简介：通过一个简单的水热方法成功地合成出由SnO2纳米片作次级结构的新型花状ZnSnO3-SnO2分级纳米结构。ZnSnO3多面体在生长分级SnO2纳米片的过程中主要起模版作用,制备出的SnO2纳米片的厚度约为25nm。还讨论了ZnSnO3-SnO2样品的形貌随反应时间变化的规律,并且进一步讨论了形成这种分级结构的形成机制。此外,由这种新型ZnSnO3-SnO2纳米结构作敏感材料的气体传感器对乙醇气体具有高灵敏和快响应的特点。ZnSnO3-SnO2纳米片在最佳工作温度270°C时,对50×10-6乙醇气体的灵敏度约为27.8,其响应和恢复时间分别在1s和1.8s内。

简介：采用化学方法制备直径约100μm的超大尺寸氧化石墨烯,利用Langmuir-Blodgett自组装法将其逐层沉积于基体表面,制备透明导电薄膜。经过高温还原后,平坦、紧密排列结构的石墨烯薄膜具有高导电性及透明度。在86%的透明度下,获得的表面电阻为605-/sq,此光电性质优于用化学气相沉积法在Ni表面生长的薄膜。该方法具有易操作、成本低、便于工业化大规模生产等优势。

简介：利用蒸发诱导自组装技术，用液晶为模板制备有序介孔氧化钛（OMPT），探讨影响亚甲基蓝（MB）氧化降解效率的主要因素，包括MB的初始浓度、pH值和催化剂浓度。结果表明，所获得的OMPT具有二维六方介孔结构，粒径小，比表面积大，表现出高的热稳定性，这些都导致其比催化剂P25和溶胶-凝胶法制备的纳米氧化钛颗粒（NPT）有更高的降解效率。在MB浓度5mg/L、pH6和OMPT浓度1.5g/L的条件下，MB的降解率最快。总有机碳（TOC）分析表明，OMPT在240min内实现了对MB的完全矿化，其速率常数高于P25和NPT的。

简介：为提高镁合金的耐蚀性,并且使其表面具有抗菌功能,从而抑制生物膜的形成和生物腐蚀,利用原位水热法在AZ31镁合金基体上制备氢氧化镁膜以及层层组装制备硫酸庆大霉素（GS）和聚苯乙烯磺酸钠（PSS）多层膜。利用扫描电子显微镜、傅里叶红外光谱、X射线光电子能谱、电化学测试和浸泡实验研究（PSS/GS）nMg复合膜层的表面形貌、化学成分和耐腐蚀性能。最后,通过抑菌圈实验和平板计数法评定（PSS/GS）nMg样品抵抗金黄葡萄球菌的性能。结果表明,在镁合金表面制备的复合膜层表现出较好的耐蚀和抗菌性能。这种复合膜层可用作医疗植入器件涂层。

简介：合成了低分子量的聚苯醚，在浓度为0．5g／dl的氯仿溶液中于30℃测定，它的比浓粘度为0．04～0．18dl／g，而它的分子量分布为1．5～2．5。这种粉末状的低分子量聚苯醚有着高的耐热性和优异的电性能，可用于印制电路板材料和改性其他的树脂。

简介：本文介绍了无卤覆盖膜的特性要求和配方组成，尤其对常用的含磷阻燃剂进行了描述,在此基础上，概述了无卤覆盖膜的一些市场动态，包括高柔软性覆盖膜、高可靠性覆盖膜、高Tg覆盖膜以及感光性覆盖膜等，最后展望了无卤覆盖膜的发展前景．

简介：铝合金微弧氧化技术是提高其表面性能的一项重要技术,微弧氧化膜层的耐蚀性直接影响其适用范围。较系统地总结了铝合金微弧氧化中影响膜层耐蚀性的因素,包括电解液和电参数2大部分。电解液主要由主盐、添加剂及NaOH等组分组成;电参数主要是电流、电压、占空比及频率等因素。提出了几种提高微弧氧化膜层耐蚀性的后处理方法,探讨了各因素对膜层耐蚀性影响的作用机理。

简介：对离子交换膜电解槽中电沉积钴的参数进行了优化研究,并探讨了阴极液成分、电流密度、温度等因素对电沉积钴的电流效率、单位能耗、质量的影响规律。阴极液为含氯化钴混合溶液,初始中间液为稀盐酸溶液,阳极液为硫酸溶液。采用阴离子交换膜将阴极液与中间液隔开,阳离子交换膜将阳极液与中间液隔开。结果表明：最佳实验条件为80g/L钴、20g/L硼酸、3g/L氟化钠、pH4、电流密度250A/m^2、温度50℃在该条件下电流效率为97.5%。中隔室可得到电化学再生的盐酸,酸浓度达到0.45mol/L,实现了产酸抑氯同步化。

简介：3月9日，首单上市民企再生资源资产证券化产品——“广州证券一格林美废弃电器电子产品处理基金补贴收益权资产支持专项计划”获深交所评审通过，本专项计划也足广东省首单再生资源行业资产证券化产品。

简介：在硅酸盐、磷酸盐、焦磷酸盐或其混合电解液中对锆-4合金进行等离子电解氧化。通过实验确定合适的工艺参数,并运用电化学技术、显微硬度、SEM、XRD等技术对膜层性能进行表征。结果表明：在纯的硅酸盐电解液中得到的膜层很不均匀,且在添加磷酸盐后,膜层均匀性仍然很差。在焦磷酸盐体系中得到的膜层比较均匀,但硬度低。在焦磷酸盐体系中添加硅酸盐后,膜层的均匀性和硬度都得到改善。XRD结果表明,膜层的主要成分为单斜氧化锆和四方氧化锆。添加硅酸盐后,有利于四方氧化锆的形成。极化曲线结果表明,在焦磷酸盐以及焦磷酸盐与硅酸盐混合体系中得到的膜层具有较强的耐蚀性。

简介：本文研究环氧胶膜和在PI表面涂覆环氧胶的覆盖膜在保护FPC线路的耐弯折性进行了考察测试，结果讧明环氧纯胶膜对FPC的线路有保护作用，但其耐折性和挠曲性明显不如PI覆盖膜好，在实际使用场合可根据需要选择使用。

简介：在K2ZrF6-Na2SiO3电解液中对Y（NO3）3浸泡预处理的AZ91D镁合金进行微弧氧化处理,在镁合金表面制备Y2O3-ZrO2-MgO复合膜层（YSZ-MgO膜）。运用电子显微镜（SEM）、能谱分析（EDX）、X射线衍射（XRD）和电化学分析与高温氧化等方法研究YSZ-MgO膜的组成与结构、耐腐蚀性及热稳定性。结果表明,YSZ-MgO膜主要由Y2O3、ZrO2、MgO和Mg2SiO4等物相组成,和未经Y（NO3）3浸泡的膜层（ZrO2-MgO膜）相比,YSZ-MgO膜的厚度较小,但膜层的致密性较好,表面粗糙度较小;且腐蚀电流密度较小、开路电位较正、极化阻抗较高;在5%NaCl溶液中的腐蚀速率低于ZrO2-MgO膜的,约为AZ91D镁合金的8%。YSZ-MgO膜层比普通ZrO2-MgO膜层具有更强的抗高温氧化性能和耐热冲击性能。

简介：散热问题已成为电子设计者面前的最大挑战之一,研究开发导热性好并且与铜箔（铜线路）间有较好的粘结强度和刚度的绝缘层材料对HDI电路板的应用具有重要意义。随着2008年欧盟RoHS指令的逐步开始实施,现有电子元器件含溴阻燃体系逐渐禁用,因此无卤2W导热率导热膜开发意义重大。

简介：2009年12月10日，海关总署和国家发展改革委联合发布了2009年第78号公告，由海关总署和国家发展改革委批准的《不锈钢丝加工贸易单耗标准》等31项加工贸易单耗标准，

简介：在60MPa压力，5个不同的烧结温度下将ZnO?聚苯胺?聚乙烯混合粉末压制成复合陶瓷圆片，研究烧结温度的变化对其电物理性能和显微组织的影响。结果显示，烧结温度从30°C升高至120°C，击穿电压从830V降低至610V；继续提高烧结温度，击穿电压反而升高。随着烧结温度的升高，界面电压势垒的变化与击穿电压的变化相反。样品的泄露电流很低，说明材料具有低的降解速率。烧结温度越高，非线性系数变得越小。此外，各样品均有迟滞现象，随烧结温度升高至120°C，电滞回线降低；当温度继续升高时，电滞回线变宽。紫外光谱的结果显示，有3个杂质能级，且随烧结温度的升高而降低。扫描电镜的结果显示，复合材料显微组织中含有晶粒和晶界，晶界的电阻率是影响材料的压敏特性随烧结温度变化的主要因素。

简介：利用多道次降温热轧工艺得到的AZ31镁合金板材用于后续的一道次冷轧实验,单道次冷轧极限提高到41%。在多道次降温热轧工艺中,采用大的道次变形量进行轧制得到的终轧板材的织构强度较弱,得到的织构强度仅为一般AZ31轧制板材的1/3～1/2。研究表明,即使得到的板材的晶粒尺寸较为粗大,但是弱的织构仍有利于冷轧成形性的提高。对AZ31镁合金板材织构形成的变形机理进行了详细分析。

简介：研究减压速度对真空吸铸A356合金充填行为和氧化膜卷入过程的影响。利用粒子图像测速仪通过水模拟方法观察充填行为，并获得速度场的变化规律。结果表明，介质流入型腔后，充型速度首先快速增加，随后随着减压速度的不同，充型速度的变化表现出3种不同情况：减压速度较大时，充型速度继续增加；减压速度合理时，充型速度保持不变；减压速度较低时，充型速度先降低后保持不变。充型速度越大，射流越严重，介质在重力作用下回落至液面时的速度越大，这是导致真空吸铸过程中氧化膜卷入的主要原因。推导了减压速度的设计原则，据此浇注了A356合金铸件。测试了其四点弯曲强度，并利用韦伯统计评价了铸件的可靠性，证明了减压速度设计原则的准确性。

简介：在铜基体表面电沉积铜-金刚石复合过渡层,采用电镀铜加固突出基体表面的金刚石颗粒,最后利用热丝化学气相沉积(HFCVD)法在复合过渡层上沉积大面积的与基体结合牢固的连续金刚石膜。采用扫描电子显微镜、拉曼光谱和压痕试验对所沉积的金刚石膜的表面形貌、内应力及膜/基结合性能进行研究。结果表明:金刚石膜由粗大的立方八面体颗粒与细小的(111)显露面颗粒组成,细颗粒填充在粗颗粒之间,形成连续的金刚石膜。复合过渡层中的露头金刚石经CVD同质外延生长成粗金刚石颗粒,而铜表面与粗金刚石之间的二面角上的二次形核繁衍长大成细金刚石颗粒。金刚石膜/基结合力的增强主要来源于金刚石膜与基体之间形成镶嵌咬合和较低的膜内应力。

简介：采用体视学显微镜和扫描电镜（SEM）结合X射线能谱分析（EDS）研究不同厚度0.1mol/LNa2SO4薄液膜下浸银处理电路板（PCB-ImAg）和无电镀镍金处理电路版（PCB-ENIG）的电化学迁移行为与机理结合交流阻抗谱（EIS）和扫描Kelvin探针技术（SKP）对电偏压作用后PCB金属极板的腐蚀倾向和动力学规律进行分析。研究结果表明,经电偏压作用后,在不同湿度条件下,PCB-ImAg板上银的迁移腐蚀产物数量极为有限,而在高湿度条件下（85%）下,PCB-HASL两电极间同时发现了铜枝晶以及铜/锡的硫酸盐、金属氧化物等沉积物。SKP结果表明,阴极板表面电位明显低于阳极板表面电位,具有较高的腐蚀倾向。建立电偏压作用下PCB电化学迁移腐蚀反应机理模型,并对两种电路板电化学迁移行为差异进行比较。

简介：采用分子动力学方法对Mg7Zn3合金快速凝固过程进行计算机模拟，研究玻璃转变过程局域结构与动力学之间的关联。结果表明：以Mg原子为中心的FK多面体和以Zn原子为中心的二十面体局域结构，对Mg7Zn3金属玻璃的形成起关键性作用。Mg（Zn）原子的扩散系数在熔点附近开始偏离Arrhenius关系，而满足幂指数规律。根据均方位移、非相干中间散射函数和非Gauss函数等时间相关函数，发现：随着温度的降低，β驰豫越来越显著，α弛豫时间以VFT指数规律迅速增加；而且半径较小的Zn原子比Mg原子呈现较快的弛豫动力学行为。另外，部分短程有序局域原子结构具有较慢的动力学行为，对β驰豫中笼子效应起主导作用；并随着其数目的大量出现，体系扩散系数开始偏离Arrhenius关系，玻璃形成过程微观结构转变温度TgStr与动力学转变温度Tc非常接近。