简介：介绍了制备纳米无机材料的电爆炸制粉技术。电爆炸方法制备纳米无机材料的生产技术因具有工艺简单、产量高，无环境污染，低能耗，产品纯度高等特点，在国内外得到广泛应用。

简介：阳煤集团大力实施产业发展战略，积极整合铝电产业资源，着力构建煤-电-铝和铝土矿-氧化铝-电解铝-铝品加工两条产业链，近日成立了阳煤集团控股的大型子公司-山西兆丰铝业有限责任公司。

简介：据国家能源局3月29日消息，2012年，全球新增风电装机4471万kW，与2011年4056万kW的新增装机容量相比有所增加，连续3年保持在4000万kW左右，全球风电开始进入平稳发展阶段。

简介：一．钛合金简介室温下，根据钛（Ti）合金的不同组织分为以下3类：α型合金、（α＋β）型合金和D型合金，其中最常用的是α钛合金和（α＋β）型钛合金。α钛合金用符号“TA”表示，β钛合金用符号“TB”表示，（α＋β）钛合金用符号“TC”表示。

简介：非晶态金属由于缺乏长程排序和相关晶界，具有许多非凡的特性，如超高强度、改进的抗蚀性能以及引人注目的磁性能。金属玻璃，即非晶态金属，其实是凝固的液体，具有非晶态的原子结构，在凝固过程中跨越了结晶这一过程。这些独特有趣的金属可以看作是另类崭新的材料。具有非晶态原子结构和成分的这类合金强度高，且处理恰当的话，可以像塑料一样进行加工。良好的性能和易加工性，为高强合金的加工和利用展示了一个新的空间。本文概述了液态金属合金的非晶金属技术，探讨了它的开发潜力。

简介：借助于Eshelby等效包容理论及粘弹性基础假设，对随机短纤维增强复合材料层与刚性平面的滚动接触问题进行了理论研究，分析了短纤维长径比和体积分数对滚动接触特性的影响，数值结果表明，滚动接触宽度和滚动摩擦系数均随纤维长径比和体积分数的增大而减小；等效接触应力分布不对称，最大等效接触应力随着纤维长径比和体积分数的增大而增大；在任意纤维体积分数和长径比下，滚动摩擦系数受转速影响较大，而滚动接触宽度更取决于载荷。

简介：放射电磁噪声（EMI）相关国际标准“CISPR22”作了修订，上限频率将从原来的1GHz提高到6GHz。欧洲将从09年10月开始率先应用，日本2010年也将更改VCCI规定的限制值。

简介：具有介电、铁电、压电等特性的铁电薄膜在动态随机存储器、移相器等功能器件上拥有广泛的应用前景，但其疲劳现象已成为应用的严重障碍，在衬底与铁电薄膜之间添加氧化物过渡层可以改善这种现象。综述了普通氧化物、钙钛矿型氧化物、超导氧化物等作为过渡层材料对铁电薄膜结构与性能的影响。

简介：综述了电沉积技术制备纳米薄膜的研究，介绍了电沉积技术制备纳米膜的基本工艺，讨论了电沉积技术制备纳米薄膜的原理、分类、应用情况，阐述了目前存在的问题，并对今后采用电沉积技术制备纳米薄膜的研究方向提出了一些建议。

简介：首先探讨了掺杂剂种类、掺杂剂用量对聚苯胺／聚酰胺纤维复合材料介电常数实部、虚部、损耗角正切、表面电阻的影响；其次研究了其外观形貌。结果表明：掺杂剂种类、掺杂剂用量对聚苯胺／聚酰胺纤维复合材料介电常数实部、虚部、损耗角正切、表面电阻影响较大；制备的聚苯胺复合材料具备良好的介电性能和导电性。

简介：研究的目的是讨论采用非均相碱脱乙酰法制备壳聚糖时，反应时间及反应温度对壳聚糖脱乙酰度（DD）及分子质量（MW）的影响，并建立合适的反应条件，制备具有适当脱乙酰度及分子量的壳聚糖产品。甲壳素是从红虾的残渣中提取的。DD和MW分别由红外光谱及静态光散射仪测定。甲壳素的DD值及MW的测量结果分别为31．9％、5637kDa。实验结果表明壳聚糖的DD值随反应时间、反应温度的增加而增加。反应温度为140℃时制备的壳聚糖的DD值比反应温度为99℃时制备的壳聚糖DD值高。反应温度为99、140℃制备的壳聚糖的加最大值分别92．2％、95．1％。壳聚糖的DD值在反应初期增长较快，随着时间的延长，增长变慢。脱乙酰反应的反应速率及速率常数随反应物DD值的增加而减少。壳聚糖的分子量随脱乙酰反应时间的延长而减小。反应温度为140℃时制备的壳聚糖的分子量比反应温度为99℃时制备的壳聚糖的分子量小。反应初期壳聚糖的分解速率为43．6％／h，随着时间的延长其值减小到20％／h，在反应后期，分解反应速率常数增加。

简介：据报道，中芯国际集成电路制造有限公司宣布，与台积电订立和解协议，这将解决双方所有待解决的诉讼。根据公告内容，中芯国际将向台积电支付共2亿美金，并向其授出约17．89亿股中芯国际股份，约占中芯国际股权的10％。同时公司原总裁兼首席执行官张汝京辞职。中芯国际和台积电都是全球领先的集成电路制造企业。

简介：以测量纳米薄膜材料La0.7Sr0.3MnO3的电阻-温度特性曲线为例,着重介绍以LABVIEW为平台的虚拟仪器技术对测量仪器的自动控制、数据读取和处理。与传统仪器相比,虚拟仪器技术将传统仪器与计算机联系起来,扩展了原有仪器的功能。而且,LABVIEW的自动控制技术也大大地提高了研究人员的工作效率。

简介：在国家863项目和中国科学院创新工程的支持下，中科院半导体研究所曾一平研究员带领的课题，采用自行研制的HVPE氮化物生长系统，通过在m面蓝宝石上磁控溅射生长薄层的ZnO缓冲层，进而外延生长获得了非极性GaN厚膜材料，该材料具有较低的位错密度，适合开发用于LED、LD等氮化物发光器件的衬底材料，同时对比实验表明，薄层的ZnO对于形成非极性GaN起到了至关重要的作用，

简介：1月13日，中电海康存储芯片研发及中试基地项目开工。据悉，该项目投资13亿元，占地50亩，计划于2017年9月投用；中试运营成功稳定后，后期产业化投资将达到百亿元级规模。

简介：概述了现有非晶合金的种类，并从合金的热力学、动力学和结构3个方面阐述了合金的非晶形成机理，同时全面总结和探讨了表征合金非晶形成能力的各种参数，主要包括Inoue经验规律、△H（熔化焓）、△S（熔化熵）、过冷液体温度区间△Tx（△Tx=Tx-Tg）、约化玻璃转变温度Trg（Trg=Tg／Tm）、粘度（η）、αβ1/3、临界冷却速度（Rc）、非晶晶化开始温度（Tx）与合金开始熔化温度（Tm）之比（Tx／Tm）、合金开始熔化温度（Tm）与玻璃转变温度（Tg）或非晶晶化开始温度（Tx）之差△Tm（△Tm=Tm-Tg或△Tm=Tm—Tx）、电子浓度e／a、原子尺寸、重力等。

简介：采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在玻璃衬底上制备出非晶硅薄膜，利用正交试验法对射频功率、气体总压、硅烷比例、沉积时间、退火温度、退火时间因素进行了研究，对透过率和电阻率进行了分析，结果表明，采用PECVD法成功制备出非晶硅薄膜。正交实验表的分析得知，气体总压对透过率影响最大；硅烷比例对电阻率影响最大。制备非晶硅薄膜的优化条件为：射频功率30W、气体总压100Pa，硅烷5％、沉积时间5min、退火温度300℃、退火时间45min。非晶硅薄膜的光透过率93．18％，电阻率为13．238kΩ·cm。

简介：在LaAlO3（001）、MgO（001）、SrTiO3（001）衬底以及SrTiO3（001）／PZT（001）种膜上用液相外延方法生长了PZNT薄膜。生长结果表明：在LaAlO3（001）基片PZNT晶粒以三维岛状自发生长。薄膜中有大量的焦绿石异相；在MgO（001）和SrlriO3（001）衬底上，为三维岛状异质外延生长。薄膜中焦绿石异相几乎消失；引入[001]取向的PZT种膜后，岛状三维生长变为二维生长，显著改善了外延膜的质量，获得了完整的PZNT膜。分析了衬底取向对紧邻层纳米尺寸范围的晶粒形成、薄膜晶粒的发育、克服薄膜中异相形成等的影响，总结了获得完整PZNT薄膜的生长条件。

简介：最近，在王中林教授领导下，由范风茹，林龙和朱光等组成的研究小组巧妙地利用摩擦起电和静电感应的原理，成功研制出柔性摩擦电发电机以及基于该原理的透明摩擦电发电机兼高性能压力传感器。最新相关成果近期发表在《纳米能源》和《纳米快报》上。

简介：建立了复合铁电薄膜的理论模型，具有不同相变温度的铁电组分垂直于极化方向进行复合，引入局域分布函数描述不同组分间过渡层的性质，采用Ginzburg-Landau-Devonshire（GLDI）唯象理论展开研究。通过改变复合铁电薄膜的组分数量（2种和3种），主要研究了复合铁电薄膜的极化、相变及热释电性质，并与均匀铁电薄膜的相关性质进行对比。研究表明组分数量的变化对铁电薄膜的相变和热释电性质有着重要的影响。2组分复合而成的铁电薄膜与均匀铁电薄膜一样都只出现1个热释电峰，而3组分复合而成的铁电薄膜随着温度的变化出现了2个热释电峰。2组分薄膜的热释电峰和3组分薄膜中的1个热释电峰峰值较均匀铁电薄膜的热释电峰的峰值有所升高。