简介：运动的带电粒子和载流导体在磁场中受力的机理在物理教科书中没有解释。本文通过分析试验结果,揭示了产生洛伦兹力、安培力的机理——洛伦兹力及安培力源自于激磁电流和传导电流之间的作用力。笔者进一步确定了更加直观的安培力方向定向法则,即安培力的方向指向与传导电流有效分量同向的等效激磁电流,背向异向的等效激磁电流。同时,本文也揭示了安培力转移的现象：载流导线周围的磁场被导磁物体屏蔽之后,载流导体受到的安培力减小的部分将会完全转移到导磁物体上。

简介：本文主要从网络课程的设计方案、功能实现方式两方面对如何建设，怎样建设纳米磁性液体网络课程和如何改变纳米磁性液体教学模式进行探讨。

简介：通过计算两平行长直载流导线间的静电力和磁场力,解决了在研究平行载流导线间相互作用时,只计电力而不计磁力的真正原因

简介：合成了氰根桥联配合物Co[Fe(CN)5NO].5H2O,使用元素分析、热重分析、红外光谱、XRD对配合物进行了表征。红外光谱显示金属离子通过氰根桥联即FeII-CN-NiII传递磁相互作用,是属于桥式氰根配体的CN伸缩振动,而粉末XRD衍射图表明此化合物为面心立方体结构(FCC),空间群为Fm3m(225),晶格常数a=10.2856。通过对该配合物的直流变温磁化率和交流磁化率测定表明金属离子通过氰根传递弱反铁磁作用,根据Curie-Weiss定律,拟合数据获得居里常数C=1.55cm3·K/mol,顺磁居里温度θ=-1.87K。

简介：R（Fe，Si）12（R=Y，Nd）型稀土永磁材料具用重要的实际应用价值，然而对于V（Fe，Si）12化合物微观机理的理论计算工作至今尚未开展。采用新近发展的全势能线性缀加平面波（（L）APW）＋局域轨道（10）和广义梯度近似（GGA）密度泛函方法对其结构与磁性进行了研究。

简介：运用闵可夫斯基空间四维电磁场张量性质,研究介质中电磁场的相对论不变量,分别就每个电磁场张量本身、多个电磁场张量之间能够构成电磁场不变量的情形,给出独立的电磁场不变量的具体形式。结果表明,存在介质时独立的电磁场不变量只有六个,其形式可分别取为：B2·（Ec）2、E·Bc;H2·c2D2、cH·D;以及B·H·E·D、cB·D＋E·Hc.

简介：给出了复杂电磁环境下,提高测量磁场强度信噪比的方法,采用多环线圈提高测量探头的灵敏度,从罗氏线圈测量磁场强度的基本原理出发,推导出了由测量结果还原出待测磁场强度的一般公式,并给出了由待测信号的基本特征确定线圈最佳环数的估算方法。将该测量方法应用于“闪光二号”进行的实验中,测量结果与数值计算结果吻合较好。

简介：本文将综合论证指出：广义洛伦兹磁力具有普适性,它能全面解释电磁感应的物理过程;无论是静态场,或是时变场,都是洛伦兹磁场力的作用结果.①电波反射是广义洛伦兹磁力的应用,②广义洛伦兹磁力使线圈产生“反电动势”,③接收天线上的信号形成是广义洛伦兹磁力的作用结果,④磁力线静止而导体转动情况的经典洛伦兹磁力的应用,⑤导体静止而磁铁携带磁力线转动情况是广义洛仑兹磁力的应用,⑥磁发电机是广义洛伦滋磁力的应用,⑦变压器的变压原理是广义洛伦滋磁力的应用⑧铁芯中形成涡电流是广义洛伦滋磁力的应用.故,“磁生电”的真实原因是：金属电子在广义洛伦兹磁力的作用下的流动而形成Ic,却不是法拉第-麦克斯韦-爱因斯坦他们在自由空间里虚构的位移电流Ia.或,基于唯物主义自然观,联系电磁感应的物质是洛伦兹的金属电子,却不是法拉第-麦克斯韦-爱因斯坦他们的真空以太.

简介：学习目标1．通过实验探究。认识磁极之间的相互作用，了解磁场也是一种物质．2．通过观察，了解磁化现象．3．通过实验，认识用磁感线描述磁场的方法，会判断磁场的方向．4．知道地磁场及地磁场的南、北极．

简介：用机械合金化方法制备了(FeAl3)75Zr25和(FeAl3)50Zr50非晶态合金,用X射线衍射仪和热分析仪对制备的非晶态合金的结构特性及热稳定性进行了研究,用振动样品磁强计对(FeAl3)75Zr25和(FeAl3)50Zr50混合粉末在机械球磨过程中的磁性变化进行了研究,并对其晶化产物及其晶化后合金的磁性进行了分析。结果表明:(FeAl3)75Zr25的晶化产物为Fe3Zr和Al1.65Fe0.33Zr;(FeAl3)50Zr50非晶态合金的晶化产物为FeZr2和AlZr2。(FeAl3)75Z

简介：在高功率微波源中常采用恒流源磁场来约束电子束流的横向运动，引导电子束流在漂移区和束波互作用区传输。整个恒流源磁场系统主要由大功率直流稳流电源、螺线管线圈两部分组成。

简介：简要介绍了强电磁脉冲环境及效应等方面的研究内容和进展状况,讨论了强电磁效应和评估与一般的电子战、电磁干扰、子系统之间的电磁兼容等之间的共同性和差异,并简要介绍了电磁防御的措施.

简介：低压化学气相淀积(LPCVD)设备主要为微电子机械系统(MEMS)在硅基片上淀积Si3N4、Poly-Si(多晶硅)、SiO2薄膜。承担形成微传感器和微执行器的抗蚀层、结构层和牺牲层的加工任务。是MEMS技术中的主要生产工序之一，也可以用于集成电路钝化膜制备。

简介：讨论磁场功的能量来源问题。

简介：在用以模拟地磁场反转的带分路的多盘模型的基础上,用模型方程的解来模拟地磁场的反转变化,用模型方程的混沌现象来比拟地磁场反转的混沌现象。

简介：就标准厚度卡片在霍尔传感器的定标方面的应用作了有益的探讨。在纵向测量微小长度时，霍尔片处于磁场边缘位置，其对磁场的梯度更大，即灵敏度更高，且靠中心位置的线性更好。

简介：装置通过STM32系列单片机作为控制芯片,对电流大小进行控制。同时利用电路简单、精度高的传统恒流源电路,反馈电路和控制电路设计出可以通过蓝牙控制的磁场发生器。

简介：在电流与磁场互生及相互作用关系判断上，目前有安培定则、左手定则、右手定则，但对于电流与磁场互生及相互作用的内在机理却没有探讨。本文从微观假想电子磁场及其特性，通过假想解释了电子、电流、磁场及其相互作用的内在机理。通过内在机理解释了电流与磁场的安培定则、左手定则、右手定则等不同的外在表现形式，并通过内在机理的假想推导出电流与磁场存在的某些特性，以供深一步的研究和探索。

简介：根据毕奥—萨伐尔定律,导出了亥姆霍兹线圈轴平面磁场的分布解析表达式,以解析表达式为基础对亥姆霍兹线圈实例进行了数值计算,并与实验结果做一比对,最后,对一些特殊场点作了讨论。

简介：