简介:根据圆波导模式耦合理论,设计了一种结构紧凑型高功率容量弯曲圆波导,计算得到了TE_(11)模式和TM_(01)模式高传输效率时圆波导半径与波导弯曲半径、传输效率与弯曲角度之间的关系。软件仿真结果表明:中心频率为9.7GHz时,弯曲圆波导对水平极化的TE_(11)模式、垂直极化的TE_(11)模式和TM_(01)模式可实现大于99.9%的传输效率。按照击穿阈值为1Mv·cm~(-1)计算,弯曲圆波导功率容量可达4GW。低功率测试表明:9.7GHz时,水平极化的TE_(11)模式、垂直极化的TE_(11)模式和TM_(01)模式的传输效率为99%,与理论模拟结果一致。
简介:对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5.92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验,其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E,加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS/SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS/体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0.02-0.80Gy(Si)/s之间,它符合国家军用标准GJB762.2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时,电路所有表征参数在20min内测量结束。