简介:摘要:本研究深入探讨了液晶模组中光学薄膜材料的分类、特性、制备方法及其应用。研究首先对偏光膜、增亮膜、反射膜及其他功能性光学薄膜如抗反射膜、扩散膜和隔离膜进行了分类和描述,强调了它们在改进液晶显示性能中的关键作用,包括提高透光率、对比度以及显示均匀性等方面。接着,文中详细讨论了光学薄膜的制备技术,如溶液铸造法、挤出法和镀膜技术,以及这些技术如何影响薄膜的光学和物理性能。此外,还探讨了光学薄膜性能的评价标准和测试方法,确保薄膜满足液晶模组的具体应用需求。最后,研究提出了光学薄膜在制备和应用过程中的优化与改进措施,如化学改性、纳米填料增强和表面处理,以改善薄膜的光学和物理性能,从而提升液晶模组的整体性能。
简介:目的调查某液晶电视显示模组技改项目通风系统,针对系统存在不合理的地方进行优化,并评价系统优化后效果。方法根据国家相关标准要求,笔者于2014年和2015年分别对该企业通风系统优化前后进行职业卫生现场调查、职业卫生检测。结果优化前,由于局部排风系统存在罩口设计不合理、风机风量不足、密闭性差等原因,导致该企业POL(偏光片)车间红色喷码机、蓝色喷码机清洗工个体CTWA丁酮为2488.49~2799.70mg/m~3,远超过国家职业接触限值(PC-TWA300mg/m~3)。2015年企业进行局部通风系统优化后,POL车间红色喷码机、蓝色喷码机清洗工个体CTWA丁酮为3.91~9.97mg/m~3,低于国家职业接触限值。结论全面通风系统和局部通风经过优化后,作业场所中有毒有害气体得到有效控制。
简介:目的对某液晶电视显示模组项目进行职业病危害控制效果评价,从源头控制和消除职业病危害、保护劳动者健康。方法对该建设项目采用职业卫生现场调查法、检测检验法、检查表法、职业健康检查相结合,进行定性和定量评价。结果该建设项目生产过程中产生的职业病危害因素主要为乙醇、异丙醇、甲苯、二甲苯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、环己酮、二氧化锡、铅烟、硫化氢、氨、氢氧化钠、盐酸、噪声、高温、工频电场和激光等。其中,岗位噪声等效连续A声级检测结果为57.7~87.7dB(A),岗位高温检测结果为21.3~24.6℃,工频电场检测结果为0.001~0.059kV/m,激光检测结果为未检出,各种职业病危害因素检测结果均低于职业接触限值。该建设项目的总平面布局、辅助用室、职业病防护设施、职业健康监护、职业卫生管理等情况基本符合国家有关规定。结论该建设项目职业病危害控制效果可行。
简介:摘要随着人们对生活质量要求的提高,对液晶电视的追求和要求也越来越高。人们对大尺寸的LED超薄电视更是钟爱,因为液晶玻璃本身不会发光,所以大尺寸的LED液晶电视为了更好的形成影像,所需的背光模组就成为液晶电视的重要组成部分。传统的背光模组中最常使用的是冷阴极荧光灯简称CCFL,它的缺点就是色彩还原率不稳定,并且含一定量的汞蒸气,对人体会造成一定伤害。LED背光模组作为新的发展方向,不仅能充分、均匀的对影像色彩进行还原,不含汞蒸气对人体无害,而且使用寿命较长。另一方面,传统的冷阴极荧光灯也就是CCFL背光模组,它对驱动电压的要求标准较高,要上千伏的电压和专门的逆变器才能工作,并且驱动线路相当复杂。而LED背光模组不仅损耗低,使用低电压就可以进行工作,控制也是相当方便。
简介:O482.3199053393Ga1-xAl-xAs外延片有源区Al组份的测定方法=MeasurablemethodofaluminiumcompositeofGa1-xAlxAsepitaxialmaterialwithinactiveregion[刊,中]/刘学彦(中科院长春物理所.吉林,长春(130021))//发光学报.—1998,19(4).—361—363利用电致发光测得Ga1-xAlxAs外延片有源区发射光谱,并通过公式计算得出有源区Al组份值。图4表1参3(常唯)O72299053394半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量=BondmethodmeasurementofstoichiometryinSi—GaAsbulkmaterialbydouble
简介:O722002032276X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层=StudyofsemiconductorsuperthinheterostructureswithsynchrotronradiationX-raystandingwavetech-nique[刊,中]/姜晓明,贾全杰,胡天斗,黄宇营,郑文莉,何伟,冼鼎昌(中科院高能物理所.北京(100039)),施斌,蒋最敏,王迅(复旦大学应用表面物理国家重点实验室.上海(200433))//高能物理与核物理.-2001,25(6).-588-594利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。图5参9(李瑞琴)