简介：美国国民半导体公司最近宣布该公司正在研制一种集十几种芯片功能于一体的功能一体化的新型芯片。这表明芯片的电脑可能因此产生一次变革。

简介：随着蓝宝石芯片从军用转向民用步伐的加快，它将给微电子产业带来一场革命，促进手提电话、计算机甚至卫星等电子产品实现微型化。预计到2000年左右，使用蓝宝石芯片的电子产品将陆续向世。

简介：英国防务评估研究署正在研制一种由计算机控制的电子步枪，英国《星期日泰晤土报》最近披露了这种新型武器的设计情况。

简介：电工、电子和电机用陶瓷已经占有高技术陶瓷80%的市场。包括从简单的氧化物和氮化物到复杂的复合物。应用范围从绝缘体及电路基板材料到集成电路元件和压电陶瓷。最新的应用是高温超导体。

简介：体全息对小粒子记录及再现的影响关系到体全息材料在粒子场检测领域的应用前景,提出结合角谱传播理论与多光栅耦合波理论进行体全息图衍射分析的方法,并数值模拟了微米量级小粒子衍射光场的体全息记录与再现。数值分析结果表明体全息理论并不能像薄全息理论那样精确的再现出原始物光。其再现光场的角谱分布相对于原始光场存在高阶衰减,这使得再现光场成像后的图像边缘模糊,而且模糊程度还会随着粒子尺寸的下降逐渐上升。虽然这一现象为粒子边缘判读带来困难,但是再现图像的径向强度分布可为提高判断精度提供有益的参考。

简介：提出了一种新的基于霍夫变换和相位相关的电子稳像算法。首先根据1D相位相关技术，通过搜索角度脊来得到旋转参数；将待处理图像去旋转后，再采用2D相位相关来得到平移参数；在建立参数运动模型的基础上，通过自适应均值滤波确定各帧修正矢量。提出的方法可以充分利用FFT的高效运算，实验结果表明采用本方法能准确有效地处理具有旋转和平移的电子稳像问题。

简介：Ⅲ族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系，在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年，以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展，形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视，形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状，分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题；然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态，包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状，电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势，并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。

简介：由中国光学学会和国际光学工程学会(SPIE)联合举办的2007亚洲光电子国际会议(PhotonicsAsia2007)将于2007年11月11～15日在中国北京召开。亚洲光电子会议是亚洲最大的光学、光电子学学术交流和产业交流的盛会。会议将对学科的最新发展趋势、技术应用、产品发布、市场分析、投资调研等各类问题进行广泛的讨论和交流。大会主席是中国光学学会理事长周炳琨院士和2007SPIE主席Mr.BrianCulshaw。王大珩院士和母国光院士担任大会名誉主席,庄松林院士、谢树森教授分别担任学术委员会主席和地方组委会主席,倪国强教授和丁伯瑜教授分别担任大会秘书长和大会执行秘书长。会议的承办单位

简介：在法国国家科学研究中心（CNRS）2013年2月发布的《中法实验室生活——2012年科研合作总结特刊》中,法国驻武汉总领事馆科技处科技专员MarcBondiou先生撰文介绍了法中光电子学研究合作,概要如下：

简介：<正>2014年6月18~21日,武汉·中国光谷,2014光电子器件与集成(OEDI)国际学术研讨会(OptoelectronicDevicesandIntegration,OEDI)在华中科技大学武汉光电国家实验室(筹)(WNLO)隆重举行。此次国际学术研讨会由武汉光电国家实验室(筹)(WNLO)和美国光学学会(OSA)联合承办,

简介：甲酸根离子作为一种“空穴－电子转换剂”掺杂在卤化银中可以提高潜影形成过程中光电子的利用率。将不同位置甲酸根离子掺杂的立方体AgCl乳剂又经相同条件的硫加金或感绿染料增感后，采用微波吸收介电谱检测技术对样品在脉冲激光作用下所产生的光电子衰减信号进行检测，通过分析光电子的衰减特性，发现甲酸根离子仍然能发挥其空穴陷阱效应，而且自由光电子的衰减时间和寿命与未增感的掺杂乳剂随掺杂位置的变化趋势一致。

简介：

简介：2010年11月3日～5日，由武汉光电国家实验室举办的第三届国际光子与光电子学会议（POEM2010）在武汉·中国光谷武汉科技会展中心成功召开。

简介：第五届国际光子与光电子学会议（InternationalPhotonicsandOptoElectronicsMeeting,POEM2012）于2012年11月1-2日在武汉光电国家实验室盛大召开。国际光子与光电子学会议是由武汉光电国家实验室发起的覆盖光电子领域的大规模、多学科、综合性、高水平国际会议。经过多年坚持不懈的努力，已经形成一个紧密依托“武汉·中国光谷”、汇集众多国内外知名专家、学者、学术机构和企业，集学术性和实用性于一体的高水平、高质量学术会议品牌。

简介：用3维粒子模拟程序研究了相对论强激光和高密度等离子体相互作用引起的电磁不稳定。数值模拟表明，在线偏振强激光作用下，等离子体表面出现了电磁不稳定性。形成的不稳定结构随时间发展和激光功率密度的增加进一步深入到等离子体内部，最终使等离子体表面处激发饱和自生磁场。这种由电子速度各向异性而产生的自生磁场对激光有质动力推开电子时所形成的电子热流产生抑制作用，并将直接影响电子加速效率。

简介：超快透射电子显微镜（UltrafastTransmissionElectronMicroscopy,UTEM）是一种能够以纳米尺度空间分辨研究超快动力学过程的前沿技术。在哥廷根大学最新的研究进展里,建造了第一台具有高度相干性电子源的第三代UTEM。通过从纳米针尖发射局域的光电子,获得高度相干的电子脉冲,能够在样品处将电子斑聚焦到数个纳米,同时具有300fs的脉冲时间宽度。介绍了利用这种先进电子光源UTEM装置的几个应用：对坡莫合金薄膜的磁涡旋纳米图案进行实空间洛伦兹成像,打开应用UTEM进行超快磁性研究的大门;通过将电子脉冲聚焦到数个纳米,我们局域地探测单晶石墨薄膜上飞秒激光激发的声学声子在边缘的传播和演化;演示了自由传播电子束在激光驱动的近场中受光学相位调制产生的电子动量态相干叠加。

简介：美国Gidding&Lewis公司研制出Varsax六腿加工中心，它的诞生宣告了新一代机床时代的到来。

简介：第四届“中国光谷”国际光电子博览会暨论坛（OVCEXPO2005）已于2005年11月5日闭幕，这次盛会是OVCEXPO历史上规模最大、专业化程度最高、论坛质量最好的一次展会，在海内外取得了良好的口碑。四年的孕育再次证明，OVCEXPO的影响已从华人经济圈渗透到了全球经济圈，这更加坚实了OVCEXPO“追光”的脚步。在此我们诚挚邀请您在2006年11月2～5日参加第五届“中国光谷”国际光电子博览会暨论坛（OVCEXPO2006），交流信息、增进合作、共谋发展。

简介：通过把脉宽为lOns、波长为1064nm的激光脉冲聚焦通过K9玻璃的方法，研究了玻璃的损伤形貌特点与高强度纳秒激光脉冲的关系。当激光脉？中聚焦在样品中心时，产生的破坏点的特点为前端大，后端小，并且纵向出现裂纹，使用高强度激光与物质相互作用时产生的激光支持的爆轰波特点解释了这些破坏特点。当激光脉冲聚焦在样品表面时，产生的破坏特点是串状的，即带有点状破坏的丝状破坏，这是由于内部缺陷或颗粒和动态自聚焦作用的结果。

简介：Metamaterials因其在特定频段内同时满足负的介电常数和负磁导率而具有与常规介质不同的电磁特性，该电磁特性与Metamaterials的结构密切相关。分析了线环结构的结构参数与其电磁特性的关系，在此基础上提出了一种方形环结构设计。仿真结果表明，方形环结构可以同时满足负的介电常数和负磁导率，具有负折射特性，而且具有比线环结构更宽的带宽。