简介：随着航空航天事业的发展,器件的抗辐照性能变得越来越重要,因此对抗辐照指标的应用测试已显得至关重要。基于FPGA和NI工控机,设计四通道数据采集测试系统,用于监测FIFOSRAM单粒子实验中发生的单粒子翻转（SEU）和单粒子闩锁（SEL）效应。采样率可达50MHz,对器件的读写频率达10MByte/s。该系统可实现对FIFOSRAM单粒子试验过程的远程测控。在监测单粒子翻转的过程中,既监测存储器的SEU效应,又监测了读写指针的SEU效应,并经过实际的单粒子效应测试验证了本系统的可靠性。

简介：介绍了时序逻辑单元和组合逻辑单元发生单粒子效应的机理,以反熔丝型FPGA芯片ActelA54SX32A为实验对象,设计了3种典型的链电路系统。在中国原子能科学院HI-13串列静电加速器上采用Br离子对电路进行辐照实验,在频率为20MHz的条件下,3个链电路的翻转截面分别约为3.268×10-3cm2,7.449×10-4cm2和3.988×10-4cm2。实验结果验证了在0.22μm工艺条件下,时序逻辑单元比组合逻辑单元更加敏感,并且在包含两者的电路中,组合逻辑单元会屏蔽部分单粒子效应。最后,针对电路中不同逻辑单元,给出了两种加固方法。

简介：通过二维TCAD仿真，对IGBT的单粒子入射作用过程做了原理性的分析，据此在理论上将单粒子对器件的作用进行了分类。针对阻断态、贯通烧毁的情况，给出了IGBT加固的一般思路，提出并仿真验证了多种具体的加固方法，与文献测试结果相符。

简介：针对目前我国急需开展质子单粒子效应辐照实验的需求，研制了适用于质子束流注量率监测的次级电子发射监督器（secondary—electronemissionmonitor，SEEM）。测试结果表明，SEEM在监测注量率为109～1010cm-2·s-1的质子束流时，其电流与注量率间的线性相关性很好，可应用于质子单粒子效应实验束流诊断。同时，测量了不同质子能量下铝的次级电子发射系数，测量值与理论计算结果吻合较好。

简介：近年来,随着半导体工艺技术的迅速发展,质子单粒子效应研究的重要性上升到了一个新的高度。综述了国际上纳米集成电路质子单粒子效应研究的主要进展,如低能质子成为纳米集成电路单粒子效应和软错误率的主要贡献因素,中高能质子与新型器件材料（如钨）核反应研究成为质子单粒子效应新的热点问题,介绍了中国原子能科学研究院在纳米集成电路低能质子实验方面开展的相关工作。

简介：以CMOS存储单元为研究对象，介绍了仿真在CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应机理及电路抗单粒子加固设计方面的研究进展，讨论了特征尺寸的缩小对单粒子辐射效应的影响，提出了利用交叉隔离和错误猝熄的方法改进传统存储单元的加固性能，并通过试验验证了该方法的有效性。

简介：以Xilinx公司的28nm系统级芯片（system-on-chip,SoC）Zynq-7000为研究对象,开展了α单粒子效应实验和低能质子单粒子效应实验,测得了系统级芯片的α单粒子效应敏感模块、单粒子效应截面及不同模块质子单粒子效应截面随能量变化的关系曲线。采用软件故障注入技术获得了系统级芯片多个功能单元的敏感单元以及故障表现类型,并且通过建立系统芯片软错误故障树,定量计算了系统芯片及其各功能单元的故障率和不可用度,确定了系统和子系统中的敏感模块。

简介：通过前处理，在聚甲基丙烯酸甲酯微球表面形成活性中心，采用化学液相沉积法．在微球表面沉积镍合金层，制成了单分散PMMA／Ni复合粒子，采用XPS、XRD、SEM、比表面分析仪、微米激光粒度分布仪等多种分析测试方法对制得的复合粒子的结构及性能进行表征，结果表明：制备的复合粒子大小约10μm，呈单分散性，分散度在0．025左右，包覆层呈较好的球形，结构致密，形状规则，具有一点的柔软度，合金层大约在0．5μm，主要成分为含高磷的镍磷合金。

简介：介绍了辐射效应,重点讲述了单粒子软错误效应。说明了单粒子软错误产生的物理机理,包含直接电离、间接电离和电荷收集。明确了临界电荷标准和软错误截面等单粒子软错误的基本计算公式。着重阐述了GEANT4(核物理层级)、TCAD(半导体器件层级)、SPICE(简单的电路层级)和复杂电路级/系统级的多层级结构化的单粒子软错误数值仿真技术。最后,结合后摩尔时代微电子技术的发展趋势,展望了单粒子软错误研究的未来发展。

简介：通过对比电子、质子和重离子在作用机理、损伤形态、损伤分布、穿透深度的差异性，确定进行中子辐照模拟的最优选粒子，然后量化分析最优选粒子辐照与中子辐照在材料微区化学成分、微观结构、硬度与IASCC敏感性等方面的差异。

简介：在日常的节目制作中，有许多节目环一节、片花、宣传片中需要用到特定的效果，而AE粒子特效就应用非常广泛，在节目中经常会应用到粒子特效，做一些绚丽的光效。而在AE软件中．制作粒子特效有几个效果很好的插件，其中的应用能够完成非常多的特效，分别是CCParticleWorld、Particular插件、Form插件，可以完成各种绚丽多彩的粒子效果。这里我们简单介绍一下图1所示这几种粒子特效的特点和使用方法。

简介：摘 要：为了得到具有抗单粒子效应的VDMOSFET，首先本文针对单粒子效应中的单粒子烧毁效应(SEB)和单粒子栅穿效应（SEGR）进行模拟仿真。通过半导体工艺软件Silvaco TCAD对结构改进，得到了在两种不同的单粒子效应下，分别采用增加缓冲层和加固栅氧化层厚度的方式进而加固器件。

简介：科学的研究遥无止境,科学家对物质的基本组成着了迷。原子、离子、电子、中子……人们对物质的理解也越发深刻。然而,科学也许的确存在着两面性,当人们在为了解世界而兴奋不已时,原子弹的爆炸却在极短的时间内夺去几十万人的生命。

简介：本文从量子力学的观点出发，对光电效应现象给出了一些有益的探讨。

简介：研究了中子弹核爆炸战场毁伤效应估算的数学模型，给出了基本参数、瞬时参数、地面放射性沾染、通过和停留剂量以及目标毁伤估算的数学模型。

简介：为了了解齐齐哈尔市大气细粒子PM2.5单颗粒的形貌、组成及粒度分布特征，选取齐齐哈尔市大学校园和商业市中心两个采样点，针对春季和秋季大气中PM2.5单颗粒，应用场发射扫描电镜（FESEM）和配带X射线能谱的扫描电镜（SEM—EDX）对其微观形貌和元素组成进行了研究。利用图像分析系统对其粒径分布进行统计。结果表明，此地区PM2.5颗粒分为4种类型，即烟尘集合体、飞灰、矿物颗粒和未知颗粒，分别来源于机动车尾气排放、煤炭等燃料燃烧及地壳扬尘。其中春季烟尘集合体数量最多，秋季由于燃煤以飞灰为主。来源于地壳扬尘的矿物颗粒以硅铝酸盐类和碳酸盐类矿物为主。此地区大气中PM2.5颗粒空气动力学直径约90％小于1．0μm，属大气细粒子。其中烟尘集合体平均粒径大于矿物颗粒，飞灰平均粒径最小。

简介：对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1MeV等效中子辐照效应实验。结果表明，在注量为1.5×10^15cm^-2的中子辐照后，器件的阈值电压没有发生明显变化；栅压较大时，辐照后的饱和漏电流变小，这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关；当漏极电压小于200V时，器件的关态漏电流明显增加，表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽，但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化，说明其对中子辐照具有一定的免疫能力。

简介：摘要：

简介：瞧,科学家也进行接力呢!科学史上的许多发明、发现都不是一夕而成的,其中不少更经由几代科学家或几名同时代科学家共同努力完成,比如中子的发现就经历了一个较为坎坷的过程。

简介：1930年，德国物理学家w·波特和他的学生H．贝克发现了一件奇怪的现象。当他们用α粒子轰击原子序数为4的元素铍时。按照以往的实验情况，α粒子应该从铍元素的原子核里打出质子来。但与预期的情况相反，实验中出现的并不是质子，而是一种强度不大而穿透力很强的射线。这种射线能穿透几厘米厚的铜板．而其速度并不明显减小。