简介：报导了CdS／ZnS纳米晶体（NCs）的制备过程和其光学}生质。通过采用连续离子层吸附和反应技术（SILAR），我们用少量的表面活性剂合成了不同壳层的四个样品，包括CdS核纳米晶以及具有1～3层ZnS壳的CdS／ZnS核／壳结构纳米晶体样品。发现具有一层ZnS壳的CdS／ZnS样品的荧光量子产率大约比未包覆壳层的CdS纳米晶体样品的强11倍。另外，随着壳层的增加（增至两到三层），荧光量子产率呈现下降的趋势。对样品进行了温度相关的光谱测量，发现CdS／ZnS和CdS一样具有特殊的光学特性。

简介：通过自由基共聚的方法制备了聚偏氟乙烯-g-聚（N-异丙基丙烯酰胺）（PVDF—g-PNIPAAm）共聚物，进而采用浸没沉淀相转化法制备了PVDF—g—PNIPAAm共聚膜。采用超声时域反射法研究了不同凝固浴温度下PVDF—g-PNIPAAm的成膜动力学。结合PVDF—g—PNIPAAm的成膜动力学，研究了凝固浴温度对膜结构与性能的影响。结果表明，在不同凝固浴温度下，PVDF—g—PNIPAAm的成膜过程均由液液分相来控制，凝固浴温度为30℃时成膜时间最长，40℃时成膜时间最短；不同凝固浴温度下制备的PVDF—g—PNIPAAm共聚膜保持了PVDF的结晶特性，随着凝固浴温度的升高，结晶度降低。同PVDF—g—PNIPAAm共聚物相比，PNIPAAm在PVDF—g—PNIPAAm膜表面的含量更高，其中，30℃时所成膜表面的PNIPAAm含量最高。不同凝固浴温度下所成的膜均呈指状孔结构，其中，30℃下所成的膜指状孔最大，孔隙率最高。25℃下制备的PVDF—g—PNIPAAm膜具有明显的温度响应性能，其水通量在30℃附近有显著增加。

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简介：在室温200℃的范围内，对磁控溅射制备NZnO薄膜性能进行了研究。实验中，以ZnO为阴极靶材，通过温度调节器对基片溅射温度进行控制，以实现对ZnO溅射薄膜特性的控制。系统真空度为3×10^4Pa，溅射气压为5．5Pa，溅射时N90min，通过XRD进行表征，用Jade5．0软件分析，结果表明，制备出ZnO薄膜表面平整、结构致密，具有高度c轴择优取向；在室温200℃的范围内，随着温度的升高，（002）衍射峰的位置趋向34．4°。

简介：美国休斯敦大学科学家们的研究发现了一种在非超导材料上诱发超导特性的方法，同时还可以增加已知超导材料的效率，对于提高超导体应用可行性是一个突破。

简介：来自瑞典林雪平大学和加利福尼亚大学伯克利分校的研究者人员使用原子分辨扫描透射电子显微镜观察到了原子沿着线性缺陷在薄膜层之间的迁移。被称为位错．管扩散的现象早己在理论上被理解，但从未被直接观察到。研究人员在将由5nm厚的氮化铪（金属）和氮化钪（半导体）交替层组成的样品加热到950℃时发现了这一现象，并见证了铪扩散到下层。该团队重复这个循环，每次测量单个原子的运动，并确认测量值与先前使用间接方法和理论模型获得的值相匹配。

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简介：为适应目前手机趋于轻薄短小,以及网路设备、数码相机、TFTLCD、数码摄影机等IT制品对增层基板需求量提高,预计5年后其将成为全球市场之主流。韩国大型电路板厂包括三星电机、LG电子、大德电子、KoreaCircuit、Petasys等,相继扩增增层

简介：日本北陆先端科学技术大学院大学开发出了耐热温度超过300℃的植物性树脂。植物性树脂目前正逐渐应用于手机、个人电脑外壳，但存在耐热性能低的课题。以聚乳酸为主要成分的一般植物性树脂的耐热温度为60℃左右。因此，在实际应用时大多会通过混合石油系树脂和矿物提高耐热性。

简介：具有介电、铁电、压电等特性的铁电薄膜在动态随机存储器、移相器等功能器件上拥有广泛的应用前景，但其疲劳现象已成为应用的严重障碍，在衬底与铁电薄膜之间添加氧化物过渡层可以改善这种现象。综述了普通氧化物、钙钛矿型氧化物、超导氧化物等作为过渡层材料对铁电薄膜结构与性能的影响。

简介：分析了复合导电材料的导电机理,阐述了关于复合型导电高分子材料电阻-温度效应产生机理的研究进展.指出了导电填料的种类、含量以及高分子基体的结构等因素对电阻-温度效应的影响程度.通过对填料和基体进行改性和表面处理能有效提高温度效应的强度、稳定性和重复性.还概述了相关电阻温度效应的计算模型.

简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

简介：美国科学家首次成功制造出了单原子厚度的锗单锗（germanane），其电子迁移率是硅的10倍，因而有望取代硅用于制造更好的晶体管。研究发表在最新一期的美国化学会《纳米》杂志上。

简介：用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜（SEM）分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各制程参数的关系.结果表明：随着腐蚀温度的升高,绒面反射率、镀膜膜厚逐渐升高,开路电压、填充因子逐渐增大,短路电流逐渐减小,最终确定了最佳的腐蚀温度.

简介：以变形条件对圆环链临界损伤因子的影响为主要研究目标，确立物理试验与数值模拟仿真相互佐证寻求临界损伤因子的基本思路，完成不同温度和应变速率条件下多组试样的热物理模拟拉伸试验，利用采集到的参数完成试验的仿真再现，研究温度／机械载荷作用下刨链的强度和寿命特征。结果表明，最大损伤值总是出现在圆环链的肩部，损伤软化现象对应变速率较为敏感，临界损伤因子不是一个常数，而是在0．15～0．54范围内。

简介：福建物质结构研究所中科院光电材料化学与物理重点实验室叶宁研究员领导的课题组在国家自然科学基金和中科院重要方向项目的资助下，以同样是具有平面三角形结构的碳酸盐为研究对象，通过精确控制晶格中碱金属和碱土金属阳离子的相对大小，实现了CO，结构基团共面平行排列，获得了一系列非线性光学效应为3～4倍KDP的系列碳酸盐晶体

简介：纳米技术在医学领域的应用是近年来的研究热点．尤其是将纳米粒子作为一种药物传递工具备受关注。但英国科学家的最新研究显示，仿生纳米粒子在进入人体细胞后，其袁层附着的蛋白层会被组织蛋白酶L降解。相关研究成果发表在9月22日《ACS纳米》期刊上。

简介：用溶胶-凝胶法在Pt（111）／Cr／SiO2／Si衬底上制备了（100）取向PT过渡层，探讨了制备工艺条件对胛过渡层成膜情况的影响，结果表明，快速热处理工艺制备的PT过渡层结晶较好，而热解时间过长和退火时间过长都会引起铅的损失，造成TiO杂相的出现，从而对PT过渡层的结晶产生不利影响。

简介：美国加州大学洛杉矶分校的研究人员与来自中国和日本的同行通过将金纳米粒子用于有机光电太阳能电池，助其增强了光吸收的能力，极大地提高了电池的光电转化率。在新近出版的美国化学学会《纳米》杂志上，加州大学洛杉矶分校亨利萨缪里工程和应用科学学院材料学和工程教捧杨。阳（音译）领导的研究小组发表文章，

简介：研究了渗流温度对Wf／Zr-BMG复合材料的显微组织和力学性能的影响，结果表明，随渗流温度升高，一方面复合材料中钨丝的显微组织发生显著变化．由最初的连续纤维状转变为无序状；另一方面，复合材料中钨丝与基体的界面处产生10μm的扩散反应层。另外，随温度升高，复合材料的压缩强度降低。