简介：在室温下采用透射电子显微镜中汇聚的电子束辐照多壁碳纳米管。结果表明,在能量为100keV的电子束辐照下除了碳纳米管管壁有一些弯曲外没有其他结构被破坏;当电子能量增加到200keV时,纳米管有明显的损伤,可以观察到纳米管的无定型化、纳米管外壁的凹坑和缺口。200keV的电子束辐照还能形成碳洋葱和2根多壁纳米管的焊接。多壁碳纳米管的离位阀能为83~110keV。能量超过阀能的电子束可以很轻易地损伤纳米管而低于阀能的电子束则很难损坏纳米管,其损伤机理为溅射和原子离位。

简介：进入新世纪以后，我国的环境保护压力越来越大，作为加入世界贸易组织的承诺之一，我国于2001年开始废旧电子电器回收利用的立法工作，作为WEEE法规的姊妹篇：

简介：铝基覆铜板是覆铜板体系中的一类重要产品，近年来全国已有十几家专业公司生产制造该产品，产能已达20万m^2左右。然而迄今尚无国家标准。制定该产品的国家标准，已是行业的迫切需要。

简介：采用气压浸渗法制备中体积分数电子封装用Al/Si/SiC复合材料。在保证加工性能的前提下,用与Si颗粒相同尺寸（13μm）的SiC替代相同体积分数的硅颗粒制得复合材料,并研究其显微组织与性能。结果显示,颗粒分布均匀,未发现明显的孔洞。随着SiC的加入,强度和热导率将得到明显提高,但热膨胀系数变化较小,对使用影响也不大。讨论几种用于预测材料热学性能的模型。新的当量有效热导被引入后,H-J模型将适用于混杂和多颗粒尺寸分布的情况。

简介：散热问题已成为电子设计者面前的最大挑战之一,研究开发导热性好并且与铜箔（铜线路）间有较好的粘结强度和刚度的绝缘层材料对HDI电路板的应用具有重要意义。随着2008年欧盟RoHS指令的逐步开始实施,现有电子元器件含溴阻燃体系逐渐禁用,因此无卤2W导热率导热膜开发意义重大。

简介：玻璃纤维及其制品，是一种性能优异的无机非金属材料。由于其纤维强度大，弹性模量高，伸长率低，电绝缘、耐腐蚀，所以通常作为复合材料中的增强材料、电绝缘材料和绝热保温材料等。其用途遍布国民经济的诸多领域。其中的电子级玻纤布则是覆铜板的三大主要原材料之一，在玻纤布基覆铜板比重越来越大的今天，其在电子基础材料领域所起的作用也日益明显。随着电子产品日趋轻薄化、小型化、数字化，使覆铜板日趋高技术化。作为覆铜板重要原材料的电子玻纤布，自然成为制约覆铜板向高技术发展因素之一。

简介：本文简介了使用电子铜箔制造的覆铜箔板，以及中国大陆覆铜箔板产业发展的规模，测算了近10年来覆铜箔板对铜箔的数量需求，基于我国铜箔行业的产业规模和技术质量水平的现状分析，对铜箔行业的发展提出一些看法。

简介：全球玻璃纤维工业从二十世纪三十年代末期诞生至今，在经历了近七十年的坎坷发展历程后，已经成为一门崭新的独立工业体系，逐步渗透到全球各国国民经济的各个工业部门，如交通，建筑，电子，电气，化工，冶金，基础设施，航空航天及军用尖端等工业领域，成为工业发展及科技进步不可缺少的新型工程材料与结构材料．

简介：根据《电子信息产品污染控制管理办法》规定和《电子信息产品污染控制重点管理目录制定程序》要求，工业和信息化部于近日对《电子信息产品污染控制重点管理目录（第一批）》进行了公示，公开征求业内企业意见。公示截止日期：2009年11月9日。具体内容如下：

简介：本文详细阐述了我国电子玻纤工业二十多年来，从开发试验，到技术引进，消化吸收，继而蓬勃发展的历程。

简介：苏州的台资腾辉电子公司首席运营官钟健人先生接受了PCB网城采访。他向记者介绍:在亚洲,腾辉电子是除了日本公司以外产品最齐全的公司,这意味着我们可以提供各式各样的CCL、铝基CCL、适用于军工和航天用特殊基板、软硬结合板等,满足业内

简介：潮湿、腐蚀、进水是造成电子产品寿命降低或损坏的重要因素，在电子产品表面涂覆防护涂层，是提高电子产品使用寿命的重要方法之一。目前大多数电子产品采用三防漆和派瑞林涂层实现防水与防护，然而由于三防漆和派瑞林涂层相对较厚，涂覆于电子产品表面后影响产品的外观、导电性、散热性和信号传输性。因此如何利用纳米级别涂层替代三防漆和派瑞林，在保证防水、防护性能的同时，尽量减少其对产品的外观、导电性、散热性和信号传输性的影响，是电子产品防水涂层研发过程中需要解决的关键技术问题。

简介：利用基于密度泛函理论（DFT）的广义梯度近似（GGA）研究四方相BiOCuS的电子结构、化学键和弹性性质。能带结构显示,BiOCuS为间接带隙半导体,带隙宽为0.503eV;态密度和分态密度的结果表明,费米能级附近的态密度主要来自Cu-3d态。布居分析表明,BiOCuS中的化学键具有以离子性为主的混合离子-共价特征。计算得到四方相BiOCuS的晶格参数、体模量、剪切模量和单晶的弹性常数,由此导出弹性模量和泊松比。结果表明,BiOCuS是力学稳定的,且具有一定的延展性。

简介：采用液固分离工艺制备高SiC体积分数Al基电子封装壳体（54%SiC，体积分数），借助光学显微镜和扫描电镜分析壳体复合材料中SiC的形态分布及其断口形貌，并测定其物理性能和力学性能。结果表明：SiCp/Al壳体复合材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中。复合材料的密度为2.93g/cm^3，致密度为98.7%，热导率为175W/（·K），热膨胀系数为10.3×10^-6K^-1（25~400℃），抗压强度为496MPa，抗弯强度为404.5MPa。复合材料的主要断裂方式为SiC颗粒的脆性断裂同时伴随着Al基体的韧性断裂，其热导率高于Si/Al合金的，热膨胀系数与芯片材料的相匹配。

简介：2010年8月1～3日，由中国再生资源产业技术创新战略联盟成员——中国电器科学研究院和美国佐治亚理工学院组织的“全球和区域电器电子废弃物可持续解决方案”中美论坛在广州举办。

简介：为研究铁水中钛元素碳热还原反应规律,提供高炉护炉理论依据,利用高温熔炼、急速淬火、化学分析以及热力学模型计算等方法,在实验室条件下利用分析纯试剂研究在1350-1600°C间钛在低钛渣系CaO-SiO2-MgO-Al2O3-TiO2与铁水间的分配行为。研究结果表明,随着反应温度的增加,钛的分配比L（Ti）增加,但系统活度系数γsys降低,从而导致反应平衡常数升高。结合Wagner与凝聚电子相模型,通过对实验数据进行拟合,得到钛碳热还原反应的吉布斯自由能公式。最后,结合实验所得结果,给出了高炉铁水中w（Si）与w（Ti）含量的关系以及可以达到护炉效果的最小入炉钛负荷。

简介：提出一种基于有限体积法的二维数学模型，以研究20mm厚2219铝合金板在电子束焊接过程的热传递、流体流动以及匙孔的动力学行为。采用一种能够实时跟踪匙孔深度的自适应热源模型来数值模拟电子束的加热过程。由表面张力、热毛细力、反冲压力、流体静压力以及热浮力等诱导的不同涡旋的热和质量输运作用与匙孔演变相互耦合。详细分析了一系列物理现象，包括电子束焊接过程中的匙孔钻取、塌陷、重新打开、准稳态过程、回填过程以及在此过程中的温度变化。结果表明，深度方向降低的电子束热流能减慢反冲压力的匙孔钻取速度，并促进准稳定状态的出现。在准稳定状态出现之前，匙孔会发生塌陷并加剧涡旋流体输运的复杂性。最后，所有的计算结果与实验结果进行对比，来验证数学模型的可行性。

简介：2016年3月10日,科技部高新司会同基础司在广东省东莞市组织召开了"国家电子电路基材工程技术研究中心"验收会。经过质询和讨论,与会专家一致认为工程中心已全面完成计划任务书中的各项任务和目标,同意通过验收。国家电子电路基材工程技术研究中心于2011年11月(下转第7页)

简介：2010年7月23日，中国电子材料行业协会在京召开了各分会理事长、秘书长及财务人员紧急会议，学习研究了有关专项治理“小金库”的文件精神和布置了有关自查自纠、内部检查的时间、节点要求。会议还学习了有关申请参加协会评估的文件，讨论了总会机构设置等工作。除轻建纺分会外，10个分会的秘书长和有关领导人员均出席了会议。

简介：据悉，截至2008年2月底止，中国大陆将有54座池窑在生产运行，其中全部生产电子玻纤纱的电子型池窑有13座，其年产能为22．3万吨，既生产电子玻纤纱又生产增强玻纤纱的混合型池窑有7座，其年产能为5．9万吨，二者合计为28．2万吨，约占全球电子玻纤纱年总产能的68．38％。现将2007—2008年中国大陆电子玻纤纱生产公司年产能排名榜详述于下表：