简介：Two-dimensional(2D)periodicalAuandindiumtinoxide(ITO)nanocompositearrayshavebeenfabricatedbasedonaself-assemblednanospherelithographytechnique.Abutton-shapedAunanoparticlewasformedoneachhollowhemisphere-shapedITOshell.Importantly,theunderlyingformationmechanismduringthethermaltreatmenthasbeenthoroughlyexploredbycomparingstructuresresultingfromdifferentdepositionconditionsindetail.ComparedtotheAunanoparticlearrayswithoutITOshells,theAu/ITOnanocompositearraysshowedastrongerlocalizedsurfaceplasmonresonanceeffectandhigherabsorptioninthenear-infrared(NIR)region,benefitingfromthefree-electroninteractionenhancementbetweenAuandITO.Thenonlinearopticalpropertieswereinvestigatedusingamodifiedfemtosecondintensity-scansystem,andtheresultsdemonstratedAu/ITOnanocompositearrayswitharemarkabletwo-photonabsorptionsaturationeffectforfemtosecondpulsesat1030nm.TheversatileNIRopticalresponsesindicatethegreatpotentialoftheelaboratelyprepared2DperiodicalAu/ITOnanocompositearraysinmanyapplicationssuchassolarcells,photocatalysis,andnovelnanooptoelectronicdevices.

简介：采用离子注入的方法,将钴离子（Co）直接注入到氧化铟锡（ITO）导电玻璃电极表面,制得纳米钴修饰电极（Co/ITO）。通过循环伏安法（CV）、X-射线光电子能谱法（XPS）以及扫描电子显微镜（SEM）等方法对纳米钴修饰电极表面进行了表征。以Co/ITO为工作电极,在0.1molL-1NaOH溶液中,峰电流与谷胱甘肽（GSH）浓度在1.0×10-7mol·L-1~2.0×10-6mol·L-1之间呈线性关系,检出限为1.0×10-7mol·L-1。纳米钴修饰电极还体现了良好的稳定性和重现性,可用于实际样品中谷胱甘肽的检测。

简介：本文综述了ITO薄膜的应用领域和制备工艺。ITO薄膜主要用于光电器件中,例如用于液晶显示(LCD)。制造ITO薄膜的工艺方法很多,本文综述了磁控溅射法、CVD法、喷雾热分解法和溶胶—凝胶法4种制膜工艺。

简介：In_2O_3∶SnO_2(ITO)thinfilmswerefabricatedonthesubstrateofflexiblepolyethyleneterephthalate(PET)byDCmagnetronsputteringfromaceramictargetofIn_2O_3/SnO_2(90∶10).PropertiesofthethinfilmswerecharacterizedbyX-raydiffraction(XRD),four-pointprobe,Hall-effectmeasurement,UV-Visspectrophotometer,andscanningelectronmicroscopy(SEM).Theeffectsofsputteringpressure,oxygenpartialpressureanddepositiontemperatureonpropertiesofmicrostructureandoptoelectronicspropertiesofPET/ITOthinfilmswereinvestigatedindetail.High-qualityITOthinfilmsonPETsubstrateswiththeresistivityaslowas8.5×10-4Ω·cmandtheopticaltransmittanceover80%inthevisiblespectrumrangewereobtained.

简介：以纳米氧化铟锡（ITO）粉末为原料，采用离心喷雾造粒技术制备高性能ITO造粒粉体，通过SEM、激光粒度仪及松装密度仪等手段研究浆料固相含量、粘结剂含量及雾化器转速对干燥粉体形貌、粒径分布、流动性和松装密度的影响。结果表明：当浆料固相含量为50%、粘结剂为1%、雾化器转速为10800r/min时，喷雾造粒得到的ITO粉体成球率较高、粒径分布均匀、松装密度和流动性显著提高。用该ITO造粒粉末经冷等静压成形制坯和常压烧结制备靶材，压坯和烧结坯的致密度可达到61.7%和99.27%。

简介：摘要：透明导电电极（TCE）是液晶显示屏、触摸屏、太阳能电池等电子产品的重要组成部分之一。其中透明导电材料氧化铟锡（ITO）作为市场化的窗口电极用于电子元器件中。但是随着柔性电子器件不断兴起，对电极材料可柔性加工的需求也逐步提高，ITO材料自身不耐弯折的劣势使得各课题组对其替代材料的研究投入了更多的关注，不但要具备高的电学性能与光学透过率，且可柔性加工为后续可穿戴、可弯折、可卷曲的电子设备提供有力的支撑。 关键词：透明电极、ITO、ITO替代材料

简介：在这份报纸，我们将第一说明我们为什么应该介绍一它吗？打珍视集合的随机的微分方程并且我们为什么应该注意几乎到处问题。第二，我们将给不可分的Aumann类型Lebesgue的一个清楚的定义并且关于时间t珍视集合的随机的过程证明Lebesgue的measurability不可分。然后，我们将介绍一些新性质，特别证明珍视集合的Lebesgue积分的重要不平等。最后，我们将证明存在和的一个强壮的答案的唯一它吗？打珍视集合的随机的微分方程。关键词珍视集合的随机的过程-珍视集合的Lebesgue积分-珍视集合的随机的微分方程-强壮的解决方案先生(2000)题目分类60D05-60H10由中国(资助号码10771010)的国家自然科学基础支持了，PHR(IHLB)，北京教育委员会，的研究资金中国；并且为科学研究19540140的Grant-in-Aid，日本

简介：摘要本文介绍了宽禁带半导体导电薄膜材料ZnO的相关性质，对ZnO与ITO在LED芯片制作中的应用中光电参数进行对比分析，探讨了ZnO作为替代ITO的可行性，结果表明，ZnO材料作为导电薄膜具有穿透率高，与金属粘附力好等优势，但也存在方块电阻偏高等需解决的问题。

简介：随着中国超越日本成为世界第二大经济主体,中国概念成为众多投资者追捧的对象。宏观经济环境的持续改善,内需市场潜力巨大、人力资源丰富、成本相对较低等优势使中国成为"世界工厂",GDP连续保持8%左右的高速增长。然而,中国也面临着较严重的通货膨胀,人民币升值,人口老龄化等众多问题。中国经济要继续保持高速增长,需要探索新的发展模式。

简介：Thesurfaceandinterfaceelectronicstatesoftris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)/indium-tinoxide(ITO)weremeasuredandanalyzedbyX-rayphotoelectronspectroscopy(XPS).Theresultsindicatedthat,inAlq3molecule,thebindingenergy(Eb)ofAlatomsis70.7eVand75.1eV,correspondingtoAl(O)andAl(Ⅲ),respectively;ThebindingenergyofCis285.8eV,286.3eV,and286.8eV,correspondingtoCofC-Cgroup,C-O,andC-Nbond,respectively.Nisthemainpeaklocatingat401.0eV,correspondingtoNatomofC-N=C.OatomsmainlybondtoHatom,withthebindingenergyof533.2eV.AsthesputteringtimeofAr+ionbeamincreases,Al2p,C1s,N1s,O1s,In3d5/2andSn3d5/2peaksslightlyshifttowardslowerbindingenergy,andAl2p,C1sandN1speaksgetweaker,whichcontributestodiffusingtheoxygen,indiumandtininITOintoAlq3layer.

简介：接口特征在薄电影设备的性能上拥有很重要的影响。ITO/PTCDA/p-Si薄电影设备与真空蒸发和噼啪声免职方法被建立。ITO/PTCDA/p-Si的表面和接口电子国家被X光检查光电子光谱学(XPS)和氩离子横梁调查蚀刻技术。结果在ITO/PTCDA/p-Si，不是仅仅ITO/PTCDA-Si的接口显示那而且PDCDA-Si能生产散开。而且，每个原子的XPS系列显得化学移动，和Ols和Ols的化学移动是更显著的。CLC数字O484文件代码A工程被中国的国家自然科学基础支持(不同意60076023)

简介：

简介：摘要： 随着高亮度 GaN 基 LED 在照明领域的广泛应用，提高 LED 芯片的发光效率成为一个重要的研究课题。 LED 芯片有源层产生的光从半导体材料向外出射时，受全反射效应的限制，只有少部分光能够辐射到自由空间。大部分光经过多次全反射后被半导体材料、有源层和金属电极吸收并转化成热量，严重影响芯片的出光效率。一种有效的方法是在芯片表面制造微结构，增加半导体材料与封装材料之间的界面发出光的角度的随机性，降低光全反射的概率，从而提高光输出的效率。

简介：摘要随着科学技术的发展，我国的人机互动技术水平得到了快速提高，使得电容触摸屏具有多点触摸的性能，能有效提高互动效果，给人们的生产和生活带来了很大的便利。近些年来，国内外学者开始将单层ITO应用在多点电容触摸屏设计上，有利于拓展产品的功能、性能，具有良好的应用价值。因此，本文基于单层ITO技术进行了分析，探究该技术在多点电容触摸屏设计上的应用，并提出了有效的建议，以期为相关人员提供有益的参考。

简介：采用化学共沉淀法来制备ITO纳米粉末，探讨了反应终点pH值（分别为7，8及9）和煅烧温度（分别为350℃，650℃，750cc及850℃）对ITO粉体性能的影响，借助TG—DSC、XRD、SEM、HRTEM、FT-IR等分析手段对粉体进行了表征。得到如下结论：在液相中加入硅酸钠，反应温度为60℃，反应终点pH值为8，老化制度为60min，煅烧制度为750℃／2h的工艺条件下，所制得的ITO纳米粉不含SnO2相，呈显著的单相结构，是一种立方结构的In2O3固溶体；粉体粒径在30—60nm之间，比表面积为34．26m^3／g，形貌为近球形，颗粒均匀，且分散性能良好，在波数840—3164cm。范围内对红外光的反射率高达66％～94％。

简介：ＴhepatternofITOtransparentelectrodeofpixelcellsinTFTAMLCDisacriticalstepinthemanufacturingprocessofflatpaneldisplaydevices,thedevelopmentofsuitableplasmareactiveionetchingisnecessarytoachievehighresolutiondisplay.InthisworkweinvestigatedtheAr/CF4plasmaetchingofITOasfunctionofdifferentparameters.WedemonstratedtheabilityofthisplasmatoetchITOandachievedanetchingrateofabout3.73nm/min,whichisexpectedtoincreaseforlongpumpingdownperiod,andalsothroughadditionofhydrogenintheplasma.FurthermorewedescribedtheITOetchingmechanisminAr/CF4plasma.Theinvestigationofselectivityshowedtobeverylowoversiliconnitrideandsilicondioxidebutveryhighoveraluminum.

简介：摘要：本文主要针对平板显示的分类及应用进行阐述，并对ITO玻璃基板产业发展现状进行简要的分析，与ITO玻璃基板市场的供应现状相结合，针对新型显示用ITO玻璃基板的发展现状及趋势做出探究，以供参考。

简介：Inthepresentwork,verticallyalignedZnOnanorodarrayswithtunablesizearesuccessfullysynthesizedonnonseededITOglasssubstratesbyasimpleelectrodepositionmethod.Theeffectofgrowthconditionsonthephase,morphology,andorientationoftheproductsarestudiedindetailbyX-raydiffraction(XRD),scanningelectronmicroscopy(SEM),andtransmissionelectronmicroscopy(TEM).Itisobservedthattheas-preparednanostructuresexhibitapreferredorientationalongcaxis,andthesizeanddensityoftheZnOnanorodcanbecontrolledbychangingtheconcentrationofZnCl2.Fieldemissionpropertiesoftheas-synthesizedsampleswithdifferentdiametersarealsostudied,andtheresultsshowthatthenanorodarrayswithasmallerdiameterandappropriateroddensityexhibitbetteremissionproperties.TheZnOnanorodarraysshowapotentialapplicationinfieldemitters.

简介：

简介：利用Ito公式及Ito积分的性质求出了布朗运动和几何布朗运动的矩的一般形式，同时指出可以利用这种方法求其他扩散过程的矩．