简介:本文采用多功能四圆X射线衍射仪测绘出立方相GaN/GaAs(001)外延层的极图和倒易空间mapping,研究了六角相GaN和立方相微孪晶的取向、晶粒形状和极性等特征。结果表明外延层中片状六角相与立方相之间的取向关系为:(111)//(0001)、<112>//<1010>。由于(111)Ga面的外延速度远高于{111}N面,导致较多六角相和立方相微孪晶在[110]或[110]方向上的(111)Ga面和(111)Ga面上形成,而在[110]或[110]方向上六角相和立方相微孪晶含量较低。外延层中立方相微孪晶的含量明显低于六角相,表明六角相的形成可以更有效的释放局部应力集中。
简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长的3C-SiC/Si(001)中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal的缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%。
简介:应日本科学技术联盟的邀请,经国家经贸委批准,笔者荣幸地随中国质量管理代表团出访日本。于1995年11月12日至11月26日,参加日本第36次质量月活动。中国质量管理代表团参加这次日本质量月活动的内容,主要有以下三个方面:拜访了日本科技联。参加了有关会议:第33次高层经营者质量管理大会;1995年度日本质量管理奖、戴明奖授奖仪式和获奖企业报告演讲会;第45次部、课长质量管理大会和论文发表会。参观并考察了日本的4个企业。现就笔者参加日本第36次质量月活动的感受,对日本质量管理谈几点认识。1质量经营成为日本经济走出低谷的重要战略80年代后期,日本经济发展迅速,各项需求旺盛,特别是房地产和股票价格暴涨,形成了前所未有的“泡沫经济”。日本金融机构开始大规模向高利润、高风险的房地产领域投资。“泡沫经济”破灭后,房地产价格下跌,日元