简介：摘要

简介：<正>TriQuint与LockheedMartin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaNHEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时PAE为50%。TriQuint运用其独有的"先进的栅工艺"使GaNHEMT的功率密度比传统的E电子束及

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简介：<正>TriQuintSemiconductor公司的研究人员宣布制造出世界上最大功率的Si衬底AlGaN/GaNHEMT。这种器件10GHz下的连续波输出功率密度达到7W/mm。此结果表明,GaN/Si已发展到对中、大功率晶体管具有吸引力的水平,可望用于X波段功率MMIC甚至更高的频率。

简介：摘要：具有宽带隙、高电子饱和速度和高击穿电压等良好特性的氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料——宽禁带半导体材料之一，推动微电子领域和光电子学领域向前迈出了极为重要和有重大意义的一步，而以GaN材料制造的功率半导体器件AlGaN/GaN HEMT器件对半导体器件领域的发展也有着极其重大的影响。本文概述了GaN材料的基本特性以及AlGaN/GaN HEMT 器件的工作原理。

简介：文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

简介：摘要：微波集成电路是目前较为先进的集成电路制作工艺，其未来具有更为广阔的应用场景。但我国相关设计水平和工艺水平依然不足，在微波集成电路设计方面仍然采用较为传统的设计思路和设计方法，这不利于我国相关企业的发展。因此本文对集成多功能MMIC电路进行设计，通过最终测试结果与仿真结果相比，本文所设计的多功能电路的各项指标可以满足实际应用需求，在雷达及电子对抗领域具有一定的应用前景，希望通过本文设计能为我国多功能集成电路设计提供一些参考。

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简介：<正>据报道,AgilentTechnologies推出新系列毫米波、微波MMIC(AMMC)。新AMMC系列产品适用于DC～50GHz射频范围和10Gb～40Gb的通信应用。这些器件采用0.13μm栅长的PHEMT工艺技术,适用于RF、光通信和军用系统。

简介：DepletionmodeHEMTwithrefractorymetalsilicideWSigatehasbeende-signedandfabricated.Epicated.Epitaxialmodulationdopingmaterialsweregrownbyahome-madeMBEsystem.Thegatelengthandwidthforlownoisedepletiondeviceswere1.2～1.5μmand2×160μmrespectively.Theelectronmobilityofthefabricateddevicesistypically6080cm^2/V·sat300Kand68000cm^2/V·sat77K.Thesheetelectronconcentrationnsis9×10^11cm^-2，Thesource-draincontactswithAuGeNi/Auwerefabricatedusingevaporatingandlift-offtechnique.tofurtherreducethecontactresistance,thewaferalloyedat520℃for3mininthehydrogen(H2)gas.SchottkygatewasformedusingWSi.Thetranseon-ductanceofthedepletionmodedeviceis110～130mS/mmatroomtemperature,Thede-vicescanbeappliedincommunicationsatelliteatmicrowavefreqencyof3.83GHzandradarreceiverat1.5GHz.Itsnoisefigureisabout2～3dB.

简介：<正>日本三菱电机开发了用于76GHz毫米波车载雷达的8个品种的MMIC。其中1个用于T/R组件的天线切换开关MMIC,5个用于发射系统的MMIC和2个用于接收系统的MMIC。

简介：由使用0.15mGaAspHEMT(pseudomorphic高度电子活动性晶体管)技术，毫米波浪力量放大器微波的一个图案整体的集成电路(MMIC)是presented.With电路结构上的小心的优化，这个二阶段的电源放大器从33GHz与1dB的变化完成15.5dB的模仿的获得到超过在浸透的30dBm的模仿的产量电源能与最大的电源从3WDC供应被拉的37GHz.A26%.Rigorous的增加的效率(PAE)电磁的s

简介：<正>MimixBroadband公司推出了一种GaAsMMIC分谐波接收机。该接收机有一个三级平衡低噪声放大器(LNA)、一个镜相抑制分谐波逆平衡二极管混频器和集成本振(LO)缓冲放大器。使用这个镜相抑制混频器就无需在低噪声放大器之后再用一个带通滤波器来消除镜相频率下的热噪声。

简介：全球气候变暖正在挑战人类发展。面对日益严峻的挑战，我们应该意识到，节能减排，保护环境，是我们每一个人的责任。所以，我们应该从这一刻开始，关注生活细节，为保护我们的地球出一份力!

简介：今年10月份的LED杂志（LEDmagazine）刊登了三种MR16产品之间的性能比较，它们分别是：卤钨灯、SiC基板上生长的GaN（CREE制造）和在GaN上生长GaN的同质氮化镓（rhSORRA公司制造），见表1。

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简介：GaN（氮化镓）功率器件的全球领军企业GaNSystemsInc．和功率半导体的领军企业ROHMCo．，Ltd．为促进电力电子市场的创新与发展，开始就GaN功率器件事业展开合作。

简介：<正>美国军方已经着手实施一系列价值数千万美元的计划来加快GaNIC的研发速度。在DARPA的资助下,在这个开发毫米波和微波集成电路的GaN项目中,最大的获益者是Raytheon(与Cree合作,2700万美元)、NorthropGrumman

简介：大规模轧了nanowires被ammoniatingGa2O3电影成功地在在850点在Si(111)底层上扔的Nb层上综合。X光检查衍射(XRD)，扫描电子显微镜学(SEM)，field-emssion传播电子显微镜(FETEM)，Fourier转变了红外线的光谱(FTIR)被用来描绘结构、词法的性质同样综合轧了nanowires。结果表明nanowires是纯的六角形与在50nm和100nm之间的一段大约几微米和一条直径轧了wurtzite结构。最后，简短讨论了是镓氮化物nanowires的形成机制。