简介：

简介：为了使学生加深对缩聚反应的理解,在应用化工实验课程中增开聚乙烯醇缩甲醛的合成实验;摈弃传统按部就班的实验方法,通过正反实验的对比,将学生分组,分别探讨催化剂用量、反应温度、反应时间、反应物比例及胶水的pH值等对实验结果的影响,增强学生的实验兴趣,巩固学生的理论知识。

简介：管网的建设是城市给水工程的一个重要环节,针对目前供水管网穿孔比较严重的实际情况,探讨耐腐蚀、寿命长的新型管材来替代旧铁管线的可能性,改善管网的合理布局,从而减少水的浪费和减少管网水质的二次污染。

简介：根据在酸性介质中羟醛缩合反应是可逆的原理,对聚乙烯醇缩甲醛的制备过程中出现的凝胶进行再生处理,减少了原料浪费。经处理后的产品能够达到产品质量指标的要求。

简介：高吸水树脂属于新型功能高分子材料,其应用广泛.我国主要研究对象是淀粉接枝丙烯腈和丙烯酸盐系,聚乙烯醇(PVA)系高吸水树脂只有少数单位进行过研制.文章采用悬浮聚合法,以顺丁烯二酸酐为交联剂,添加来源广泛、价格非常低廉的高岭土,制得了聚乙烯醇高吸水性复合树脂.该树脂的吸水倍率和吸盐水倍率分别为256和29倍.通过实验,讨论交联剂用量、高岭土添加量、水解程度等因素对吸水性能的影响.并对树脂吸水速率和保水性能进行实验.

简介：乙丙橡胶是乙烯和丙烯为基础单体共聚而成的一类合成橡胶的统称，它是一种无定型的非结晶橡胶。乙丙橡胶包括两种类型。三元乙丙橡胶和氯化聚乙烯在低压电缆中的应用包括材料的选择及配方确定和加工方式及工艺的确定。

简介：摘要：通过带有超声振动系统的注塑成型实验装置，选用高密度聚乙烯（HDPE）材料在不同超声功率条件下进行了成型实验，测量了HDPE制件的结晶度和抗拉强度，研究了超声功率对制件结晶结构和力学性能的影响。结果表明，在一定范围内增大超声功率，能够促进分子内部结晶结构的形成，进而提高制件结晶度，改善制件力学性能。过高的超声功率不利于熔体内部稳定结晶结构的形成，会使制件的结晶度和力学性能降低。当超声功率为600W时，制件可获得最大的结晶度和抗拉强度。

简介：①当年不知哪位“勇士”壮胆品尝了一下螃蟹，从此为后人留下菜肴中的美味。现在有人却津津有味嚼吃了一种薄膜，也有可能导致改变迄今人类认为包装薄膜不能食用的固有观念。

简介：

简介：一、乙烯的分子结构点拨1．在写结构简式时，单键可以省，双键不能省，故乙烯的结构简式不能写成CH2CH2。2．乙烯分子中6个原子在同一平面上，由此可以推测将4个氢原子逐渐用-CH3取代时，这些碳原子也与原来的碳原子在同一平面上。3．注意球棍模型与比例模型的区别。

简介：本文系统地阐述了介质薄膜的特性矩阵理论,严密地论证了几种典型薄膜特性矩阵的构成以及薄膜反射率、透射率的矩阵元表示的普适性。论证表明,分层介质薄膜的透射率在正、反向光路中可以是非均匀的。

简介：本教学设计从社会热点出发,充分利用模型和实验,以问题引领学生探究乙烯结构和性质,解决生活中的化学问题,促使学生认识社会发展与化学应用的密切关系,引导学生辩证地看待化学品的使用。

简介：

简介：在分析与求解光的劈尖干涉时，讨论几种不同情况下的劈尖，然后根据极大、极小条件得到相应的计算公式，可避免在计算当中出现错误结果。

简介：采用溶胶-凝胶法制备了不同晶型和晶粒尺寸的氧纳米化铝纳米薄膜;通过XRD及AFM分析表征了烧结温度对纳米氧化铝薄膜的晶型及颗粒尺寸变化的影响。在900℃烧结时,氧化铝结构薄膜样品以非晶相和γ-Al2O3共存,颗粒尺寸50纳米;当烧结温度为950℃时开始向θ-Al2O3转变,颗粒尺寸几乎不变,有小颗粒生成,1050℃时基本完成θ-Al2O3转变,颗粒尺寸15纳米,1200℃时基本完成向α-Al2O3的转变,颗粒尺寸20纳米,在晶型转变过程中其晶粒尺寸由大变小而后再变大。

简介：采用溶胶-凝胶工艺制备了MgO薄膜.X射线衍射谱显示,随热处理温度升高,薄膜结晶质量提高;原子力显微镜观测也得到相同的结果,且随热处理温度升高,薄膜表面粗糙度增加.

简介：以菲涅耳公式为基础，计算光垂直入射介质界面的反射率和单层增透膜、增反膜的反射率。推导出多层膜系反射率的计算公式，并计算了几种多层增透膜、增反膜的反射率．

简介：目的指出《关于乙烯制取实验的环保设计》一文中存在的不足之处；改进乙烯实验室制备方法,方法文献资料与实验研究,结果依据原实验原理，设计了新的实验方案，收到了良好的实验效果,结论该方案乙醇转化率高，乙烯纯度高；且装置简单，操作方便，便于控制，便于连续作业，是一种较理想的实验演示方法.

简介：以Sr（OOCCH3）2·H2O,Ti（OC4H9）4为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了STO薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60min退火形成立方钙钛矿结构.用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SrTiO3薄膜的最佳退火工艺.STO薄膜的介电特性分析：在100kHz下,室温时,STO薄膜的介电常数为475而介电损耗为0.050.

简介：通过射频磁控溅射的方法制备了Ta掺杂SnO2薄膜，研究了薄膜的结构和低温下电阻率随磁场的变化规律.测量表明低温下呈现出负的磁电阻，但是，二维、三维弱局域理论均不能解释样品中出现的负的磁电阻现象.综合考虑了三阶微绕近似的s-d交换哈密顿的半经验公式△ρ/ρ=-B1^2ln（1＋BH））和双能带模型的相关公式Δρ/ρ=B3^2H/（1＋BH）拟合了样品在5T以下的磁电阻的数据，理论和实验符合得很好．结果表明Ta掺杂SnO2薄膜中的磁电阻源于局域磁矩的传导电子散射．