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  • 简介:发光(LED)具有非常广泛的用途,光子晶体(PC)是一种新概念和新材料,采用PC的LED则大大提高了光输出效率,是一种很有发展前途的LED器件,已成为目前国内外研究的热点.本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件.

  • 标签: 光子晶体(PC) 发光二极管(LED) 微腔(MC) 光子带隙(PBG)
  • 简介:改革开放之初,两位友人分赴日本和英国进修GTO晶闸管在传动中的应用。大约一年后,他们先后给留守国内的笔者来信,言及回国后想大干一场的志向。其中,他们不约而同地希望我帮助在国内寻找GTO应用所需要的配套元器件。在其中,又不约而同地列有“快导通”一项,问我什么是“快导通”?请我向他们解释一下。

  • 标签: “快导通二极管” 封装结构 “平板压接式”结构 逆变器
  • 简介:美国能源部(DOE)最近向新泽西州的Universal显示器公司(UDC)提供研究资金,以推进有机发光(OLED)的研发。OLED是更为省能的光源,因为与目前使用的具有100多年历史的传统光源相比,OLED伴生的热量较少,而且可以在低得多的电压下工作。DOE提供的数据表明,如果到2025年美国能全部采用固态光源照明,每年节约的能源费用可能超过250亿美元。UDC的一个开发项目是高照度效率的白磷OLED,采用新技术来进一步降低光源的工作电压,其商品名为Pholed。

  • 标签: 有机发光二极管 节能光源 Universal OLED 美国能源部 2025年
  • 简介:今发光使用得越来越普遍了,从最近得来的信悉,紫外发光配上荧光粉后,将紫外线转变为可见光,其发光效率可接近100lm/w,真可谓变幻莫测,前途无量.为了使读者在应用发光次开发产品时有所帮助,本篇收集了有关发光应用时必须知道的一些资料,如:特性和参数,列出其应用方法,帮助对该产品有一个粗浅的了解,便于入门.

  • 标签: LED 发光二极管 性能 伏安特性曲线 光谱曲线 配光曲线
  • 简介:主要介绍了厚膜片式的研制背景及应用领域,指出了厚膜片式应用的关键技术和工艺、最后讨论了厚膜式片的发展前景。

  • 标签: 厚膜片式 二极管 应用 研制背景 发展前景
  • 简介:本文推导出发光(LED)的作用距离公式,分析作用距离的影响因素,并针对常用观测设备作进一步的分析。使用最低照度0.02勒克斯和中等分辨率摄像机构成的观测设备,辐射功率为6mW辐射半圆锥角为25度的LED作用距离可以速至1.5km。本文给出的实验结果充分验证了理论分析的正确性。由于LED具有体积小、重量轻、功耗低、寿命长、可靠性高和响应速度快等优点,可以应用于指示灯、显示屏、交通管理、生产自动化和空间交会对接等方面各种标志的发光器件,本文提供和证明的LED的作用距离公式及作用距离范围能大大地促进LED的广泛应用。

  • 标签: 发光二极管 作用距离 摄像机 辐射功率 辐射半圆锥角
  • 简介:Vishay公司日前宣布推出新系列超亮LED——SMD0603。该器件具有目前市场上最小的SMD成型规格,且有六种颜色(超高红、橙色、黄色、绿色、纯绿色及蓝色)供设计者选择。

  • 标签: LED SMD 发光二极管 Vishay公司 器件 规格
  • 简介:研究基于甲酸助焊剂的高功率激光焊接工艺。高功率激光芯片在工作时会产生大量的热,如果不及时散掉,会严重影响芯片的使用寿命,严重时直接烧毁芯片。因此需要将芯片的发热面,即P面与热沉焊接在一起,理想状态是100%的接触,这样热量就可以完全通过接触面被带走。

  • 标签: 激光二极管 焊接技术 高功率 回流 焊接工艺 使用寿命
  • 简介:介绍了实现出射白光发光的几种方法,包括波长转化产生白光,多有源区级联合成白光以及单个有源区直接出射白光.并从芯片结构、材料选取、白光形成机理以及器件性能等四个方面对这几种方法进行了分析比较.最后指出了实现直接出射白光的发光存在的问题及今后的研究重点.

  • 标签: 白光发光二极管 波长转换 有源区级联 单有源区
  • 简介:用GUMMEL提出的一种非耦合算法对一维PN结进行数值模拟,数值计算中采用有限差分结合解三对角矩阵的方法,通过对电场和电势的计算,得到了正偏、反偏和零偏置情况下电场、电势分布.收敛速度和计算的精确程度较普通算法有了一定的提高,为下一步射频非稳态模拟奠定了基础.

  • 标签: 半导体器件 非耦合算法 PN结
  • 简介:凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出通用电源管理集成电路LTC2952,该器件对系统电源和系统监视功能具有按钮开/关控制。其电源管理功能由两个理想的电源通路(PowerPath)控制器实现,适用于需要用理想“或”功能实现负载共享,或在两个输入电源之间自动切换的应用。低损耗切换通过调节两个外部P沟道MOSFET实现,这两个MOSFET在导通时典型压降值为20mV,并且切换是可配置的,以满足各种应用的需求。

  • 标签: 电源管理集成电路 二极管 控制器 理想 P沟道MOSFET 按钮
  • 简介:度发蓝光的LED是以氮化镓(GaN)为基底的,因此对GaN的研究和开发成为目前国外和有关机构工作活动的对象.由于以GaN为基底可做成除LED以外的多种器件,它的研究与生产自然更受关注,本文就以综合介绍的形式将GaN的近年来开发应用和市场予以介绍.

  • 标签: 发光二极管 LED 氮化镓 光电子器件 电子器件