简介:目的观察正畸对牙周膜机械感受器的影响,探讨正畸牙移动的机制。方法成年雄性SD大鼠30只,随机分为6组,每组5只。左上第一磨牙(ULM1)为对照,右上第一磨牙(URM1)施加0.49N近中向的拉力,分别在加力3、21天时,以及去除加力后7、14、21、28天时处死大鼠;取含磨牙及其周围牙槽骨的组织块,常规固定、脱钙、PGP9.5免疫组化染色。镜下观察压力侧牙周膜机械感受器形态的改变,并测量形态肿胀、模糊的机械感受器的面积百分比。结果加力后大部分牙周机械感受器均出现膨大和模糊的外形,在加力21天时形态肿胀、模糊的机械感受器比加力3天时明显增多(P〈0.05)。去除加力后,这种类型的机械感受器逐渐减少,但21天后尚未恢复到加力前水平(P〈0.05),均未见炎性细胞。结论正畸加力中牙周膜神经出现类似损伤性改变的应激反应。这种神经改变在去除正畸力后需要较长时间修复。
简介:目的评价810nm半导体激光与他克莫司软膏治疗糜烂型口腔扁平苔藓(orallichenplanus,OLP)的疗效。方法选择2016年1—12月中国医科大学口腔医学院急诊·黏膜病科收治患者中符合糜烂型OLP诊断标准的患者60例,随机分为试验纽与对照组,每组30例。试验组应用波长为810nm的半导体激光进行局部照射治疗,对照组应用他克莫司软膏进行局部涂擦治疗,两组患者分别治疗2个月,并在第3及第6个月进行随访。根据中华口腔医学会口腔黏膜病专业委员会的“OLP(萎缩型、糜烂型)疗效评价标准(试行)”进行疗效评价。结果治疗结束后两组患者病损面积、症状和体征得分均减小,总有效率差异无统计学意义(P〉0.05);第3和第6个月随访时,激光治疗组的复发率低于他克莫司组,两组比较差异有统计学意义(P〈0.05);他克莫司组9例患者出现不良反应,激光治疗组未发现有不良反应患者。结论半导体激光与他克莫司治疗糜烂型OLP即刻疗效无差异;与他克莫司相比,半导体激光治疗能更长时间地控制OLP,抑制复发,具有较好的疗效,且无不良反应,值得临床推广使用。