简介：高锰酸钾去钻污法是目前除胶渣流程广泛使用的方法,具有稳定性好,经济高效,便于操作等优点。随着各个PCB生产企业生产流程和工艺的不同,所采用的浸槽时间也不尽相同,溶胀与去钻污时间配合不好,会造成孔内钻污去不净或者过蚀的现象,所以正确掌握溶胀与去钻污的配合时间对PCB生产企业有着重要的意义。

简介：本文首先简要介绍几种最近开发的非接触电气检测技术的基本原理，而后对DFT（DesignforTestability/可测性设计）的具体方式BIST(Built-inselftest/板内自测试）、边界扫描法及SCTTT法（StaticComponentInterconnectionTestTechnology)等非接触电气检测的具体方法进行了详细论述。

简介：由于沉镍金工艺存在有黑盘的缺陷,所以一些板件的表面处理兼有沉镍金和OSP,即选择性沉金;在进行OSP表面处理时,OSP面需要先进行微蚀处理,而已完成沉镍金的地方同样会经过微蚀段,微蚀及不同的微蚀量对金面是有一定的影响的;本文通过制作不同沉金时间的板件,试验不同微蚀量处理后金面的受攻击情况。

简介：DiMog半导体公司日前宣布，首次推出两款纳安级电源PMIC—DA9230和DA9231。这两款新的PMIC在降压电路激活，并且在没有负载的条件下，仅消耗750nA总输入电流。它们是目前市场上同类别尺寸最小的PMIC，帮助持续运行的物联网应用实现更长的运行时间和更高的效率。

简介：本文对一种非聚四氟乙烯微波多层印制板的制造工艺流程进行了简单的介绍，对所采用的层压工艺技术和品质控制进行了较为详细的论述。

简介：新思科技公司（Synopsys，Inc．，）日前宣布：其专为功耗和面积要求严格的无线应用和RFID／NFC集成电路而进行了优化的DesignWareAEON多次可编程（MTP）超低功耗（ULP）非易失性存储器（NVM）IP开始供货。

简介：经过8个多月的努力，英特尔大连非易失性存储制造新项目日前实现提前投产。1000多名英特尔员工和来自全世界的数千名项目建设供应商员工，正井然有序地忙碌着，他们的共同目标只有一个：全力加速非易失性存储制造新项目的量产步伐。

简介：士兰微电子针对高性能非隔离LED照明驱动应用推出了系列驱动芯片SD690XS系列。该系列芯片属于内置高压MOS管的驱动电路，可以称之为真正的恒流源，能够实时逐周期检测、控制真实的输出电流，在输入电压、输出电压、及外围电感发生变化时输出电流变化很小。SD690XS使用了多项专利技术，性能优异，具有高PFC、高恒流精度和高转换效率等特点，可广泛应用于球泡灯、TS／T8LED灯具等各式LED照明应用场合。

简介：恩智浦和瑞萨科技公司日前宣布双方已经就扩展恩智浦MIFARE？技术专利使用权许可达成协议。这项协议旨在推动非接触基础设施中预付费和近距离通讯（NFC）服务的适用性。该专利使用权许可协议满足了非接触应用模式扩展的行业需求，并将进一步巩固瑞萨在全球高端手机和双界面银行应用领域的安全MCU的市场地位。瑞萨计划提供全系列应用MIFARE技术的安全产品以满足全球手机和非接触支付行业的需求。

简介：瑞萨电子株式会社日前推出的R—CarV3M入门套件可以简化并加速开发新车评估项目（NCAP）的前置摄像头应用、环视系统和激光雷达。新入门套件以R—CarV3M图像识别SoC为基础，为日益增长的NCAP前置摄像头市场提供兼顾低功耗和高性能的方案。通过将R—CarV3M入门套件与支持软件和工具相结合，系统开发人员可轻松开发前置摄像头应用，从而有助于减少开发工作量、缩短产品上市时间。