简介：

简介：摘要随着集成技术的高度发展，为了适应于MOSFET、IGBT驱动集成电路在电平转换、电机调速等功率驱动中的应用，美国IR公司推出了系列集成驱动电路。其IPM（智能功率模块）模块正是集成了IR21363集成驱动电路，同时也将逆变桥、自举电路和控制电路集成其中。具有体积小、集成度高、响应快、偏值电压高、驱动能力强、内设欠压封锁、成本低、易于调试等优点。基于此，本文主要对智能功率模块在变频电源中的应用进行分析探讨。

简介：近年来IGBT模块技术进步扩展了IGBT应用范围，进入了诸如轨道牵引、HDVC和包括智能电网系统的电能质量等真正的大功率领域。本文着重IGBT技术及其在欧盟UNIFLEX-PM（未来电网通用灵活电能管理先进功率变流器）项目应用情况。

简介：摘要：智能功率模块作为一种集成度高、功率密度大的功率电子器件，广泛应用于电力传输、工业自动化、新能源等领域。封装结构是智能功率模块的重要组成部分，对其性能和可靠性有着重要影响。因此，研究智能功率模块的封装结构和发展趋势具有重要意义。

简介：SPMTM（智能功率模块）产品的大量涌现及其带来的成本效益潜力，使我们有理由重新审视低功耗驱动应用中SPM与传统分立功率器件之优、缺点的比较。今天，家用及商用电器之类的高产量电器制造商已经将SPM应用到洗衣机、电冰箱等电器中。这是一个强烈的信号，表明智能功率模块能够满足这些高产量家电制造业的成本和可靠性要求，并具有革新驱动电路产业的潜力。采用高度自动化的环氧模塑接线框构造，并结合使用诸如DBC（直接敷铜）之类的现代绝缘材料技术，已经生产出能处理1A-75A驱动电流的600VDIP（单列直插）和SIP（双列直插）SPM。

简介：随着电力电子技术的发展，在电力电子设备中，广泛应用IGBT模块。IGBT模块是先进的第三代功率模块，集成功率IGBT和智能化IGBT代表了IGBT的发展方向。本文简介IGBT模块，功率集成IGBT（PIM）和智能化IGBT（IPM）的结构和应用实例。

简介：

简介：功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展，其种类日新月异。同时，模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择、制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战。文章结合了近年来国内外的主要研究成果，详细阐述了各类功率电子模块（GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM）的内部结构、性能特点及其研究动态，并对其封装结构及主要封装技术，如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述。

简介：SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

简介：摘要：以某型机车为例，针对电力机车上线运行后出现的IGBT故障、驱动板故障两种典型部件故障，根据机车DDU、MPU、TCU实时故障数据分析，通过功率模块检测及部件失效分析，结合软件仿真验证手段对牵引功率模块故障原因进行数理分析，实现了失效故障原因的定位。有利于梳理整体失效故障主因，从而从系统及控制程序改进降低机车牵引功率模块故障率。

简介：智能电外科设备通过功率控制,实现作用于不同组织时保持输出功率特性不变,从而保护组织不被烧伤,以达到良好的手术效果,其中输出功率反馈控制模块是其核心技术之一。我们设计的反馈控制模块由输出电压、电流检测电路以及单片机控制电路组成,与开关电源模块和射频功率放大器模块构成闭环反馈回路,通过实时检测表征负载上的电压、电流信号,结合单片机内部嵌入的PID控制算法,能够自动控制射频能量工作在不同模式;实验结果表明,PID控制算法中被控量从零输出到满量程输出所需时间在25.0ms以内,实际输出值与预设值误差在±5%以内,并且能够根据负载阻抗变化自动调节输出工作在不同模式。该模块能够快速、准确且稳定地控制输出达到预设值,从而实现自适应功率控制方式,为开发智能电外科设备提供核心技术基础。

简介：摘要IGBT功率模块作为一种核心器件，在交通、冶金、新能源发电、航空航天等诸多领域得到了广泛的应用。为了提高系统运行的可靠性，在学术界和工程界积极开展研究IGBT状态监测技术的功率模块。本文综述了国内外IGBT功率模块状态监测技术的研究现状。在介绍状态监测基本概念的基础上，总结了IGBT功率模块的主要失效模式和机理，并对不同状态监测方法进行了总结和分析。最后展望了未来的发展趋势和需要解决的关键问题。

简介：<正>位于美国加州的功率半导体和集成电路的供应商IXYS公司日前宣布一项新型的铝基基片技术。该项技术也称为直接铝材连接(directaluminumbonded简称(DAB)技术,已经用于集成功率半导体模块的生产中,例如:马达驱动、DC/DC转换器和功率模块中。该项技术是一项替换直接铜材连接(directcopperbonded)简称(DCB)先进技术,在直接铜材连接技术中铜作为主要的导体被连接到铝或者氮化铝陶瓷上。

简介：介绍了大功率IGBT模块的新概念，以及为实现小型化和高可靠系统时大功率应用的栅驱动技术。采用新型模块，可使体积和重量大约减小50％。使用通常的栅驱动方法驱动新型模块，也能简化设计并得到大功率电子系统。IGBT芯片的正面采用了沟槽栅结构，背面采用了电场截止层结构。未选择栅沟槽的FSIGBT芯片，其电流的不均衡率是10％或更小。采用通常的栅驱动单元有可能均衡与栅驱动单元并联的IGBT的开关波形。这些技术将使大容量的应用变得容易。

简介：SKiN技术是一个革命性的技术进步。它通过无绑定线封装技术平台增强了可靠性，减小了热阻并改进了内部寄生电感。有了SKiN技术，包含新宽禁带材料功率器件的封装技术已经出现，并允许它们被用在中高功率领域�

简介：测量IGBT逆变器的输出电流需要电流传感器。按输出功率的不同，目前已有一些熟知的测量方案。在逆变器的印刷电路板(PCB)上放置取样电阻，因系统成本低，电流测量精确而被广泛采用，但运行中取样电阻的功耗限制了这种方法的使用，因而对于较大的功率必须采用其他方法。现在有一种技术，即把电流取样电阻放置到IGBT模块的基板上，使其尽可能地靠近散热器，这种技术可以用于最高达35kW等级的电流测量，但实际上在更大功率的测量时仍采用目前应用的电流传感器法。

简介：SiC以其具有高绝缘击穿电场强度的特性,非常适宜于功率半导体器件应用。本文系统阐述了SiC功率芯片及SiC功率模块的产品化开发动向。

简介：O引言最近20年来，功率器件及其封装技术的迅猛发展，导致了电力电子技术领域的巨大变化。当今的市场要求电力电子装置要具有宽广的应用范围、量体裁衣的解决方案、集成化、智能化、更小的体积和重量、效率更高的芯片、更加优质价廉、更长的寿命和更短的产品开发周期。在过去的数年中已有众多的研发成果不断提供新的、经济安全的解决方案，从而将功率模块大量地引入到一系列的工业和消费领域中。

简介：诸如汽车、风力发电、太阳能发电和标准工业驱动器等的大功率应用要求功率模块满足高可靠性、耐热性以及电气坚固性等需求。通过应用最先进的封装技术，如无焊接的弹簧压接以及烧结技术，可以满足这些要求。本文对烧结技术作了分析介绍。

简介：摘要IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，为世界公认的电力电子第三次技术革命的代表性产品，具有高频率，高电压，大电流，易于开关等优良性能。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品。随着节能环保等理念的推进，此类产品在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。应用产品如风力发电变频器、光伏逆变器、轨道交通牵引变流器、电动汽车电机控制及充放电控制等。