简介：通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。

简介：摘要：通过对大功率晶体管结构的分析，发现热量不仅仅集中在集电极处，在发射结及高阻区也会产生大量的热量，导致大功率晶体管结构内部的温度分布非常的不均匀（特别是高频大功率晶体管），使得局部之间温差较大，因此在产品设计时，需要增大芯片的发射极周长及增加热补偿垫片，可避免电流过于集中及加速热量的传导，以减小大功率晶体管失效的几率。

简介：在实验研究的基础上，对晶体管二次击穿现象的原因提出一种新的观点，并进而讨论避免二次击穿的思路。

简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

简介：QFET芯片结构与传统MOSFET是不同的，主要表现在三个方面：

简介：<正>据《NEC技报》2005年第3期报道,该公司开发了用于手机基站的大功率、小型、高效的单芯片GaN晶体管。目前,用于基站的晶体管大都为Si或GaAs晶体管,为了获得240-300W的饱和输出功率,通常采用3-4个晶体管芯片进行功率合成。这次开发的单芯片功率管的特性大致如下:①在热导优异的SiC衬底上形成高品质的GaN和AlGaN的异质结;②形成高电压、大电流工作的场调制板(FP)电极结构;⑧采用可降低栅漏电流1/50的埋入电极结构。

简介：对35micro-x封装的微波晶体管防自激老化电路的各部分功能进行了详细介绍,讨论了如何判定管子是否处于稳定工作状态的方法。通过在测试间里搭建老化电路,模拟实际老炼状态,使用红外热像仪测试壳温的方法,比较了不同散热条件下的壳温测试数据,得出了管子的壳温以及管帽和管底之间的温度差。试验证明：在管底使用铝块和导热硅胶相结合散热的方法,能解决35micro-x封装形式的低结温晶体管老化过程中的结温控制问题。

简介：<正>M/A-COM公司开发出PH1090-700B系列NPN共基极C类脉冲功率晶体管,设计用于1030MHz～1090MHz频带的中频频率和其它航空电子学用途。其32μs脉宽和2%占空因素时的峰值饱和输出功率超过700Wpk,50%集电极效率时的可保证增益为7.5dB;在严格的S模脉冲猝发条件下,器件的饱和输出

简介：传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p＋sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170mA/mm、击穿电压120V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5GHz和10GHz的RFLDMOS器件。在50V工作电压、1090MHz频点下栅宽345mm单芯片器件的最大输出功率362W,功率增益15.6dB,漏极效率38.1%。

简介：

简介：摘要：PNP低频大功率晶体管的漏电流影响产品的可靠性和稳定性，因此，减小漏电流是研制PNP低频大功率晶体管的关键技术之一。PNP低频大功率晶体管采用的是外延平面工艺，生产过程中的沾污严重影响产品的可靠性，因此，减小产品的漏电流，就要从生产过程的严格控制做起。

简介：本文从分析晶体管的热过程入手,得出了晶体管的热阻Rt与最大允许集电极耗散功率Pcm的关系式.再通过对晶体管散热途径的分析及前面所得的关系式,得出了大功率晶体管及集成电路为什么要安装散热器.这种分析方法逻辑合理,过程清楚,理论充分,这种分析方法以前是没有的.

简介：

简介：1947年12月23日，37岁的美国物理学家肖克莱和他的合作者在著名的贝尔实验室向人们展示了第一个半导体电子增幅器，即最初的晶体管。晶体管的发明成为人类微电子革命的先声。

简介：摘要：PNP功率晶体管放大倍数是一个十分重要的参数，无论是版图设计或是工艺设计，直至工艺制作的全过程，都是工程师的主要关注点。本专题研究影响PNP大功率晶体管的放大倍数的主要因素，并针对性的给出工艺措施来提高PNP晶体管放大倍数的一致性。

简介：场效应晶体管具有输入电阻高、噪声系数低、受温度和辐射影响小等优点，在前置电压放大，阻抗变换电路，振荡电路、高速开关电路等方面应用也越来越广泛。在大屏幕电视机、彩色显示器、电脑的电源及主板、音响，手机、直流电机调速器等电路中都可看到场效应管的身影。而在实际维修中由于场效应管损坏引起的故障并不少见，因此掌握场效应管的原理、特性及测量判断的方法尤显重要。

简介：晶体管的工作状态分为放大、饱合与截止三个区,它们应用在线性放大器中或脉冲数字电路中各自具有不同的特点。本文的目的,是以NPN型管所组成的共射电路为例,来分析放大状态静态工作点的设置与非线性失真的关系,并从非平衡少数截流子在基区的分布入手来阐明开关状态的特点。一、线性放大器的失真与晶体管的开关作用晶体营运用在线性放大器中工作点的设置必须合理,如果工作点偏高可能引起饱合失真,工作点偏低又可能引起截止失真。但是,工作点如果较高而信号幅度却很小,则并不一

简介：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

简介：把闹钟的后盖打开,在电池正极端焊一根电线,在闹钟振铃开关正极上同样也焊一条线,将这两条线的另一端焊在准备好的一个小型插座上,然后把插座固定在闹钟侧面;另外再准备两根长电线,一端接在插头上,另一端接到门枢的按钮开关上。最后把

简介：通过图解分析法和微变等效电路分析法,对晶体管恒流源负载的等效静态电阻和动态电阻进行了详细分析,阐明了它们在不同工作状态下的变化情况,以指导具有晶体管恒流源负载的晶体管工作状态的确定.