简介：随着射频技术的广泛应用和发展,射频封装已经呈现出更高密度功能集成、更高功率、更高频率和更低成本的发展要求。在这些要求下,3D封装、大功率射频器件集成、多种信号混合集成、硅中道工艺顺应而出。相对于传统射频封装,基于硅中道工艺的先进射频封装面临结构、热管理、信号完整性和工艺等多方面的挑战。
简介：先进节点逻辑集成电路制造是当前工业界的领先工艺。为实现接触（Contact）层的光刻工艺,需要从两个关键方面进行处理：解析度和全间距的共有工艺窗口。离轴照明＋相移掩模＋亚解析度辅助图形多种解析度增强技术的组合使用是解决光刻成像的方法。从优化接触层离轴照明的类型方面解决光刻制造工艺的问题。
简介：评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污,芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤。该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求。
简介：当具有诸如分层等可靠性缺陷的微电子器件焊接在线路板上,通过回流焊时会产生塑封体裂缝、塑封体鼓胀等重要缺陷。粘片胶未充分固化、水汽未完全排除、环境湿气较大易吸湿等原因导致水汽沿着塑封体与引线引脚向内部扩散。表现为各结合面的分层,粘片胶与芯片之间、塑封体与引线之间、塑封体与芯片之间,各种分层在快速加热产生的热应力下水汽快速膨胀,从而引起器件可靠性隐患。
先进射频封装技术发展面临的挑战
先进节点接触层照明类型优化解决光刻制造要求
硅的深度反应离子刻蚀切割可行性研究
粘片胶固化对塑封集成电路可靠性的影响
