简介：近日,日本研究者着眼于绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)在轻掺杂碳化硅材料中实现了少数载流子寿命的延长。这些新型产品有望实现超过10kV的高压条件下电力的传输和分配。器件一般需要较低电阻值和相对较厚的漂移层才能实现高压条件下的运行。而对于碳化硅材料,尤其p型碳化硅材料,漂移层电阻会受到少数载流子寿

简介：<正>碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统,科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。全新科锐1200VMOSFET器件可提供业界领先的功率密度及转换效率,而每安培成本仅为上一

简介：市场研究单位YoleDeveloppement（Yole）指出，碳化硅（SIC）电力电子产业发展具高度潜力，包括ROHM,Bombardier,Cree,SDK,STMicroelectronics,In-fineonTechnologies,Littelfuse,Ascatron等厂商都大力投入。Yole预测到2023年SiC功率半导体市场规模预计将达14亿美元，2016年至2023年间的复合成长率（CAGR）为28％，2020～2022年CAGR将进一步提升至40％。

简介：在亚微米的半导体生产制造技术中，二氧化硅工艺中的颗粒污染会造成漏电流形成击穿电压，已经成为产品良率的主要影响因素。文章主要针对目前市面上流行的TELAlpha-8SE的立式APCVD二氧化硅炉管制造工艺中所遇到的颗粒污染问题进行研究。通过大量的对比性实验，进行排查与分析，并利用各种先进的实验设备和器材，炉管、高倍度电子扫描设备、先进的光学仪器和缺陷分析设备等，找到产生颗粒污染的原因，并且找到解决问题的方案。在减少机台停机时间的同时，提高了机台的使用率，而且改善了颗粒污染的状况，最终获得良率的提升，优化了制造工艺。

简介：<正>美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计,面积为160μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5MHz,量子效率在270nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。

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简介：<正>日前,碳化硅（SiC）功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFETTMMOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路,与传统硅器件相比,可实现更高的能源效率。

简介：<正>经过近一年的推进工作,美国罗格斯大学赵建辉教授的第三代半导体碳化硅(SiC)外延及器件产业化项目,目前已确定落户中关村海淀园。该项目中试及初期生产场地最终确定在海淀东升科技园,目前已签订租赁协议。该项目致力于开拓第三代半导体碳化硅的全球市场,建设碳化硅半导体

简介：气密封装对采用裸芯片组装而成的多芯片组件至关重要,它可以让组件内部长期保持惰性气氛,降低元器件因湿气造成的环境失效。可伐材料是一种常用的封装材料,在微组装领域应用广泛。为弥补这种材料材料密度大、导热性能差的缺点,结构上选择铝碳化硅材料增强散热效果,同时达到减重的目的。采用低温钎焊工艺进行材料间连接,针对前期研制过程中出现的半密封检漏不合格问题进行分析,开展焊料选择、焊接参数优化工作,使半密封检漏漏率小于5×10-2Pa·cm3/s。

简介：<正>中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极管产品鉴定会暨新产品信息发布会近日在北京举行。鉴定委员会认为该公司的量产

简介：<正>东芝公司最新发布了一系列500KA和750KA的不间断电源,供应于有碳化硅基功率器件构建的数据中心。G2020系列运行效率为98%,据称是双倍转换式不间断电源行业内最高的运行效率。与传统的不间断电源相比,G2020系列新产品产生热量、噪声和干扰较小,降温成本较低,也更加节省能源。东芝公司功率器件部门的产品经理JesusPenalver表示,功率电力电子的未来在于碳化硅功率开关转换技术,该技术具有高于传统技术33%的结温,更高的转换开关速度,和极低的转换损耗。G2020系列产品相较前一代产品G9000footprint尺寸缩小17%,比市场同类竞争产品的尺寸最高缩小57%。

简介：金属清洗手册是瑞典的环境研究院(IVL)、金属研究院、表面化学研究院共同编写的一本学术专著，在编写过程中得到瑞典环保局和瑞典国家工业技术发展基金的资助。此书系统地总结了瑞典1996年之前在清洗行业全部淘汰ODS清洗剂以及二氯甲烷等含氯清洗剂的替代技术和经验。瑞典专家在参加中国洗净工程技术合作协会200；5年11月在北京举办的国际论坛和清洗设备展览会时，把此书赠送给我们。我们认为此书不仅对我国的金属行业，而且对整个清洗行业淘汰ODS的工作都有借鉴意义，因此将其主要内容以连载的形式在“国际”栏目上发表，以飨读者。

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简介：党的十八大报告提“促进工业化、信息化、城镇化、农业现代化同步发展”的“新四化”。“报告”要求“新四化”应同步发展，也就是希望在“新四化”中不应存在“短板”。

简介：第四代移动通信将能通过任意终端、在任意时间、任意地点提供低成本的兆比特／秒级的业务。

简介：判断1:2008年全球LCD芯片市场将达70亿美元由于液晶电视和液晶电脑显示器产品将快速发展,到2008年,全球LCD芯片市场规模将从今年的37亿美元增至70亿美元.这意味着到2008年,全球LCD芯片销售额将出现17%的复合增长率,而单位出货量将增长29%.LCD半导体市场的快速增长,反映出笔记本个人电脑(PC)显示器面板,台式PC的液晶显示器和液晶电视市场的需求上升.预计笔记本和台式电脑的液晶显示器市场规模亦将自1176亿台增至2.264亿台.

简介：在推导时差无源定位和定位精度的基础上,重点分析了T型、Y型、菱形、正方形等典型四站布站的定位精度;分析了布站基线长度、布站高度、站址误差、测量误差等因素对定位精度的影响;分析了不规则布站对定位精度的影响。仿真结果表明,四站时差无源定位精度与布站方式密切相关,工程应用应根据不同需求选择适合的方案。

简介：影响清洗工艺的因素主要有四个：化合物、温度、能量和时间。不同因素的结合可确定元件清洗的洁净度。本文对每种类型清洗工艺的基本因素进行了调查研究，其对于你确定哪一种工艺最适合于你的应用需求是很有帮助的。

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