简介：日本东芝公司的研究人员开发出一种三维记忆胞阵列。这种结构提高了单胞密度和数据存贮容量。在这种结构中，一些堆集的柱状记忆元件垂直穿越多层电极材料并利用共享外围电路。这一创新设计对未来高密度闪存记忆技术可能是一种可取技术。

简介：（2007年2月1日，中国上海），截至2007年2月。普立万在中国已经走过了10个年头。普立万目前在中国雇有500多名员工，2006年其销售额超过1亿美元——这些数据都表明普立万在亚洲．这一高度活跃的商业环境中的发展已经进入了一个新的时代。普立万公司以其一贯的高品质和卓越表现来满足当今全球客户的高标准要求。

简介：

简介：剑桥麻省理工学院的研究人员发现的一种磁现象可以获得更快、更高密度和更高能源效率的芯片，可以用于存储和计算。它可以减少储存的能源需求并且将检索一个数据位效率提高1万倍，材料科学与工程副教授GeoffreyBeach说。这个研究结果能克服磁性材料使用中的基本限制，形成一种全新的设计方法。

简介：美国国家标准工艺研究所（NIST）的科学家制成了由硅纳米线与传统数据存贮装置结合在一起的混合记忆元件。美国乔治马松大学和韩国Kwangwoon大学的研究人员一起参加了这项工作。这种混合结构可能比其他利用纳米线制成的记忆元件可靠性更高，而且更加易于转入商业应用。

简介：中国科学院化学研究所有机固体重点实验室的科研人员,获得了基于有机JI体系共轭分子形成的新的纳米尺度聚集态结构,并实现了可控生长。该项研究成果对于有机固体和新材料领域的基础和应用研究将产生重要影响。

简介：全球领先的高性能聚合物供应商索尔维特种聚合物全球事业部近日在江苏常熟举行仪式，隆重庆祝其全新氟橡胶（FKM）工厂建成投产。该工厂位于江苏常熟新材料产业园内，是索尔维特种聚合物在全球的第3个氪橡胶生产基地，它将得益于索尔维在常熟工厂现有的运作和基础设施。索尔维将基于常热的这一工厂向目标市场提供其Tecnoflon品牌的氟橡胶材料，该材料拥有优异的抗化学腐蚀性，可耐受超过250℃的高温，且在各种成型技术中都易操作。

简介：三维编织复合材料是利用编织技术，把经向、纬向及法向的纤维束（或纱线）编织成一个整体，即为预成型结构件（简称“预制体”），然后以预制体作为增强材料进行树脂浸渍固化而形成的复合材料结构。由于增强纤维在三维空间多向分布，阻止或减缓了冲击载荷作用下复合材料层间裂纹的扩展，使得复合材料层间性能大大提升。因此，三维编织复合材料较普通层合复合材料具有更高的冲击损伤容限和断裂韧性。三维编织技术可按实际需要设计纤维数量，整体织造复杂形状的零部件和一次完成组合件，

简介：高维形象几何仿生信息学是通过生物模式识别、人工智能、神经网络、信息与控制等多学科交叉与集成的研究领域。

简介：中科院上海光机所研究员王俊与张龙、赵全忠以及上海光机所中科院外国专家特聘研究员Wern．erBlau等人合作，首次报道了二维层状MoS2纳米材料在近红外波段的优异超陕饱和吸收性能。相关研究成果日前发表于《美国化学学会一纳米》。

简介：据报道,英国Lisungwe矿产勘探公司称在马拉维Mchinji地区Chimimbe山区发现具有商业开采价值的镍矿资源。先期测试结果表明Chimimbe山区蕴藏含量达0.5%的镍矿

简介：多晶体材料微观组织结构很大程度上决定了其宏观物理力学性能，材料微观组织的模拟对于研究和预测材料的宏观力学性能具有重要意义。随着计算机技术的发展，材料微观组织的三维模拟已成为材料微观组织模拟的研究热点。总结了材料微观组织三维模拟的方法及其应用，提出了三维模拟的研究方向。

简介：国外媒体报道,准晶体已经挑逗和吸引了科学家们长达30年,现在这个奇怪的材料组有了一名古怪的新成员：由自我装配的有机分子形成的二维准晶体。这种奇特的准晶体是扁平的,由单层的五边环分子组成。这种分子在这一层内形成组,就像微弱的氢键将彼此连接在一起。这个分子组奇特的装配方式导致这一层里的其它分子形成了各种各样的形状,包括五角形、星形、船形和菱形。

简介：近日，全球OLED领域代表厂商维信诺在AMOLED产品技术研发中再获新突破，其在1．2英寸手表搭载的AMOLED模组开发中，成功应用了TDDI（触控与显示驱动集成）技术，将触控与显示芯片合二为一。这一技术的实现，无论在提升终端用户体验，优化产品工业设计，以及下游技术开发管理成本控制等方面，都具有实际意义。据了解，此次维信诺在AMOLED领域实现TDDI技术应用尚属全球首例，并将进一步引领OLED产业技术攻关及下游终端产品创新升级。

简介：低维半导体纳米材料由于具备许多特殊的电学及光学性能，近年来受到研究学者的广泛关注。综述了近期国内外低维Ⅳ族元素半导体纳米材料制备方法的研究进展，并对已经报道的制备方法进行了分类和总结，展望了低维元素半导体的研究前景。

简介：以三氯化铝和叠氮化钠为原料，利用复分解反应法在温度为650℃条件下反应3h，成功地制备出呈灰白色粉末的一维单晶氮化铝纳米材料，通过对样品进行XRD、TEM和SAED测试，结果表明，样品为表面光滑的长直形圆柱状六方结构的氮化铝，直径为50nm左右，长度在几个微米以上，晶格常数分别为a=0．268nm，c=0．498nm；AlN紫外吸收谱的研究表明，AlN样品在202nm处具有一个尖锐吸收峰，其对应禁带宽度值约为6．14eV，并采用气-固（VS）生长机理、择优取向原理对一维单晶纳米线的生长进行了解释。

简介：对ZnO一维纳米材料制备技术的研究进展作了综述，根据制备过程的相态将制备方法分为液相法、固相法和气相法。对各制备方法的特点进行了归纳总结和评述，对ZnO一维纳米材料的发展趋势做了展望，也介绍了本课题组的工作。

简介：在水溶液体系中，利用十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）作为模板剂，水热合成了由纳米薄片自组装成的三维花状薄水铝石微观结构，采用XRD、SEM和TEM对其物相结构和形貌进行了分析，研究表明，该花状微观结构是由厚度50mm左右的纳米薄片自组装而成，形貌规则统一，分散均匀，平均直径为1．5μm，在其形成过程中，模板剂CTAB起到关键性的作用，并推断了纳米薄片自组装花状微观结构的形成机理。经过500℃焙烧得到的γ-Al2O3保持了该花状微观结构。

简介：美国普渡大学和哈佛大学的科学家使用III-V族化合物砷化镓铟代替硅，研制出全球首款全门三维晶体管，可用于开发出运行速度更快、更高效的集成电路和更轻便、耗电更少的手提电脑。

简介：近日，美高森美推出八通道大容量固态硬盘数据存储控制器FlashtecNVMExpress（NVMe）2108。该控制器支持16T字节的大容量数据存储，可以17mm×17mm的规格进行封装，兼容M．2、U．2接口和半高半长插件。具备双端口独立扩频参考时钟和端至端数据保护功能。此外，还提供了可通过固件定制实现固态硬盘产品个性化的可编程架构。