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46 个结果
  • 简介:采用脉冲激光沉积技术(PLD)在氧气气氛中以高纯Zn为(99.999%)靶材,在单晶硅和石英衬底表面成功生长了ZnO薄膜。通过X射线衍射仪、表明轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究,分析了ZnO薄膜的沉积时间对其性能的影响。结果表明,采用PLD法在室温下可以制备出(002)结晶取向和透过率高于75%的ZnO薄膜,但室温下沉积的ZnO薄膜的发射性能较差,沉积时间的延长不能改善薄膜的发光性能。

  • 标签: 脉冲激光沉积 ZNO薄膜 沉积时间
  • 简介:德国卡尔斯鲁厄理工学院(KIT)和以色列理工学院的科学家们首次观察到了纯金微小颗粒的自我修复,这一发现推翻了长期以来纯金属没有形状记忆功能的假设。首先,研究人员使用高功率计算模拟各种形状的金颗粒的机械缺陷,然后用扫描显微镜的测量尖端来产生实际的颗粒缺陷。

  • 标签: 形状记忆功能 微小颗粒 纯金属 颗粒缺陷 扫描显微镜 自我修复
  • 简介:美国威斯康星·麦迪逊大学开发出一项新技术,可用于制造一种新型玻璃,其强度和稳定性比普通玻璃更好。一般情况下,一块玻璃突然冷却,其中分子无法自由运动,从而形成无序结构。而新工艺可让分子进行排列成有序结构。

  • 标签: 普通玻璃 气相沉积 法制 薄膜 自由运动 无序结构
  • 简介:综述了电沉积技术制备纳米薄膜的研究,介绍了电沉积技术制备纳米膜的基本工艺,讨论了电沉积技术制备纳米薄膜的原理、分类、应用情况,阐述了目前存在的问题,并对今后采用电沉积技术制备纳米薄膜的研究方向提出了一些建议。

  • 标签: 电沉积 制备 纳米薄膜
  • 简介:等离子体电解沉积是一门新兴的材料表面处理技术。详尽介绍了该技术的工艺机理及其影响因素。用该技术可在有色金属及其合金表面制备陶瓷层,对黑色金属及其合金表面进行快速渗碳、渗氮、碳氮共渗等,从而提高材料的耐磨耐腐蚀等性能。从发展的角度分析了该技术在表面处理行业中的应用优势和市场前景。

  • 标签: 等离子体电解沉积 有色金属及其合金 黑色金属及其合金 表面改性
  • 简介:类金刚石(DLC)膜是一种含有大量sp^3键的亚稳态非晶碳薄膜。类金刚石膜在化学、电学、热学、光学、生物相容性等方面具有良好性能,是微电子机械、医学、航空、汽车、光学等领域的理想材料,因而引起了人们极大兴趣,具有广阔的应用前景。简单介绍了DLC膜的结构、沉积法及在各个领域的应用与存在的问题。

  • 标签: 类金刚石(DLC)膜 亚稳态 沉积法
  • 简介:据报导,华东理工大学最近研制出纳米标准颗粒,并提出相应的制备方法。该技术已经申请了专利。据悉,在纳米技术研发过程中,由于纳米检测和表征技术的不足,制约着纳米材料的开发和产业化进程。我国目前在纳米评价方面的研究还相当薄弱,其中最主要的问题就是缺少纳米标准材料,比对试验所用的标准样品均依赖于国外进口,华东理工大学的研究人员对制备纳米标准颗粒材料进行了筛选,并对其制备方法进行了选择和探索。

  • 标签: 纳米标准 颗粒材料 华东理工大学 上海 制备方法 纳米技术
  • 简介:采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si(硅)薄膜,研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出,随着沉积腔内沉积温度的不断升高,微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时,薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高,当沉积温度超过500℃时,薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下,沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

  • 标签: PECVD 沉积温度 微晶硅薄膜 晶化率 晶粒尺寸
  • 简介:论述了纳米颗粒的特殊性质,通过信息传递模型分析了纳米颗粒作用于人体的过程,最后结合国内外纳米颗粒安全性研究现状给出了一些建议。

  • 标签: 纳米颗粒 信息传递模型 纳米安全性
  • 简介:采用HSiCl3—NH3—N2(稀释气体)体系在石英陶瓷基板上通过低压化学气相沉积(LPCVD)法沉积出了Si3N4涂层,研究了工艺条件对涂层沉积速率的影响。结果表明,在没有稀释气体的情况下,随着沉积温度升高,Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加,在850℃附近达到最大值,随着反应温度的进一步升高,涂层沉积速率下降。当存在稀释气体时,在所选温度范围内随着沉积温度的升高,Si3N4涂层的沉积速率一直增大,反应的表观活化能约为222kJ/mol。随着原料中NH3/HSiCl3流量比值的增大,Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加,随后稳定,但稍有下降趋势。在所选稀释气体流量范围内,Si3N4涂层的沉积速率随着稀释气体流量的增加而增大。

  • 标签: LPCVD 氮化硅涂层 沉积速率
  • 简介:氧化皮可保护合金免受各种腐蚀,然而美国能源部所属阿贡国家实验室(U.S.DepartmentofEnergy’sArgonneNationalLaboratory)的研究人员已经发现铁和镍的纳米微粒网状物能导致装甲出现裂缝。

  • 标签: 纳米颗粒 腐蚀 合金 嵌入式 国家实验室 美国能源部
  • 简介:在传统的二次阳极氧化法制备多孔氧化铝模板的基础上,利用逐级降低电压的方法减薄阻挡层,用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线光电子能谱仪对Pd-Ni合金纳米线的组织形貌、晶体结构和化学状态等进行了表征与测试,结果表明,Pd-Ni纳米线的直径为70nm左右,且纳米线径向表面不够光滑,呈毛刺状,单根纳米线属于多晶结构;Pd-Ni纳米线中Pd:Ni原子比接近为1:1,表明金属Pd、Ni在纳米线中处于简单混合状态。此外,对交流电沉积制备金属纳米线时沉积条件的选择做了简要解析。

  • 标签: 逐级降电压法 阳极氧化铝模板 Pd-Ni合金 纳米线 交流电沉积
  • 简介:采用脉冲激光沉积法,在Pt/SiO2/Si的基底上制备CeO2薄膜,并使用导电原子力显微镜(ConductiveAtomicForceMicroscopy,CAFM)对CeO2薄膜的局域阻变效应及其形成机制进行了研究.结果表明,CeO2薄膜具有双极性阻变特性,且复位过程中出现多阻态,限流值的大小影响开启的导电通道数量,并对其低组态阻值和开关比有显著影响.采用导电细丝模型对CeO2薄膜的阻变机制进行分析,表明氧缺位的形成及其在电压作用下的迁移是导电细丝形成和破灭的关键.

  • 标签: CEO2 导电原子力显微镜 阻变效应 氧缺位
  • 简介:用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,在接近常压状态下,在氩气(Ar)和氢气(H2)的气氛中,以硅烷为源气体,在沉积区域加载脉冲负偏压对沉积过程进行调节,在基片上沉积得到具有荧光特性的含有Si纳米晶颗粒的SiOx薄膜,并在原气氛(Ar+H2)中进行退火处理,SEM、TEM、FTIR、PL显示,退火后薄膜的网格结构被破坏,颗粒性更加明显,化学成分中Si—H减少,Si-O-Si增加,同时有少量si纳米晶粒析出,退火后的薄膜发光峰出现大幅蓝移,发光基团趋于单一,这与Si纳米晶粒的出现相对应。

  • 标签: 退火 Si纳米晶粒 红外光谱 荧光光谱
  • 简介:在废旧塑料摩擦电选过程中,荷电器的荷电效率对分选效果至关重要。对旋风荷电器中塑料颗粒摩擦荷电机理进行研究。在该机理下,理论分析推导得出,塑料颗粒荷电量Q与摩擦力做功功率Wt之间满足Q∝K·Wt·T,K是功电转换系数,T表示荷电时间;塑料颗粒碰撞模型表明摩擦力做功功率Wt与摩擦系数μ,碰撞角β,碰撞截面半径R2,碰撞频率nt的3次方相关;由此得出,对同种塑料颗粒而言Q∝n3t·T。选取ABS、PS两种塑料颗粒,采用高速摄影和荷电实验的方式验证了Q∝n3t·T的正确性。理论推导和实验结果吻合,说明所提出的摩擦荷电机理可以用来描述旋风荷电器中塑料颗粒的摩擦带电现象。该机理表明要提高旋风荷电器的荷电效率,可以选用摩擦系数较大的器壁材料;或者通过适当减小荷电器尺寸,增大风速来提高碰撞频率。

  • 标签: 旋风荷电器 塑料颗粒 摩擦力 荷电机理
  • 简介:高能所纳米生物效应实验室的研究人员最近发现,经过适当化学修饰的一种纳米颗粒具有高效抑止肿瘤生长的效果,却不直接杀死细胞,不仅增强肿瘤小鼠的免疫能力,而且几乎无毒。被认为是提供了实现高效低毒治疗肿瘤梦想的一种可能的新方案。

  • 标签: 肿瘤生长 纳米颗粒 抑止 高能 研究人员 生物效应
  • 简介:美国加里弗尼亚圣迭哥大学的科学家设计出一种含纳米颗粒的凝胶可用于减轻脑部的外科伤害。突发性的冲击波会将液体推进平常空着的纳米孔洞,从而可吸收巨量的能量。这一工艺的最初应用是军用头盔,可用于缓和脑部的外科损伤(TBI)。

  • 标签: 冲击波能量 纳米颗粒 可吸收 凝胶 纳米孔洞 军用头盔
  • 简介:在水、辛烷基苯酚聚氧乙烯醚(TritonX-100)、正丁醇、环己烷组成的微乳液体系中,制备并表征了氧化铝—氧化锆纳米复合颗粒。分别用透射电镜、X射线衍射、红外以及热分析表征60℃真空干燥和500℃热处理后的粉末,表明60℃真空干燥后,粉末以无定形为主;500℃时粉末粒径为5nm左右,主要是t-ZrO_2,Al_2O_3以固熔体形式存在。

  • 标签: 氧化铝—氧化锆 纳米复合颗粒 微乳液
  • 简介:采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因,同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长。

  • 标签: 金属有机化学气相沉积 氮化铝 非晶层