简介：本文介绍了Infineon公司专为Inom〉300A中大电流应用设计的最新的650VIGBT4。与600VIGBT3相比，该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度，减小了MOS沟道的宽度，提高了背面的发射效率。相应地，器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。

简介：飞兆半导体公司日前推出四款30V、N沟道PowerTrenchBMOSFET，在小尺寸封装中提供高效率和耐用性、能满足今日最具挑战性和讲究空间应用的汽车应用要求。

简介：英飞凌（Infineon）公司的CoolMOSCS服务器系列高压功率MOSFET克服了硅的性能局限，其TO220封装的导通阻抗为99mW，TO247封装的导通阻抗为45mW，可承受600V电压。它们的开关速度为150V／ns，允许工程师设计体积更小、效率更高、发热更少的高端电源。

简介：介绍了C8051F020单片机和图形点阵液晶显示模块FM12232C的性能特点，分析了在单片机C8051F020主控下FM12232C的硬件接口电路和软件设计方法，利用该方法可成功实现对液晶模块的控制和汉字显示。

简介：阐述铝电解电容器漏电流产生的原因，分析了漏电流回升的问题，采用合理选择阳极箔、化成引线、严格工艺要求、适当老练及开发高品质的电解液等途径。研制成５０Ｖ低漏电流品，并通过了例行试验，取得良好的效果。

简介：碳化硅[SiC]优越的材料性质为电力电子器件提供了比传统的硅基器件更优越的性能。最近开发了一种1200V、50A的SiCDMOSIrET已用于开关电路。在此基础上，又研制了一种1200V，550A完全用SiC的对偶模块。本文阐述其中每个开关用11个SiCDMOSFET和11个SiCJBS＊组成的先进对偶模块的实验特性。

简介：本文介绍了辽河油田6000V／1800kW注水泵供电变频改造的情况。基中包括变频器设计及制造中的一些技术问题和改造前后注水泵运行情况的对比。

简介：给出了一种MIS通信系统信息处理器的硬件设计方法,该方法利用单片机STC89C58作为微控制器来控制SCC对数据的打包和解包,从而实现MIS通信系统的接收和发射信息的处理。此外,文中还介绍和分析了MIS系统核心部分的芯片选择方法。

简介：电快速脉冲群实验（IEC61000—4—4EFT／BurstTest）及其对策综述。

简介：世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今日宣布，公司与其技术合作伙伴中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）通力合作，开发的6500VTrenchFSIGBT（沟槽类型场终止绝缘栅双极晶体管）取得了阶段性的突破，标志着国内自主高压高功率IGBT芯片从设计研制到工艺开发的整体贯通又上了一个新的台阶。

简介：C＆DTechnologies在其1U高度、冗余、热插拔前端电源D1U系列中又增添了1600W48V输出的产品。D1U-W-1600-48-H采用经验证的拓扑学和高密板载功率结构的技术，最大程度地提高了空间效率，可使输出线的功率密度达到70W／立方英寸。

简介：本文介绍了四方V560矢量型变频器在吹膜机收卷上的成功应用。

简介：4月份主要印刷电路板（PCB）材料价格纷纷上涨，包括玻璃纤维和覆铜层压板（CCL）。受淡季影响，预计第二季度PCB需求将持续疲软。行业观察者评论说，商家是否能顺利调整材料价格尚有待确定。

简介：本文介绍了用TMS320C5402在线擦写Flash芯片的方法。硬件电路选用DRAM芯片IS61LV25616AL（256K×16bits）作为片外程序存储器，以提高程序运行速度，用FLASH芯片AT29LV1024（64K×16bits）作为片外数据存储器来实现Bootload，使TMS320C5402芯片能独立运行；软件设计用DSP汇编语言来编写擦写程序，并给出了参考程序。

简介：ARM处理器在嵌入式系统中的地位越来越重要，S3C2410作为ARM9微处理器家族中的一员，应用已十分广泛。文中简述了ARM处理器的中断异常种类、响应和返回过程；重点讨论了S3C2410中断控制器的结构和处理机制，以及对IRQ中断的具体处理流程，最后给出了详细的参考代码。

简介：以沈阳市自来水总公司五水厂和尹家2,3井群为试点，通过对取水井工艺及其设备运行情况的调查和出水量，出口压力及导水管线流量的测试，提出取水井的最佳配置方案，使水泵合理提升扬程，机泵高效运行，从而达到井群取水系统节能降耗的目的。

简介：本文重点介绍覆铜板“无铅”化的紧迫性，相关产品的研发及初步成果。

简介：在工业现场，通常在用一个仪表放大器来完成信号的调理，进行长线传输时，往往会产生以下问题：（1）由于传输的信号是电压信号，传输线会受到噪声的干扰；（2）传输线的分布电阻会产生电压降；（3）在现场如何提供仪表放大器的工作电压。

简介：本文闸述一种被称作双模式绝缘栅晶体管（BimodeInsulatedGateTransistor，缩写为BIGT）的所采用的逆导IGBT概念在实用化方面的进展。介绍了一种采用BIGT技术制造的额定电流超过2000A的3300VHiPak模块，给出了静态、动态特性的测试结果以及棚关参数，这反映出采用新技术后器件的基本性能将要达到的水平。本文还涉及器件的安全工作区、软度、可靠性等其他方面的性能，测试时的结温最高达到150℃。此外，首次给出丁在硬开关频率条件下的BIGT的性能。

简介：在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。本文将讨论其主要技术特点