。铂物种则以小金属原子簇形式存在,分散度很高。添加物种对Ba物种存在形态的影响不大;但改善了氧化铝相的分散度:抑制了金属铂原子簇与载体的相互作用,使Pt在催化剂表面分散更均匀。

  • 标签: 稀燃NOx阱 Pt/Co-Ba-Al-O XAFS 微观结构 共沉淀-浸渍法 分散度
  • 简介:通过NH4NO3溶液处理商业硅胶,制备了一种新的担载型Co/SiO2催化剂体系以及用于F-T合成重质烃反应。固定床优选条件下的运行结果表明,在该催化剂上的CO转化率可达到90%以上,目标产物C5^+选择性可达到80%以上。采用XAFS(X射线吸收精细结构)技术研究了该催化剂的物相结构,结果表明,处理后的硅胶与物种之间的相互作用明显减弱,物种的配位情况由Co-t向Co-o转变,使催化剂在工业还原条件下的还原度大大提高。

  • 标签: 改性 商业硅胶 钴基催化剂 结构 反应性能 Co/SiO2催化剂
  • 简介:采用XAFS研究了不同方法制备的钛硅复合氧化物材料的钛K边结构,其结果表明,二氧化钛与二氧化硅复合后,钛原子配位数由原来的六配位降低到3—4配位,不同二氧化钛含量样品的径向结构函数及近边曲线都有不同,说明经过复合后二氧化钛结构发生改变,并且二氧化钛含量对复合材料的结构影响很大。

  • 标签: 钛硅复合氧化物材料 XAFS 二氧化钛 径向分布函数 近边曲线 X射线
  • 简介:GaAs半导体材料可以提高器件运行速度,日益引起人们的注意,但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个,一个全新的可应用于HEMT器件的深微米X射线T型栅工艺被提出来,该工艺采用三层胶方法,曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的,并且取得了好的结果。

  • 标签: GAAS 半导体材料 亚微米X射线T型栅工艺 制造 半导体器件 X射线光刻
  • 简介:应用扩展X射线精细结构(EXAFS)技术研究了化学改性MnO2中锰及铋的结构形态。结果表明:掺杂元素铋进入MnO2的晶格,增大MnO2的不同壳层配位无定形。在MnO2-电子放电还原过程中,铋的氧化态保持稳定,MnO2没有发生结构重排。

  • 标签: 二氧化锰 掺杂 改性 EXAFS MNO2
  • 简介:高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-Al2O3/Si外延生长,单晶衍射法证明应用低压CVD和高真空外延技术在我们的实验室生长出γ-Al2O3/Siuj单晶薄膜。它们的结晶关系是(100)γ-Al2O3//Si,[010]γ-Al2O3//[010]Si。

  • 标签: 异质外延 氧化铝 X射线 测试 半导体
  • 简介:本文考察了正硅酸乙酯(TEOS)在碱性催化条件下通过水解和缩聚而制得的二氧化硅胶体的小角X射线散射(SAXS)特征,通过散射数据对Porod负偏离的分析和校正,测定了胶体粒子的几何结构,包括胶团尺度分布、胶核尺度分布及平均界面层厚度,这有助于认识胶体的物理化学特征。

  • 标签: SAXS 二氧化硅胶体 粒子结构 正硅酸乙酯 TEOS 水解
  • 简介:测定了真空蒸镀的WO3薄膜电致变色前后的谱,发现钨原子与周围的氧原子的作用距离随着阳离子(K^+,Li^+)注入电量的增加而增加,说明阳离子的注入对WO3的微结构有影响。

  • 标签: 三氧化钨薄膜 电致变色 EXAFS 微结构
  • 简介:用XPS和PES研究了钙肽矿型氧化物BaTiO3薄膜和La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地,我们采用角分辨X-射线光电子谱技术(ARXPS),研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明,BaTiO3薄膜表面最顶层TiO2原子平面,La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上,我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

  • 标签: 钙钛矿型氧化物薄膜 电子结构 XPS BATIO3 La1-xSnxMnO3 外延生长
  • 简介:采用溶胶-凝胶法,制备了不同含量的钼超细粒子氧化物,将其与K2CO3干混后进行硫化。使用X-射线衍射(XRI)和扩展X光吸收精细结构(EXAFS)对样品进行结构表征。同时测试硫化态样品的CO加氢合成低碳混合醇性能。结构表征结果表明,不含氧化态样品,主要以颗粒度较大的MoO2物种存在;添加后,样品粒子的颗粒度大幅度降低,钼组分主要以CoMoO3物种的形式存在,当含量增加时,CoMoO3的晶形趋于改善。硫化态样品中钼以类似于MoS2物种的形式存在,但粒子尺寸较小。同时,体系中还存在Co-Mo-S和Co9S8物种。XRD和EXAFS结果表明,适量的添加,有利于样品的硫化。活性测试表明,的加入,明显促进的含量也最高。结合结构表征结果,认为是以协同作用的方式参与反应。

  • 标签: 超细粒子 溶胶-凝胶法 K-CO-MO催化剂 低碳醇 合成 钴含量
  • 简介:采用微乳液法制备了表面包覆表面活性剂AOT的氢氧化镍纳米微粒,退火后得到纳米尺寸的氧化镍颗粒。用EXAFS方法对获得的氢氧化镍和氧化镍纳米颗粒进行了研究,得到了EXAFS结构参数,并分别与体相材料进行了比较。结果表明与体相材料相比,纳米材料配位结构表现出不同的特性。

  • 标签: 表面活性剂 EXAFS 纳米氢氧化镍 纳米氧化镍 微乳液法 化学修饰
  • 简介:本文通过比较两个不同晶体生长历史的温梯法Al2O3晶体,通过同步辐射衍射形貌相研究了晶体内部的完整性,在正常晶体生长条件下Al2O3晶体的FWHM仅为10弧秒,而在正常晶体生长受到间停电破坏时,Al2O3晶体内易出现晶粒等缺陷。其内在原因与温梯法晶体生长工艺有关系。

  • 标签: 亚晶粒结构 同步辐射 Al2O3晶体 FWHM 衍射形貌相 X射线衍射
  • 简介:以正硅酸乙酯[Si(OC2H5)4,TEOS]和甲基三乙氧基硅烷[CH3Si(OC2H5)3,MFES]为前驱体,通过共水解法和两步法制备出两种不同的甲基改性氧化硅凝胶,在北京同步辐射光源(BSRF)小角X射线散射(SAXS)站测量了凝胶的散射强度,计算了凝胶的平均粒径、两相间比表面积等参数,在此基础上分析了凝胶的分形特征,发现存在两个尺度上的分形结构,分别对应于从SiO2原生颗粒到一次团聚体和从一次团聚体到簇团两种尺度。辅以透射电子显微镜(TEM)观测,证实由两种方法获得的凝胶具有非常不同的微观结构。实验证明,利用SAXS技术研究甲基改性凝胶的分形特征是获得凝胶徽观结构的有力工具。

  • 标签: 小角X射线散射法 正硅酸乙酯 甲基三乙氧基硅烷 改性 氧化硅凝胶 双分形结构