简介：

简介：nanomechanical行为(110)并且(111)CdZnTe晶体被nanoindentation调查。尽管测试表面上的扫描力量是很小的，indenter尖端被移开的材料在扫描严峻的区域粘住，这被发现(1000nN)，它将影响nanoindentation的严峻的结果，indenter因此在nanoindentation前是干净的测试。experimemtal结果证明坚硬和幼仔是模量在一样的飞机上随缩进负担的增加减少了。因为CdZnTe水晶的anisotropy，平均坚硬(110)飞机是35%比的低(111)飞机，并且有沿着一样的飞机上的不同结晶的方向的坚硬的大约30%差别。在测试方向的0°和120°的坚硬由于Berkovichindenter的三方面的对称是一样。并且anisotropy在CdZnTe水晶用机器制造期间影响了表面质量。

简介：DuringthecrystalgrownbyVBM,thesolid/liquidinterfaceconfigurationsgreatlyinfluencethequalityofas-growncrystals.Inthispaper,finiteelementmethod(FEM)wasusedtosimulatethegrowthprocessofCdZnTecrystal.Theeffectsofdifferentcruciblemovingratesandtemperaturegradientofadiabaticzoneoncrystalgrowthrateandsolid-liquidinterfaceonfigurationwerestudiedaswell.Simulationresultsshowthatwhencruciblemovesattherateofabout1mm/h,whichisnearlyequaltocrystalgrowthrate,nearlyflatsolid/liquidinterfaceandlittlevariationofaxialtemperaturegradientnearitcanbeattained,whicharewellconsistentwiththeresultsofexperiments.CdZnTecrystalwithlowdislocationdensitycanbebtainedbyemployingappropriatecruciblemovingrateduringthecrystalgrowthprocess.

简介：为了分析电流型CdZnTe（CZT）探测器的脉冲线性,利用CZT探测器测量得到了脉冲宽度为50ns的脉冲X射线响应曲线,采用波形时间积分法分析了其线性特性。结果表明,以波形时间积分为测量目标量,当X射线照射量在0.160-0.826mR范围时,在10%的不确定度范围内,样品探测器可作为线性测量系统的探测器件;以幅值为测量目标量,工作电压为400V时,在5%的不确定度范围内,样品探测器可作为线性测量系统的探测器件。

简介：为了揭示multicomponent质量的复杂机制，在第三的化合物的生长期间转半导体，一个数字模型基于Maxwell-Stefan，方程被开发模仿CdZnTe水晶的布里奇曼生长。在melt的Maxwell-Stefan散开系数被估计。Zn，Cd，和Te的分布被计算，可变ampoule旅行率和散开系数。试验性的结果显示出那Zn在融化在生长接口附近从体积减少并且扩散融化到生长接口。为Cd，状况只是反面。Zn和Cd散开的联合效果在生长的开始导致Te的登高散开。在整个生长，在melt的Te的集中在生长接口附近保持低但是远离生长接口高。增加旅行的ampoule率将加重Zn和Cd的分离，并且因此败坏Te的一致性。我们也发现在他们之间的不仅散开系数而且比率在种类散开上有重要影响。