简介：Lyot型滤光器由多个基本单元构成，每个基本单元由两个透偏方向平行的检偏器及夹在两个检偏器中间的单轴晶体组成。受晶体厚度加工误差、环境温度变化等的影响，Lyot型滤光器的峰值透射波长会发生漂移。当带宽较窄时，峰值波长相对于信号光波长的漂移会引起信号光透过率的严重下降，这对实际工程应用极为不利。因此，客观上需要对双折射窄带滤光器的中心波长进行精确地调节。

简介：本文介绍的全自动交流稳压器具有电路简单、元器件易购、调试方便、实用性强等特点。

简介：结合线性二次型性能指标最优控制理论的设计方法,通过具体实例介绍在Matlab5.3环境下完成一个线性二次型最优控制器的设计过程,并研究了参数变化对最优控制系统的影响。

简介：径向三腔预调制型同轴虚阴极振荡器的三腔调制腔结构由3个半开放式同轴谐振腔构成,能起到显著的束流调制作用,从而提高了电子束与微波场的耦合效率。数值模拟结果表明：改变调制腔长度可对系统工作频率进行调谐,其效率为3dB时的调谐带宽约为400MHz。经过优化设计,在二极管输入电压约为600kV,发射电流约为60kA的条件下,获得了平均功率约为7.2GW,工作频率为2.67GHz的微波输出,束波转换效率达到20%。

简介：ＤＭＸ－Ｉ型电子模拟式手弧焊工训练器为国内首创的机电一体化的初级焊工训练器、本文对训练器商品化的前景，训练器的功能的完善等方面的问题进行了讨论．

简介：在高功率自由电子激光初级实验装置（CFEL）研究中，驱动激光直接照射光阴极而发射电子，其性能将在很大程度上决定注入器乃至整个自由电子激光实验系统的性能：如电子束微脉冲宽度、电子束微脉冲流强、电子束微脉冲峰值抖动等。文中针对CFEL初期研究目标（3～8μm）对光阴极注入器的要求，对光阴极RF腔注入器的驱动激光器进行了方案设计，提出了驱动激光器的参数要求。根据方案进行了工程实施，购置了锁模激光器和时间同步器，放大与倍频系统正在研制当中。

简介：电位差计常用于精确测量电动势、电压、电流、电阻等电学量，在实验室可用来校准电表。文章对实验室经常、频繁使用的电流表采用UJ31型电位差计配用不同的平衡指示器进行校准，对所测数据进行分析对比，得出被校表的准确度等级及采用不同平衡指示器时的测量结果。

简介：TN36696031906测量大气中SO2浓度的光学传感器及国产化=OpticalsensorsformeasuringairSO2concentrationanditsnationalization[刊,中]/孙金陵（郑州市环境保护监测中心.河南,郑州（450007））//仪器仪表与分析监测.-1995,（2）.-21-24介绍了国外SO2监测仪中的光学传感器的原理、结构和性能指标及国产化研究。该传感器的国产化对发展我国的环境大气自动连续监测有着重要意义。参1（方舟）

简介：基于功率MOSFET器件研制了一种能产生高压高速脉冲的发生装置.设计了由超高速运算放大器构成的宽频带放大器和MOSFET互补推挽驱动电路,分析了功率MOSFET器件的开关特性,并讨论了影响其工作速度及工作频率的因素.脉冲发生器输出脉冲幅值最高可达-500V,前后沿时间均小于5ns.脉冲宽度和频率根据输入触发信号进行调节,触发延迟小于30ns,触发抖动小于500ps.

简介：利用5V数字逻辑电路、多种高低压高速金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）及8路3级驱动电路，逐步提升MOSFET管的能力。利用输入触发信号控制产生具有一定时序关系的8路初级驱动信号，再经过次级驱动电路，提升为8路中高压驱动信号，加速输出级开关，产生高性能的双极性门控信号。该门控脉冲发生器工作电源电压为12V，输出电压为50～-200V，输出脉冲前后沿均为1．5ns，输出信号的脉冲宽度由输入信号控制调节，可在最小输出脉冲宽度3ns至直流信号之间变化。脉冲工作时，最大重频为3．3MHz，固有延迟为50ns，触发晃动小于0．2ns，体积为86mm×43mm×23mm。

简介：TN248.52003010215光泵腔式远红外激光器的工作参数研究=StudyofoperatingparameterofanopticallypumpedcavityNH3far-infraredlaser[刊,中]/冉勇（荆州师范学院物理系.湖北,荆州（434104））,秦家银…//激光与红外.-2002,32（4）.-245-247在研究光泵腔式NH3分子远红外激光频谱特性的基础上,应用量子系统的密度矩阵理论,采用迭代法和增益迭加原理计算了以TEACO2-10R（8）泵浦的NH3分子腔式远红外激光器的最佳工作参数。提供了光泵腔式NH3分子远红外激光器（腔式NH3-OPFIRL）的工作参数之间的关系曲线。图4参8（杨妹清）

简介：用戴维南定理来推导T型网络—∏型网络的等效变换公式,思路清晰,过程简单,较适合于课堂教学时使用。

简介：对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1MeV等效中子辐照效应实验。结果表明，在注量为1.5×10^15cm^-2的中子辐照后，器件的阈值电压没有发生明显变化；栅压较大时，辐照后的饱和漏电流变小，这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关；当漏极电压小于200V时，器件的关态漏电流明显增加，表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽，但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化，说明其对中子辐照具有一定的免疫能力。

简介：TP212.142003032080基于CMOS图像传感器的成像系统设计=ImagingsystemdesignbasedonCMOSimagesensors[刊,中]/宋勇(北京理工大学信息工程学院.北京(100081)),郝群…∥光学技术.—2002,28(3).—253-254,256以OV5116CMOS图像传感器为例,讨论了基于CMOS图像传感器的成像系统的电路设计方法及系统设计中应注意的问题;通过对CMOS图像传感器外围电路的优化设计,实现了成像系统的微型化和轻量化。图2表1参5(方舟)

简介：TP2122004032130光波导三向力触觉传感技术中的二维与三维有限元模型分析=AnalysisofplanarandtriaxialFEAmodelinopticalwave-guidedthree-axistactilesensingtechnology[刊.中]/潘英俊(重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室.重庆(400044)),刘嘉敏∥电子测量与仪器学报.—2003,17

简介：介绍PID控制器的计算机仿真实验教学法。首先在Matlab中应用Simulink模块构建一个基于PID控制器的自动控制系统。然后通过仿真运行系统,对系统的动态响应曲线进行观察和比较,分析了PID控制器中比例、微分和积分各环节所起的作用。通过实验观察和分析,使学生对PID控制器各环节的作用有了直观明确的认识,取得了良好的教学效果。

简介：注入器设计过程中主要关注的指标有微脉冲束流强度、电子能量、电子束能散度、反轰功率和发射度等。为了满足自由电子激光研究的需要，要求峰值流强大于5A。由于热阴极微波电子枪存在电子反轰，束流负载效应将引起能散度的增加，因此为了降低能散度，要求尽量降低反轰。利用Suoerfish程序进行了腔形优化设计，分析了加速腔内的电场分布，计算了腔壁的损耗。利用Parmela程序进行了束流动力学计算。为了提高首腔的电子俘获系数，减小电子反轰，设计过场中采用了缩短首腔长度，

简介：本文介绍了一种演示器，可形象直观的演示滑动变阴器的工作情况。

简介：本实验用惠斯通（Wheatstone）电桥测量了半导体电阻R随温度的变化规律，同时确定了本征半导体材料的禁带宽度△E。

简介：装置通过STM32系列单片机作为控制芯片,对电流大小进行控制。同时利用电路简单、精度高的传统恒流源电路,反馈电路和控制电路设计出可以通过蓝牙控制的磁场发生器。