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8 个结果
  • 简介:用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe/Si异质结结构的影响。结果表明,所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化,最佳生长温度为450℃;缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

  • 标签: Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格
  • 简介:利用XRD、TPR和EXAFS等手段考察了焙烧温度对Cu/MnO2/ZrO2催化剂性能影响,结果表明,随着焙烧温度增加,铜的配位环境发生变化,铜和锰之间相互作用增强,有效地防止铜组分在还原及反应过程中聚集长大,从而使催化剂活性显著增加,当催化剂经过高温焙烧,催化剂活性由于ZrO2结晶和铜的聚集而降低。

  • 标签: Cu/MnO2/ZrO2催化剂 焙烧温度 活性测试
  • 简介:首次将炭载型CuO/AC用于烟气脱硫,在最经济的烟气脱硫温度窗口(120-250℃)显示出高的脱硫活性,考查了煅烧温度和煅烧后脱硫剂的预氧化对硫脱活性的影响,并对脱硫剂进行了TPD和EXAFS表征。结果表明:经250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂具有最高的脱硫活性。200℃煅烧,前驱体Cu(NO3)2未完全分解:高于250℃煅烧,活民生组分CuO被载体C部分还原为金属Cu微晶,从而发生烧结,聚集,以上均导致脱硫剂活性的下降,尽管不同温度煅烧的CuO/AC表现出大的脱硫活性差异,但吸硫后均生成同一反应产物CuSO4,250℃煅烧的CuO/AC脱硫剂Cu以CuO和Cu2O形态存在,其中的Cu2O在200℃很容易氧化成CuO。

  • 标签: CuO/AC 脱硫剂 制备 煅烧温度 脱硫活性 EXAFS
  • 简介:采用溶胶-凝胶法制备CoMoO4催化剂,经K助化后分别在空气中于400-800℃下进行焙烧,得到氧化态样品,然后经硫化制得硫化态K-Co-Mo催化剂,对氧化态样品的乙醇分解性能及硫化态样品的CO加氢合成低碳醇的反应性能进行了测试,运用X射线衍射(XRD)和扩展X光吸收精细结构(EXAFS)对样品进行结构表征,乙醇分解性能测试表明,催化剂的表面酸性较弱,且随着焙烧温度的升高变化不大,合成醇性能测试结果则显示,催化剂的焙烧温度升高后,其合成醇的产率逐步降低,但醇选择性基本不变,经400℃焙烧的样品,具有最好的催化活性。结构分析结果表明,氧化态样品中存在多种K-Mo-O物种,且随着焙烧温度的提高,钾铝之间作用增强,样品更难以被完全硫化。

  • 标签: K-CO-MO催化剂 溶胶-凝胶法 低碳醇合成 焙烧温度
  • 简介:通过NH4NO3溶液处理商业硅胶,制备了一种新的担载型Co/SiO2催化剂体系以及用于F-T合成重质烃反应。固定床优选条件下的运行结果表明,在该催化剂上的CO转化率可达到90%以上,目标产物C5^+选择性可达到80%以上。采用XAFS(X射线吸收精细结构)技术研究了该催化剂的物相结构,结果表明,处理后的硅胶与钴物种之间的相互作用明显减弱,钴物种的配位情况由Co-t向Co-o转变,使催化剂在工业还原条件下的还原度大大提高。

  • 标签: 改性 商业硅胶 钴基催化剂 结构 反应性能 Co/SiO2催化剂
  • 简介:采用X-射线吸收近边结构(XANES)和扩展X-射线吸收精细结构(EXAFS)技术,对用不同原料盐和不同焙烧温度制得的Co/γ-Al2O3催化剂中钴的微观结构进行了详细的表征。XANES结果表明,以硝酸盐为原料盐于500℃焙烧的样品Co(N)-500,其Co-K边的近边结构与标样Co3O4相似,而其它样的近边结构则与标样CoAl2O4相似。随焙烧温度提高。在吸收边前的弱吸收峰(1s→3d)逐渐增强。在吸收阈值处,主吸收峰(1s→4p)的分裂变得更明显,950℃焙烧的样品,在主吸收峰上升过程中出现了肩峰(1s→4s)。这些特征表明,样品中钴主要以Co^2+离子形式存在。钴离子与载体作用的加强,使非化学计量的尖晶石相在结构上与化学计量的CoAl2O4越来越接近。EXAFS结果表明,样品Co(N)-500中,钴主要以Co3O4的形式存在。其第一配位壳层Co-O配位数明显低于标样Co3O4,说明该相具有较高的分散性。其它所有样品中,钴主要以非化学计量的尖晶石相存在,其第一配位壳层Co-O配位数随焙烧温度从500℃提高到950℃,与标样CoAl2O4越来越接近;相同焙烧温度下,从醋酸钴制得的Co(A)系列样品更容易形成Co-Al尖晶石相。XANES和EXAFS结果很好地说明了前文中样品对CO氧化和乙烯选择还原NO反应的活性规律。

  • 标签: 氧化态 反应性能 微观结构 Co/γ-Al2O3催化剂 XANES EXAFS